模拟电子学基础A卷

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1、题号—-二三四五六七八九十总分得分一、填空题：（每空1分，共20分）1•当环境温度升高时，三极管的电流放大倍数B,穿透电源Iceo，当Ib不变时，发射结正向压降IUbEI。2•当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变；当PN结加反偏电压时,结区宽度将变o3.单级共射放大电路产生截止失真的原因是；产生饱和失真的原因是;若两种失真同时产生，其原因是。4.单级阻容耦合共射放大电路的屮频电压增益为-100,当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益,其输出与输入信号的相位差为o5•差分放大电路对信号有放大作用,对信号有抑制作用。6.引用负反

2、馈的放大电路，无反馈时增益A,闭坏增益Af与反馈系数F三者的关系为,反馈深度是,深度负反馈的条件是o7.在交流放大电路中，引用直流负反馈的作用是；引用交流负反馈的作用是o&在三极管多级放大电路中，已知4终=30,皿2=-20,皿3~1，A旳是放大器，Aw是放大器，人冷是放大器。二、选择题（每小题2分，共10分）1.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、・10V和・9.3V,则该管为（）。A、NPN硅管。B、NPN错管。C、PNP硅管。D、PNP错管。2.电路如图，若不慎将旁路电容Ce断开，则将（）。A、不仅影响静态工作

3、点，而且也影响电压增益。B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。C、不影响静态工作点，只影响电压增益。D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。1.某场效应管的转移特性如图，则该管是（）。>Ugs(V)io（mA）a、P沟道增强型MOSFETo2--Q"0由爲象乂粵考试试卷考试课程：模拟电子学基础班级：专业：电信类各专业学生姓名：B、P沟道JFET。C、N沟道增强型MOSFEToD、N沟道耗尽型MOSFETo2.在互补对称功率放大电路中，引起交越失真的原因是（）0A、输入信号过大。B、晶体管B值太大。C、电源电压太高。D、晶体管输入特

4、性的非线性。3.负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）。A、输入信号中所包含的干扰和噪声。B、反馈闭环内的干扰的噪声。C、反馈闭环外的干扰和噪声。D、输出信号中的干扰和噪声。三、判断题：（每小题2分，共10分）1.N型半导体的多数载流子是电子，所以N型半导体带负电。（）2.育接耦合的多级放大电路的Q点相互影响，它只能放大肓流信号。（）3.不考虑隔直电容的影响时，将它短路；而不考虑极间电容的影响时，将它开路。（）4.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）5.在功率放大电路，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）四、放大电路如

5、图所示。图中各电容对交流信号均可视为短路。试画出其微变等效电路。写出电压增益几和输入电阻R及输出电阻R。的表达式。（共20分）考试试卷考试课程：模拟电子学基础班级:专业：电信类各专业学生姓名:五、反馈放大电路如图所示。（共20分）（1）判断电路级间引入了哪种组态的交流负反馈？（2）估算在深度负反馈条件下的电压放大倍数如二“）/□=?考试试卷考试课程：模拟电子学基础班级:专业：电信类各专业学生姓名:六、如图所示差动放大电路中，已知B二80,rhe=2k^o（共10分）（1）求输入电阻Ri和输出电阻Ro;（2）求差模放大倍数Au（lc七

6、、单电源功放电路如图所示，管子饱和压降为1.2V,输出最大功率为4.8W,试求：（1）电源Vcc的最小值应为何值（取整数）？考试试卷考试课程：模拟电子学基础班级:专业：电信类各专业学生姓名:（2）确定电源Vcc以后，该电路的效率。（共10分）