微流控芯片的制作

微流控芯片的制作

ID:46901787

大小:91.00 KB

页数:9页

时间:2019-11-29

微流控芯片的制作_第1页
微流控芯片的制作_第2页
微流控芯片的制作_第3页
微流控芯片的制作_第4页
微流控芯片的制作_第5页
资源描述:

《微流控芯片的制作》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、PDMS-玻璃杂合芯片快速制作方法详解(初稿)前言本文以实战制作高度15~80µm的通道为例,详细介绍的PDMS-玻璃杂合芯片的快速制作方法。注意:进入芯片加工间需穿实验服,进行芯片制作时需带上无粉乳胶手套。目录一、快速制作SU-8阳模步骤:1.硅片清洗2.基片加热除湿3.倒胶匀胶4.SU-8基片前烘5.SU-8基片曝光6.SU-8基片后烘7.显影8.坚模二、制作PDMS玻璃杂合芯片步骤1.制备PDMS预聚体2.除去PDMS预聚体中的气泡3.倒胶及PDMS预聚体固化4.揭模,切边,打孔5.键合6.粘蓄液池(可选)三、PDMS-玻璃杂合芯片制作中其他相关细节详

2、解一、快速制作SU-8阳模步骤:一、硅片清洗1.丙酮清洗目的:去除或软化硅片表面有机物操作:带上一次性PE手套。硅片用玻璃棒隔开,将丙酮倒入烧杯,液面高于硅片顶端所在平面2cm左右,然后放入超声机,超声40分钟左右(对于旧硅片,可以升温超声,时间也可适当延长);丙酮清洗后,将丙酮小心倒入装丙酮的空瓶,标明“回收”。2、浓硫酸清洗目的:去除硅片表面的无机物和有机物操作:带上乳胶手套,再带上一次性EP手套,穿实验服。丙酮清洗过的硅片,先用自来水多涮洗几次,9较彻底地去除残余丙酮,避免硫酸和丙酮反应;然后将双氧水倒入烧杯至目标体积的1/4。然后将烧杯移至合成间的通

3、风厨,小心缓慢将浓硫酸倒入烧杯至目标体积,之后在烧杯上盖上一个玻璃培养皿以减少酸雾的挥发。3个小时后,浓硫酸与双氧水反应基本结束,将烧杯移至超声机(注意作上浓硫酸的标记以避免别人误伤)超声30min左右,即可将浓硫酸回收。硫酸回收,一定要倒入装硫酸的瓶子,若没有,可用装过乙醇或丙酮的瓶子,但一定要多用自来水多清洗几次,以避免硫酸与之反应,发生安全事故。将硫酸倒出时,注意倾倒角度,避免烧杯内的硅片和玻璃棒滑落。(此步相对较危险,一定要注意安全。)3.去离子水清洗(18.2)目的:清除浓硫酸和硅片表面一些残余小颗粒操作:带上一次性PE手套。将倒出硫酸后的硅片,先

4、用去离子水清洗两遍,再用去离子水超声5遍,每遍20min。二.基片加热除湿(1)目的:基片加热除湿有利于增加基片和SU-8阳模之间的粘附力(2)仪器工具:热平板:加温氮气枪:吹去基片表面水份和灰尘镊子:夹持基片玻璃培养皿(3)步骤描述:从烧杯中取出硅片,用氮气枪吹干表面,然后放在热平板上加热除湿。此步使用程序一,即150加热1h后降至常温。此步估计为2小时完成。程序ⅠStep1:目标温度150℃。Step2:目标温度28℃,降温速度450℃/h。安全注意:热平板温度较高,不要将手碰到热平板以免将手烫伤2.倒胶匀胶(1)目的:在基片上铺上一层目标厚度的SU-8

5、胶(2)仪器工具:KW型匀胶机:匀胶SU-8胶瓶滴管:用于停止胶的流出氮气枪:吹去基片表面灰尘镊子:夹持基片(3)步骤描述:当基片冷却后,取SU-8胶瓶向基片中心倒胶1-2ml,用滴管止倒。9将SU-8胶瓶盖好后收入柜子中。将带有SU-8的基片放到匀胶机的载物台上,让胶的中心位于载物台圆的中心,静置3min左右,让胶先自然辅开,。打开电源开关,按“控制”键,打开真空泵开关,然后按“吸片”键和“启动”键。匀胶分为初匀和终匀,初匀的作用是将胶铺到整块基片上,终匀的作用是获取铺有目标厚度SU-8。初匀的速度和时间由“Ⅰ档转速”和“Ⅰ速匀胶时间”控制,终匀的速度和时

6、间由“Ⅱ档转速”和“Ⅱ速匀胶时间”控制。通常情况下,初匀两次即可将胶铺满整块基片,终匀的时间为60s。程序可以如下设置:Step1:Ⅰ档转速:600rpmⅠ速匀胶时间:18sⅡ档转速:2100rpmⅡ速匀胶时间:0sStep2:Ⅰ档转速:800rpmⅠ速匀胶时间:18sⅡ档转速:2100rpmⅡ速匀胶时间:60s(此转速大概对应30um厚度的阳模)匀胶结束后,先后按上“吸片”和“控制”键,然后关闭真空泵开关和匀胶机开关。将基片从载物台上取下。三.SU-8基片前烘(注意区分胶是哪一种,时间温度不一样)(1)目的:除去SU-8中的溶剂(2)仪器工具:热平板:加温

7、镊子玻璃培养皿(3)步骤匀胶结束后,如果热平板温度已经降至30℃或以下,将SU-8基片放到热平板上启动程序Ⅱ开始前烘。如果热平板温度还没有降至30℃,则须等温度降低后再放上热平板前烘。使用程序二。热平板温度设置如下程序Ⅱ:程序ⅡStep1:目标温度28℃,升温速度120℃/h,保持时间1h;Step2:目标温度65℃,升温速度120℃/h,保持时间15min;Step3:目标温度95℃,升温速度120℃/h,保持时间2h;Step4:目标温度28℃,降温速度120℃/h,保持时间1min。从启动前烘程序到前烘结束用,所用时间约为4.5h。(4)提前准备步骤:

8、在前烘期间打开光刻机电源开关,打开光刻机汞灯开关,进

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。