项目二学习扩晶工艺

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1、《半导体光电器件封装工艺》电子教案总主编：陈振源主编：战瑛　张逊民职业院校理论实践一体化系列教材（光电子技术专业）任务一识别芯片信息任务二扩晶工艺的学习任务三芯片的镜检项目二学习扩晶工艺任务一识别芯片信息一、芯片信息识别1、芯片的光学特性芯片的颜色、发光强度、波长等2、芯片的电学特性工作电压、工作电流等3、其他信息芯片型号、芯片等级、厂商信息、生产日期、是否符合ROHS指令等芯片信息标签二、芯片的存贮一般应该整齐存放在有氮气保护的电子干燥箱内温度应该在室内的温度，约20~30℃左右湿度不易大于40％任务二扩晶工艺的学习一、扩晶的目的扩晶也叫绷片，是将原本紧密排列在一起的芯片分开至适

2、合刺晶的距离。在手动封装工艺中，需进行扩晶操作。二、扩晶设备三、扩晶工艺过程将扩晶机的气路与电路连接好，打开扩晶机。设定机台的工作温度。待扩晶机的实际温度达到工作温度以后，打开扩晶压圈，将扩晶环内环放在托盘上。在离子风机前慢慢将芯片保护膜与芯片分离，将撕开的芯片朝上放置在托盘上，放下压圈并钩好拉钩。缓慢地按“上升”按钮，慢速将芯片扩开至所需间隔。平整地套上扩晶环外环后按“下压”按钮，待内外环完全啮合后松开。取下已经扩好的芯片，按“下降”按钮，松开压圈，取出多余的空膜片。四、扩晶技术要求芯片扩晶距离要求：芯片扩晶前芯片间距约为（200～250）μm，扩晶后芯片间距约为（800～100

3、0）μm需要绷片的芯片不宜过大，绷片后芯片不能到达边缘扩晶之前通常要进行翻膜工作任务三芯片的镜检一、芯片的分选为了保证光电产品的质量，在光电器件在做成产品前，光电器件的厂家都要对其生产的产品进行必要的筛选，通过对芯片的电、光、色、热等参数的测试，剔除废品和次品，提高产品的可靠性和一致性，这也就是常说的测试分选工艺。测试分选的方法以芯片为基础的测试分选对封装好的器件进行测试分选二、芯片的镜检芯片的镜检是使用显微镜人工剔除残片、次片等外观不符合生产规范的芯片，提高芯片的一致性。思考与练习请选择一张芯片，通过芯片后的标签来识别芯片的基本信息。芯片应该如何存放？为什么要对芯片进行扩晶操作？

4、扩晶工艺对要扩晶的芯片有什么要求？扩晶后对芯片与芯片之间间距的要求多大？扩晶工艺进行前，为什么要进行翻膜操作？扩晶过程有哪些环节会产生静电？如何避免？为什么要对生产的芯片进行镜检？半导体光电器件产业中，有哪些产品分选的方法？请说出单面电极芯片与双面电极芯片有哪些区别。