高性能PWM型DCDC升压变换器研究

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1、第!"卷第#期固体电子学研究与进展1234!"5624#!$$"年%月&’(’)&*+,-&./&’((.0((’)8945!$$"7777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777!!!!!!"!"!"硅微电子学!!!!!!"高性能#$%型&’(&’升压变换器研究)余华*+,邹雪城*陈朝阳*-*华中科技大学电子科学与技术系+武汉+./001.2-,武汉船舶职业技术学院电子系+武汉+./00302,0034**40,收稿+,00540*405收改稿摘要6设计了一种单片集成789型电流模式升压变换器+芯片内

2、部集成了耐压,,:的;9<=功率开关管+开关频率为*>59?@+采用*>3ABCD;工艺实现E芯片具有很宽的输入电压-,>1F*.:2G高效率-H3I2G低关断电流G快速暂态响应和低功耗等特性+适宜于用作便携式设备的电源管理+也可作为J7核+嵌入同种工艺下的其它芯片E文中除了对芯片设计方法G思路及主要电路模块结构的设计方案进行讨论外+还提出了减小单片集成开关电源噪声的措施E关键词6直流4直流K升压变换器K电流模式K脉宽调制K开关噪声中图分类号6LM.//文献标识码6N文章编号6*0004/H*O-,00520/4.,0405PQRQSTUVWXSYZ[V#QTXWT]S^UQ#$%&’

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16、3him65m67d:9g5mJjd88373mj7m8g43kjBg7im84dj84higBd73hm>7igBd3jhg99h36hc37Bm8c9g4+7i345d5g6d94m5c7>m66g8ch3jk4<37hi3jkjm34gmjBmjm937i3h4<37hi3jk5mAQBCWTDR6&’(&’K2WWRUW^‘QTQTKUETTQ^]WDQKFEGRQCZDV]WDEGSZW^K

17、RCZUVZ^[^WZRQHH1’’6*,O0产品中+如手机G个人数字助理-7;N2G笔记本电脑*引言等E为了满足这种需求+将功率开关管及控制电路集;D4;D变换器已广泛应用于各种便携式电子成在一起的单片集成开关电源就具有广阔的发展前)基金项目6国家自然科学基金项目-Mm4>O0,010,02l4Bd396incIhmBKncicdic47I43jd>hmBI期余华等M高性能;B7型.-6.-升压变换器研究W&%景!由于采用了单片集成"以致芯片外所需外部器件<0D为电压输入端C9E.F为使能端C?,为反馈输得以减少"开关电源的功率密度得到了显著提高"同入端C8GA为电压输出

18、端CHF.为接地端!芯片由时外部器件的寄生效应也显著减少"更适宜于在高带隙电路#误差放大器#关断电路#;B7比较器#振频和噪声敏感场所应用!但是"因为控制电路和功率荡电路#控制逻辑电路及驱动电路等组成!模拟控制开关管都集成在芯片内部"如何设计控制电路和功电路部分主要采用,012345或-789"数字电路部分率开关管都集成在芯片内部"使电源在较宽的输入#采用-789"高压管采用.789工艺实现"开关功率输出电压范围内具有良好的稳定性"