2019-2020年高考物理 电磁感应中的动力学和能量问题复习学案

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1、2019-2020年高考物理电磁感应中的动力学和能量问题复习学案一、概念规律题组1.如图1所示,图1固定在水平绝缘平面上且足够长的金属导轨不计电阻,但表面粗糙,导轨左端连接一个电阻R,质量为m的金属棒(电阻也不计)放在导轨上并与导轨垂直,整个装置放在匀强磁场中,磁场方向与导轨平面垂直.用水平恒力F把ab棒从静止起向右拉动的过程中,下列说法正确的是(  )A.恒力F做的功等于电路产生的电能B.恒力F和摩擦力的合力做的功等于电路中产生的电能C.克服安培力做的功等于电路中产生的电能D.恒力F和摩擦力的合力做的功等于电路中产生的电能和棒获得的动能之和图22.光

2、滑曲面与竖直平面的交线是抛物线,如图2所示,抛物线的方程为y=x2,其下半部处在一个水平方向的匀强磁场中,磁场的上边界是y=a的直线(图中的虚线所示),一个质量为m的小金属块从抛物线y=b(b>a)处以速度v沿抛物线下滑,假设抛物线足够长,则金属块在曲面上滑动的过程中产生的焦耳热总量是(  )A.mgbB.mv2C.mg(b-a)D.mg(b-a)+mv2二、思想方法题组图33.如图3所示,先后两次将同一个矩形线圈由匀强磁场中拉出,两次拉动的速度相同.第一次线圈长边与磁场边界平行,将线圈全部拉出磁场区,拉力做功W1、通过导线截面的电荷量为q1,第二次线

3、圈短边与磁场边界平行,将线圈全部拉出磁场区域,拉力做功为W2、通过导线截面的电荷量为q2,则(  )A.W1>W2,q1=q2B.W1=W2,q1>q2C.W1W2,q1>q2图44.如图4所示,电阻为R,其他电阻均可忽略,ef是一电阻可不计的水平放置的导体棒,质量为m,棒的两端分别与ab、cd保持良好接触,又能沿框架无摩擦下滑,整个装置放在与框架垂直的匀强磁场中,当导体棒ef从静止下滑经一段时间后闭合开关S,则S闭合后(  )A.导体棒ef的加速度可能大于gB.导体棒ef的加速度一定小于gC.导体棒ef最终速度随S闭合时刻

4、的不同而不同D.导体棒ef的机械能与回路内产生的电能之和一定守恒一、电磁感应中的动力学问题1.电磁感应与动力学、运动学结合的动态分析,分析方法是:导体受力运动产生感应电动势→感应电流→通电导线受安培力→合外力变化→加速度变化→速度变化→感应电动势变化→……周而复始地循环,直至达到稳定状态.2.分析动力学问题的步骤(1)用电磁感应定律和楞次定律、右手定则确定感应电动势的大小和方向.(2)应用闭合电路欧姆定律求出电路中感应电流的大小.(3)分析研究导体受力情况,特别要注意安培力方向的确定.(4)列出动力学方程或平衡方程求解.3.两种状态处理(1)导体处于平

5、衡态——静止或匀速直线运动状态.处理方法:根据平衡条件——合外力等于零,列式分析.(2)导体处于非平衡态——加速度不为零.处理方法:根据牛顿第二定律进行动态分析或结合功能关系分析.图5【例1】如图5甲所示,两根足够长的直金属导轨MN、PQ平行放置在倾角为θ的绝缘斜面上,两导轨间距为L.M、P两点间接有阻值为R的电阻.一根质量为m的均匀直金属杆ab放在两导轨上,并与导轨垂直.整套装置处于磁感应强度为B的匀强磁场中,磁场方向垂直斜面向下.导轨和金属杆的电阻可忽略.让ab杆沿导轨由静止开始下滑,导轨和金属杆接触良好,不计它们之间的摩擦.(1)由b向a方向看到

6、的装置如图乙所示,请在此图中画出ab杆下滑过程中某时刻的受力示意图.(2)在加速下滑过程中,当ab杆的速度大小为v时,求此时ab杆中的电流及其加速度的大小.(3)求在下滑过程中,ab杆可以达到的速度最大值.[规范思维]二、电磁感应中的能量问题1.电磁感应过程的实质是不同形式的能量转化的过程.电磁感应过程中产生的感应电流在磁场中必定受到安培力作用,因此要维持感应电流存在,必须有“外力”克服安培力做功.此过程中,其他形式的能转化为电能,“外力”克服安培力做多少功,就有多少其他形式的能转化为电能;当感应电流通过用电器时,电能又转化为其他形式的能.可以简化为下

7、列形式:同理,安培力做功的过程,是电能转化为其他形式的能的过程,安培力做多少功就有多少电能转化为其他形式的能.2.电能求解的思路主要有三种(1)利用克服安培力做功求解:电磁感应中产生的电能等于克服安培力所做的功;(2)利用能量守恒求解:机械能的减少量等于产生的电能;(3)利用电路特征求解:通过电路中所产生的电能来计算.图6【例2】如图6所示,两根足够长的平行导轨处在与水平方向成θ=37°角的斜面上,导轨电阻不计,间距L=0.3m,导轨两端各接一个阻值R0=2Ω的电阻;在斜面上加有磁感应强度B=1T、方向垂直于导轨平面的匀强磁场.一质量为m=1kg、电阻

8、r=2Ω的金属棒横跨在平行导轨间,棒与导轨间的动摩擦因数μ=0.5.金属棒以平行于导轨向上、v

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