浅析ESD防护与ESD防护器件

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1、浅析ESD防护与ESD防护器件技术分类：模拟设计

2、2008-04-09作者：电子产品世界口常生活屮，ESD(Electro-StaticDischarge,静电放41)对于我们来说是种常见的现象，然而对电子产品而言，ESD往往是致命的一一它可能导致元器件内部线路受损，直接影响产品的正常使用寿命，甚至造成产品的损坏。因此，ESD防护一直以来都是工程师们的工作重点。对于刚开始职业生涯的电子工程师而言，在掌握专业技能之前通常都要接受一些ESD相关知识的培训，足见ESD防护的地位与重要性。图1电子显微镜下1C内部损毁的照片一般，ESD保护一般通过两

3、种途径来实现，第一种方法是避免ESD的发生；第二种方法则是通过片内或片外集成内部保护电路或专用ESD保护器件，从而避免ESD发生后将被保护器件损坏。避免ESD的发生避免ESD发生的方法多出现于产品交付客户以前，即研发、生产等过程。因为在这些阶段，1C、电路板等静电敏感器件可能裸露在外(如生产工过程屮的SMT制程)，1C因ESD而损坏的可能远大于有外壳保护的成品。表1儿种不同类型器件的静电敏感程度堆件冲类爭件冲类CMOS2S0-3OOOBJT3X(>e7OO(lSvhottkxdi

4、-2

5、S<>0一般而言，避免ESD的方法可分为以下几类:Surround（包围）：静电敏感元器件都以抗静电材料包装，或使用有盖的抗静电容器储放；而在静电敏感区域（如SMT制程）工作的人员，则还要穿着静电服。Ground（接地）：将工作环境屮的人员及设备通过不同的地线接地；Impound（排除）：排除所有工作区域内的非抗静电材质；此外，可在对静电极为敏感工作站位增加离子风扇以屮和产品表面所带静电。j的枷（图2使用离子风扇并将静电桌布接地以避免ESD另一方而，湿度亦是一个重要的考量因素。适宜的湿度可降低ESD发生的机率。（见表2）这也是电子制造厂为何

6、多在南方建厂的原因之一。表2湿度对于ESD的影响产生源湿度10-20°o湿度65-90°o走过地毯35.000伏1.500伏走过粗帆布12.000伏250伏在H作台工作6.000伏100伏塑胶套中的纸张7.000伏600伏拿起一只塑胶套20.000伏1200伏布套椅子1SQ00伏1.500伏ESD保护器件与保护电路虽然上述避免ESD发生的方法有着很理想的效果，不过对于终端用户显然不太适合一一举例来说，我们不可能在使用手机之前先戴上静电手环，通话结束后将手机放到静电袋屮以避免ESD。事实上，由于用户鲜有机会接触到产品内部的元器件及电路板，因此

7、也不需要如此严格的ESD防护措施，但这并不意味着ESD的问题不存在一一首先，ESD可以输入/输出连接器（如USB接口、充电器接口、SIM卡插槽等）为路径进入电路中的各种元件；其次,随着电子产品，特别是消费电子产品向着轻薄化发展，导致内部IC的外形尺寸不断减小，其自身ESD防护能力亦不断减弱。所以，工程师在设计时通常加入ESD保护器件，而很多1C内部也有片上ESD保护电路。图3在用户端，ESD可能由电子设备的各种接口进入，并对内部芯片造成损伤片上ESD保护电路相信所有人都希望ESD防护能完全地集成到TC芯片内部，因为这样会节省的板级空间，减少

8、系统成本并降低设计与布线的复杂度。但从目前情况来看，前景并不乐观。如今，IC制程工艺的进步成了片上ESD保护的一大难题。一方面，工艺的进步虽提升TC的性能与集成度并降低功耗与尺寸，但由于栅极氧化层厚度越来越薄，IC自身的ESD防护能力反而降低。另一方面，随着IC尺寸的不断减小，由于受到空间的限制，因此保护能力有限。□■WffflICKVESOfVr图4随着IC面积的不断减小，很难在IC屮集成ESD保护电路（资料来源：女森美半导体）ESD保护器件由于片上ESD保护电路能力有限，为保证整个系统有较好的ESD防护能力，外部ESD保护器件是必不可少

9、的。比较常见的有陶瓷电容、齐纳二极管、肖特基二极管、MLV（Multi-LayerVaristor,多层变阻器）和TVS（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）。MLV是一种基于ZnO压敏陶瓷材料，采用特殊的制造和处理工艺而制得的尚性能电路保护元件，其伏安特性符合I二kVa,能够为受保护电路提供双向瞬态过压保扩・MLV的工作原理是利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。目前，MLV在很多领域得到了广泛的应用，如手机、机顶盒

10、、复印机等等。图5MLV的内部结构示意图