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1、微光刻与微/纳米加工技术陈宝钦(中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室,北京100029)摘要:介绍了微电子技术的关键工艺技术微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹
2、配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20~50nmCMOS器件和100nmHEMT器件。关键词:微光刻技术;微纳米加工技术;分辨率增强技术;下一代光刻技术;可制造性设计中图分类号:TN305.6;TN305.7;TN405文献标识码:A文章编号:1671-4776(2011)01-0001-05MicroLithographyandMicro/NanoFabricationTechnologiesChenBaoqin(MicroProcessing&NanoTechnologyLaboratory,InstituteofMi
3、croelectronics(IMECAS),ChineseAcademyofSciences,Beijing100029,China)Abstract:Thekeytechnologiesofthemicroelectronicsprocess,microlithographyandmicro/nanofabricationareintroduced.Thedevelopmenthistoryandstatusofthemicrolihograpyandmicro/nanofabricationinChinaarereviewed.The
4、challengesandkeytechnologiesinthemicrolithographyarediscussed.Theproblemsoftheopticalresolutionenhancementtechnology(RET),nextgenerationlithography(NGL),designformanufacturing(DFM)technologies,nanostructureandnanoCMOSfabricationprocesstechniquesandsoonareintroduced.TheIME
5、CAShasrealizednanostructuresofsubwavelengthbyRETinthelithography,andhasachieved20-50nmgateCMOStransistorsand100nmgateHEMTssuccessfullybytheapplicationofthemix&matchtechniquebetweenopticalandelectronbeamlithographiesandthenanofabricationprocess.Keywords:microlithography;mi
6、croandnanofabricationtechnology;resolutionenhancementtechnology(RET);nextgenerationlithography(NGL);designformanufacturability(DFM)DOI:10.3969/j.issn.1671-4776.2011.01.001EEACC:2550G收稿日期:2010-09-08基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B102009
7、0022)Email:chenbq@ime.ac.cn2011年1月微纳电子技术第48卷第1期1陈宝钦:微光刻与微/纳米加工技术松掩模误差因素控制技术(maskerrorfactor,[1-2]0引言MEF)和光刻分辨率增强技术(resolutionen自从1958年美国德克萨斯公司试制了世界上hancementtechnology,RET)的开发和研究。目第一块平面集成电路开始算起,在短短的50年中,前应用于生产的光学光刻技术的极限已进入纳米加微电子技术以令世人震惊
8、的速度突飞猛进地发展,工时代,45nm工艺已经量产,32nm的量产光刻创造了人间奇迹,而且仍处在方兴未艾的急速发展技术及其
