电子技术基础(1、2、5)复习题

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1、半导体二极管一、、选择1、下图中，（）二极管处于正向偏置（全部为硅管）。2V2VD-10V-11VC3V2．3VA-0.7V0VB2、杂质半导体比纯净半导体导电能力（　　）。A．强　　B．弱　　C．一样3.PN结正向偏置时（）。A．P区接电源正极，N区接电源负极B．N区接电源正极，P区接电源负极C．电源极性可以任意调换D．不接电源4.当外界温度升高时，半导体的导电能力（）。A．不变B．增加C．显著增加D．先减小后增加5.PN结的最大特点是具有（　　）。A．导电性　　　Ｂ．绝缘性　　　　Ｃ．单向导电性6.变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。A．正向运用B．反向运用C.正反向均可7、

2、PN结加正向电压时，空间电荷区将A、变窄B、基本不变C、变宽8.测量二极管（小功率）的管脚极性时，万用表的电阻档应选（）。A．R×1B．R×10C．R×100或R×1kD．R×10k9.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（）。A．正偏B．反偏C．零偏10.测量二极管反向电阻时，若用两手将两管脚捏紧，其电阻值会（）。A．变大B．先变大后变小C．变小D．不变11.2AP9表示（）。A．N型材料整流管B．N型材料稳压管C．N型材料普通管D．N型材料开关管12.二极管正反向电阻相差（）。A．越小越好B．越大越好C．无差别最好D．无要求13.加在二极管上的正向电压大

3、于死区电压，其两端电压为()。A.随所加电压增加而变大B.0.7V左右C.随所加电压增加而减小D．随所加电压增加变化不大14.用万用表R×100Ω挡来测试二极管，其中()说明管子是好的。A．正、反向电阻都为零B．正、反向电阻都为无穷大C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧15.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。A．基本正常B．击穿C．烧坏D．电流为零16.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管()。A．立即导通B．到0.3V才开始导通C．超过死区电压时才开始导通D

4、．不导通17.用于整流的二极管型号是()。A．2AP9B．2CW14CC．2CZ52BD．2CK84A18.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。A．约等于150VB．略大于150VC．等于75VD.等于300V19.交通信号灯采用的是（）管。A．发光二极管B．光电二极管C．变容二极管20.判断二极管的极性用万用表的（）挡。A．直流电压B．直流电流C．交流电流D.欧姆21、用万用表RX1K档测得某二极管的直流电阻约为500Ω，与（）。A、红表棒相连的是正极B、黑表棒相连的是正极C、不能判定，还应反向再测一次22、当环境温度升高时，二极管反向电流将（）。A、减小B、不

5、变C、增大23、电路如图所示，设二极管的正向压降VD=0.6V，则流过二极管的电流ID为（）。（A）0.775mA（B）1.31mA（C）0.55mA（D）1mA24、电路如图所示，设二极管具有理想特性，已知vi=1.0Sinωt(V)，V=2V，则输出vO的波形如图（）所示。二.判断题1.()本征半导体比杂质半导体导电能力强。2.()PN结是一种特殊的物质，一般情况下不能导电。3.()半导体具有掺杂特性。4.()PN结是利用半导体的热敏特性而形成的。5.()PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。6.()半导体随温度的升高，电阻会增大。7.()光电二极管可以将光信号转化成为电信号。

6、8.()二极管的正向电流越大二极管质量越高。9.()硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大。10.()发光二极管可以接收可见光线。11.()光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。12.()有两个电极的元件都叫二极管。13.()二极管加正向电压时一定导通。14.()二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。15.()不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3Ｖ左右。16.()二极管是线性元件。17.()一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。18.()二极管具有单向导电性。19.()当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电

7、压后，其反向电流迅速增加。20.()二极管加反向电压时一定截止。21（）在N型半导体中如果掺入足量的三价元素，可将其改型为P型半导体。22（）因N型半导体的的多子是自由电子，所以它带负电。23、（）N型半导体主要靠电子导电，P型半导体主要靠空穴导电。24、（）P型半导体中空穴是多数载流子，所以带正电。25、（）在半导体内部，只有电子能传导电流。三、填空1．N型半导体是在本征半导体中掺入价元素，其多数载流子是，少数载流子是。P型半导体是在本征半导