晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究

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1、1引言晶体硅太阳电池能够取得高效转换效率的原因主要是基于表面钝化、湿氧氧化等技术的应用。新技术的开发与运用同时也极人地促进了太阳电池的商业化发展。在过去的10年，全球太阳电池的生产以年平均30%的速度快速增长，单品硅和多品硅太阳电池的增长所占•比重最人，超过幣个太阳电池增长的80%。除产业化运用新技术外，太阳电池制作中工艺优化也非常重耍的。太阳电池产业化所面临的主要问题之一是如何在保证电池高转换效率前捉下捉高产能。扩散制作P-N结是晶体硅太阳电池的核心，也是电池质量好坏的关键之一。对于扩散工序，最大问題在于如何保障扩散的均匀性。扩散均匀性好的电池。其后续工艺参数可控性高。可以较好地保证电

2、池电性能和参数的稳定性。扩散均匀性在高效率低成本电池产业推广方面主耍有两个方向：一个是太阳电池P-N结新结构设计的应川，比如N型电池、SE(selectiveemitter)电池等；另一个是由于其他工序或材料新技术的应用需要寻求相应的扩散工艺路线，比如冶金硅用于太阳电池、Sunpower公司的Low-costrear-contactsolarcells和夏普公司的back-contactsolarcells等。这些都是扩散对均匀性要求新的研究方向。品体硅产业化扩散制作P-N结所采用的扩散炉主要为管式电阻加热方式(普遍选用Kanthal加热炉丝),装载系统主要有悬臂式(loading/un

3、loading)和软着陆(softcontactload-ing,简称SCL)两种，国内扩散炉以悬骨式为主，国外以SCL为主。相对于配置悬臂装载机构的扩散炉，SCL式扩散炉因其炉口密封性更易保障，并不采用石英保温档圈來保证炉门低温状态。工艺反应过程中SiC桨退出反应石英管外，这些设计上的优点减少扩散均匀性的影响因素，在工艺生产中能更好地保证扩散的均匀性；同时也极人地降低工艺粘污风险，为高效A阳电池产业应用提供硬件保障。这也是SCL式扩散炉逐步取代悬臂装载式扩散炉的原因所在。早期的工艺路线主耍包括开管扩散与闭管扩散，鉴于对扩散均匀性耍求的不断提高和对高转换效率电池大规模生产成木降低的要求，

4、现基木采用闭管工艺路线。对悬臂管式扩散炉中影响扩散均匀性的气氛场因素进行相关的研究，以达到优化工艺参数、降低生产成木的目的。2扩散均匀性彩响因索针对管式扩散炉的特点，优化扩散的均匀性主要采取温区补偿技术。在大规模生产中，补偿方法主要通过调整工艺反应时间、气体流屋和反应温度三者实现。配备悬臂装载机构扩散炉本身的特点及恒温区位置的固定，确保了SiC桨、石英保温档圈、均流板和石英舟是固定位置使用。影响扩散均匀性因索除相关物件固定放置位置外，工艺气体总流量、废气排放流量与炉内压强的平衡设冒，均流板的气体均匀分流设计，废气排放位冒与气流变化对温度稳定抗干扰的平衡设豐等因索也至关重要，因这些因索相互

5、关联影响，使得生产中的工艺优化相对闲难，尤其是气氛场因素更难控制，这也是该研究领域至今未建立扩散均匀性气氛场工程模型的难点。根据气氛场因素的特点，作出扩散气氛场结构示意图如图1所示。图1中，箭头方向为气体示意流向；废气排放管和ProfileTC套管处丁•同-•水平面上，工艺废气经废气排放管排到液封吸收瓶(工业生产常用酸雾处理塔)处理，处理合格后排气。炉口位置炉中位醍炉尾位置图I扩散气氛场结构示意图工业化生产中扩散炉的均匀性主要通过测试扩散后硅片的方块电阻来反映。工艺反应时间、气体流量和工艺反应温度的变化非常直观地体现在方块电阻值的变化上，即増加工艺反应时间和工艺反应温度将导致方块电阻值的

6、降低，磷源流虽的减小反映在方块电阻值的升高；反Z亦然。2.1丄艺气体流量对炉内温度的影响在工艺温度稳定条件下，关闭小N2(磷源bubblerbottle),通过手动调节人N2流量，试验记录扩散炉石英反应管内炉口、炉中、炉尾3段ProfileTC(tlacrmalcouple)温度随炉内气体流量(压强)的变化情况，以研究炉内气氛场气体流量(压强)变化对与扩散均匀性密切关联的温度影响程度和趋势。试验过程包括：(1)检查炉门及各气路连接处的密封性；(2)设备温度P【D参数自整定；(3)手动调节大N2流量，从25L/min,增加到27L/min,记录流量调节前后稳定温度值和流量变化导致的温度动态

7、偏差值，见表1;(4)手动调节大N2流量，从25L/min,减少到23L/min,记录流量调节前后稳定温度值和流量变化导致的温度动态偏差值，见表2,表中Zonel为炉尾,Zone2是炉中尾，Zone3为炉中,Zone4是炉中口，Zone5为炉口。从表1和表2的数据可看出，气流量由25L/min向27L/min变化，炉尾温度降低1°C,炉口温度无变化,气流量山251〃min减少到23L/min,炉尾温度升高1°C,炉口温度降低1°C。