印刷电路基础

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1、印^電路板基礎製程•顯像(教育訓練參考講義)(Pvelop)•蝕刻(Etch)•去膜(墨)(Strip)•剝錫鉛(StripSn-Pb)•微蝕(MicroEtch)•硫酸酸洗(ChemicalRinse)※本文件爲印刷電路板基礎製程訓練教程屬重要在職之個人工作資料•請妥爲保存及參考使用.曹克武編輯於(深圳)亞智科技2005年4月1日顯像(Develop)操作參數♦顯像液：1.0±0.2wt%2283(碳酸銅)溶液♦顯像溫度：30±2°C♦顯像時間：45〜50sec♦顯像時間：1.0〜2.0kg/cm2※以

2、上操作參數會因客戶使用之乾膜品牌，种類與厚度的不同而有些許差異.目的/功能藉含有碳酸^(Na2CO3)的顯像液之沖洗，將線路以外未感光硬化的乾腫或油墨溶解去除.注意事項(1)泡沫的消除•(2)顯像點鐘(BreakPoint)的槪念•(3)噴嘴阻塞•(4)pH控制器•(5)顯響顯像速度及顯像品質的重耍因素・(6)過濾器・(7)水洗•(8)氯化銅測試•酸性蝕刻槪述操作參數蝕刻液：氯化銅（CUC12）溶液酸鹽（HCD雙氧水（H2O2）■蝕刻溫度:50±2°C蝕刻時間:90sec（1oz銅箔蝕刻）■蝕刻噴壓:1.

3、0〜3.0kg/cm2（分區獨立可調）※以上操作參數會因客戶使用之乾膜品牌，種類與厚度及基板型式•••的不同而冇些許差異・目的/功能以酸性蝕刻液（氯化銅或氯化鐵系）將銅箔基板上未覆蓋蝕刻阻劑之銅面全部溶蝕掉，僅剩被硬化的油墨或感光阻劑保護的銅線路・（A）氯化銅（CuClJ酸性化學反應氯化銅的蝕刻化學反應方式是如何進行的呢?它是利用氯化銅溶液屮的二價銅離子,當在反應時會先將板面上的銅原子氧化成以一價銅存在的氯化亞銅,但因氯化亞銅本身不易被分解，會造成槽液發生沉澱淤泥現象•所以適量的控制如何添加雙氧水及鹽酸，

4、使其蝕刻反應的變化有益於二價銅,才是最重要的，其操作反應如下：Cu（銅）+CuCb（氯化銅）-2CuCl（氯化亞銅）（1）2CuCl+2HCl+H2O2f2C11CI2H2O2（2）當在作業時，爲了維持蝕刻的咬蝕速率及長效性的穩定,則必須適時的定量補充添加鹽酸或雙氧水到槽液中，才能保持再生反應式（2）中價銅（氯化亞銅）注二價銅（氯化銅）的反應能力,否則將公造成槽液屮因過多亞銅離子存在，發生沉澱淤泥的困擾;使行蝕刻的反應停擺，一般都裝置AQUA氯化銅再生系統（取HCL/H2O2/S.G/溫度的取樣値作即時分

5、析與監控）,進行槽液管理•而且當銅含量太高時,也需要做部分槽液的排放，再來補充鹽酸,以利蝕刻作業的正常運作.(B)氯化鐵(Fecb)酸性蝕刻化學反應蝕刻：Cu+FeCh—CuCl+FeCl2FeCh+CuClC11CI2+FcCbCu+CuCbf2CuCl再生：(1)與空氣中的氧再生反應：2CuC1+2HC1+1/2O2^2CuC12+H2O2FeCb+2HCl+1/202—2FeCh+H2O(2)與氯酸鹽(MClOx),鹽酸(HC1)再生反應：6FeCl2+MClOx+6HC1^6FeC13+aMCl+

6、bH2OCuCl+MClOx+6HClfCuCl2+aMCl+bH2O>氯化鐵蝕刻溶液的密度，黏度及流動性均會影響細線化的蝕刻，加水稀釋用以控製蝕刻的比重値.>氯化鐵加水會產生難溶解及沉澱物-…氫氧化鐵〔Fe(OH)s〕，會導致蝕刻能力的降低，爲了抑制加水分解，防止發生沉澱物,在蝕刻進行中，控制供給適量的鹽(HC1)是必耍的.FeCb+3H2。〜3HCl+Fe(OH)3>一般蝕刻新液(FeCb,3.25mol/L,Be0=420)批狀態密度，黏度及成本方面均太高•故有加水稀釋的必要，實驗結果氯化鐵的濃度於

7、2mol/L,比重1.300時蝕刻速率爲最快速.>使用N&C1O3再生FeCh作業之優點：(1)可以直接線上再生作業,不影響產能.(2)提高銅的蝕刻含量至80g/l左右.(傳統型只有30〜40g/l)(3)換槽頻率大幅減少及延長槽液壽命.(4)利用再生控制器直接線上偵測比重，酸度及ORP的變化即時修正，使蝕刻速率更穩定.(5)沉澱物少，可減少生產線設備的摩耗與故障.(6)提高FeCb的使用效率進而降低成本(7)蝕刻產速較快，約可以增加產能10%-20%.(8)Undercut較小，相對EtchingFac

8、tor較大.七.氯化鐵(Fecl3)酸性蝕刻操作範圜條件因子操作範圍銅含量50~80g/LFe2+3~20g/LFe3+130〜180g/L酸度(N)0.6N〜ION氧化還原電位550±50mv槽液溫度48~52°C鹼性蝕刻槪述◎前言鹼性蝕刻液應用於印刷電路板的製造上爲一種高效率的鹼性蝕刻劑，這種含氨蝕刻液，加上催化劑及50°C控制下，蝕銅的速率約2.8〜3.0mil/min，在沒有污泥時，含銅量可達153〜17001•不管是