2019年高中化学 第一节 第2课时 硅酸盐和硅单质同步课时检测 新人教版必修1

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1、2019年高中化学第一节第2课时硅酸盐和硅单质同步课时检测新人教版必修11．在制玻璃、制水泥两种工业生产中，都需要原料(　　)A．纯碱　　　　　　　　　B．石灰石C．石英D．黏土解析：这是一道硅酸工业中理论联系实际问题的试题，解答本题时应熟悉生产玻璃、水泥产品的原料情况。制玻璃的原料是纯碱、石灰石和石英；制水泥的原料是石灰石、黏土等等。相互对比后可知B项为正确答案。答案：B2．下列关于水玻璃的性质和用途的叙述中不正确的是(　　)A．这是一种矿物胶，既不燃烧也不受腐蚀B．在建筑工业上可以作黏合剂、耐酸水泥掺料C．木材、织物浸过水玻璃后具有防腐性能且不易燃

2、烧D．水玻璃的化学性质稳定，在空气中不易变质解析：硅酸盐是矿物，硅酸钠的水溶液是水玻璃，其不燃烧也不受腐蚀，故A项正确；水玻璃是粘性的物质，在建筑工业上，可用做粘合剂、耐酸水泥渗料，故B项正确；水玻璃是硅酸钠的水溶液，不燃烧也不受腐蚀，木材、织物浸过水玻璃后，具有防腐蚀性能且不易着火，故C项正确；水玻璃能与空气中二氧化碳反应生成硅酸，性质不稳定，故D项错误。答案：D3．现有硅酸钠、石灰石、二氧化硅三种白色粉末，只用一种试剂就可以将它们鉴别开，该试剂是(　　)A．纯水B．盐酸C．硝酸银溶液D．碳酸钠溶液解析：加入水，石灰石和二氧化硅都不溶于水，不能鉴别，

3、故A项错误；加入盐酸，硫酸钠溶解，无明显现象，石灰石溶解，生成气体，二氧化硅不反应，溶液中有沉淀，现象不同，可鉴别，故B项正确；加入硝酸银溶液，溶液中都有沉淀，不能鉴别，故C项错误；加入碳酸钠，与三种物质都不反应，不能鉴别石灰石和二氧化硅，故D项错误。答案：B4．下列材料中含有硅元素的是(　　)①水泥　②玻璃　③陶瓷　④计算机芯片　⑤压电材料⑥光缆A．①②③④⑤⑥B．①③⑤C．①②④D．④⑤⑥答案：A5．产自青海的昆仑玉是制工艺品的原料，昆仑玉的成分可简单看成是Ca2Mg5Si8O22(OH)2，则用二氧化硅和金属氧化物的形式可表示为(　　)A．CaO

4、·MgO·SiO2·H2OB．2CaO·5MgO·8SiO2·H2OC．2CaO·MgO·SiO2·2H2OD．5CaO·2MgO·8SiO2·H2O解析：硅酸盐改写成氧化物的形式为：活泼金属氧化物·较活泼金属氧化物·SiO2·H2O，同时要遵循原子守恒。答案：B6．下列有关Na2CO3溶液、Na2SiO3溶液的共同点的描述中不正确的是(　　)A．水溶液均显碱性B．滴入盐酸均有气泡产生C．均能与CO2反应D．均不能用带磨口玻璃塞的试剂瓶保存解析：Na2SiO3与盐酸反应生成H2SiO3，不能放出气泡，故B项不正确。答案：B7．(双选题)下列反应的离子方

5、程式中，正确的是(　　)A．二氧化硅跟氢氟酸反应：SiO2＋4H＋===Si4＋＋2H2OB．二氧化硅跟氢氧化钾溶液反应：SiO2＋2OH－===SiO＋H2OC．硅酸钠溶液中滴入盐酸：SiO＋2H＋===H2SiO3↓D．碳酸钡中滴加稀硝酸：CO＋2H＋===H2O＋CO2↑解析：HF是弱酸，应写成分子形式，生成的SiF4是气体，应保留化学式，故A项错误；BaCO3难溶，应写化学式，故D项错误。答案：BC8．填写下列表格，以除去各粉末状混合物中的杂质(括号内为杂质)。欲除杂质的物质所加试剂主要操作化学反应方程式SiO2(CaCO3)CaCO3(SiO

6、2)Si(SiO2)SiO2(H2SiO3)SiO2(Na2SiO3)答案：盐酸过滤Ca2CO3＋2HCl===CO2↑＋H2O＋2CaCl2NaOH溶液过滤SiO2＋2NaOH===Na2SiO3＋H2OH2高温SiO2＋2H2Si＋2H2O——加热H2SiO3SiO2＋H2O水溶解、过滤——9．从石英砂制取高纯硅的主要化学反应如下：①SiO2＋2CSi(粗)＋2CO↑②Si(粗)＋2Cl2SiCl4③SiCl4＋2H2Si(纯)＋4HCl关于上述反应的分析不正确的是(　　)A．①、③是置换反应，②是化合反应B．高温下，焦炭与氢气的还原性均强于硅C．

7、任一反应中，每消耗或生成28g硅，均转移4mol电子D．高温下将石英砂、焦炭、氯气、氢气按一定比例混合可得高纯硅解析：①、③是一种单质和一种化合物反应生成另一种单质和另一种化合物的反应，属于置换反应，②是化合反应，故A项正确；氧化还原反应中，还原剂的还原性大于还原产物的还原性，①、③反应可说明焦炭与氢气的还原性均强于硅，故B项正确；Si原子核外最外层有4个电子，一般表现为＋4价，所以任一反应中，每消耗或生成28g硅，均转移4mol电子，故C项正确；高温下将石英砂、焦炭、氯气、氢气按一定比例混合，石英砂、焦炭反应生成粗硅，氯气、氢气反应生成HCl，故D项

8、错误。答案：D10．某化学兴趣小组模拟工业上用SiHCl3与过量H2在1000～1100℃下制