RDPHS手机(X平台)射频基础知识

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时间:2019-11-09

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1、PHS手机(X平台)射频部分基础知识1内容纲要1.PHS手机的几个概念2.PHS手机射频部分的框图3.PHS手机射频器件的组成及其性能4.PHS手机的主要射频技术指标5.PHS手机天线电气性能要求6.PHS手机射频性能的测量7.PHS手机射频的环境试验21.PHS手机的几个概念PHS使用多载波TDMA-TDD无线接入方式,双工方式是TDD。(2.4.1)每个信道300kHz。每个ARFCN分为8个时隙。语音编码(CODEC)是32KBit/sADPCM传输率为384KBit/s时隙结构(2.4.3)PHS的调制方式是л/4shif

2、tQPSK。(3.3.1.2)信道号:251~255,1~82(常用信道:18-66CH)。频率覆盖范围:1893.65~1919.45MHz。(3.4.1)32.PHS手机射频部分的框图43.PHS手机射频器件的组成及其性能主要器件:前端芯片(开关+PA+LNA)收发芯片(Transceiver,集成了PLL)压控振荡器(VCO)声表滤波器(SawFilter)温补晶振(TCXO)53.1公用器件(1)1)前端介质滤波器在LNA之前的前端滤波器的插入损耗必须要小,否则会影响接收机的灵敏度,插损1dB~1.4dB。目前使用的器件有

3、:松下的AM57S、soshin的MDR749。2)前端开关+PA+LNA模块采用了日本SONY的CXG1051AFN,它集成了一个Switch+PA+LNA+1stmix,发射时它对功率进行放大,接收时它对信号进行放大和变频。发射时增益为39dB,接收时LNA加变频的增益为20.5dB。63.1公用器件(2)3)收发芯片(Transceiver)收发主芯片采用日本松下公司的AN6591FJM。它集成了二个PLL、л/4shiftQPSK调制器、第二下变频器和限幅放大器等。4)晶振晶振的输出频率为19.2MHz,幅度为1.0Vp-

4、p,频率稳定度±3PPM,无需压控端。目前使用的器件是:京瓷的KT18,KSS的208C5。73.2接收支路专用器件1)第一中频滤波器(声表滤波器)次级滤波器(在LNA之后的滤波器,中心频率243.95MHz。)的插入损耗可以稍大,达到4.0dB。但带外抑制度一定要好。偏离中心频率为1.2MHz处的隔离达40dB以上。目前使用器件:京瓷的PAFC243A,KSS的LSFB19。2)第二中频滤波器(陶瓷介质滤波器)第二中频滤波器为陶瓷介质滤波器,中心频率10.8MHz,带宽200KHz,插损为5~6dB。使用器件:村田的SFECS1

5、0M8PF00。83.3发射支路专用器件1)后端介质滤波器插入损耗可以稍大(可达到2.5dB),但带外抑制度一定要好(1660MHz处达到40dB),用于滤除在主芯片里调制和放大所产生的杂波。目前使用器件:Soshin的MDR706、松下的BM56S。93.4锁相环路及使用器件手机的锁相环电路为手机提供上、下变频的本振信号,其中鉴相电路在AN6591中实现,VCO、滤波电路外加。其中一本振频率为1650MHz~1686MHz,锁相时间为600us左右,二本振频率固定为233.15MHz,其锁相时间为600us左右。使用器件有:松下

6、的VCO(ENF-VK1),maruwa的VCO(MVF-1668-27-C1433),飞利浦的高频三极管(BFR92AW),东芝的变容管(HUV355B)。103.5其它重要器件1)开关管用于收发时隙切换。使用器件:VISHAY的Si1917EDH,ROHM的UMG2N。2)LDO给其它器件供电。使用器件:理光的R1111N301B、321B,TI的TPS79333DBVR。114.PHS手机的射频技术指标(1)1)手机的发射功率(Transmissionoutput):当手机处于发射状态(Burst)下,在手机天线端口的输出功

7、率电平。单位用mW表示。指标标称值:10mW。2)邻道功率(Adjacentchannelpower):邻道功率是指手机工作于发射状态(Burst)下,以距离中心频率fKHz的频率点为中心的96KHz带宽内,0.625ms内的平均功率。其单位用nW表示。针对PHS手机,其邻道功率应在中心频率的600KHz处,900KHz处测试。指标要求:±600kHz处≤800nW(-31dBm)±900kHz处≤250nW(-36dBm)124.PHS手机的射频技术指标(2)3)突发的时间响应特性(Transientresponsech

8、aracteristicsofbursttransmission):手机在发射时隙的开/关瞬间,发射功率从80nW到到载波功率完全打开,或从开始关闭载波到发射功率降为80nW的过程中所占用的时间。指标要求:上升沿:≤13us;下降沿:≤13us。4

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