RFID智能读卡器电磁兼容辐射骚扰整改实例.pdf

《RFID智能读卡器电磁兼容辐射骚扰整改实例.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、RFID智能读卡器电磁兼容辐射骚扰整改实例赵波李博/江苏省计量科学研究院本实验室对某公司辐射骚扰超标的甲、乙两款试结果发现，其超标频点主要为88.5MHz，108.48RFID智能读卡器进行了噪声抑制的整治工作，取得MHz。理想的效果，现将方法介绍。2）乙1　抑制措施采用前辐射骚扰噪声近场辐射噪声如图1（b）所示，结合远场1）甲测试结果发现，其超标频点主要为88.5MHz，近场辐射噪声如图1（a）所示，结合远场测108.48MHz，176.28MHz，189.84MHz。（a）甲近场辐射噪声（b）乙近场辐射噪声图1　抑制措施前，近场辐

2、射噪声2　辐射骚扰噪声机理射模型，而将基本差模辐射单元描述为磁偶极子辐射干扰包括共模辐射和差模辐射。共模辐辐射模型，如图2所示。射主要是由于非良好接地或接地点反射电位引起此外，不同的噪声机理对应不同的噪声抑制的等效短直天线辐射效应；而差模辐射主要由于措施，因此，只有正确的诊断被测器件的辐射机理，未较好控制的大信号环路引起的等效电流环天线方能设计合适的噪声抑制策略。辐射效应。因此根据共模和差模辐射原理及天线在近场中，共模辐射场的电场强度与测试距理论，可将基本共模辐射单元描述为电偶极子辐离三次方的倒数成正比；磁场强度与测试距离平（a）电偶

3、极子辐射模型（b）磁偶极子辐射模型图2　电路辐射模型2010/2总第216期国内统一刊号CN31-1424／TB32方的倒数成正比，即E∝1/r，H∝1/r。据此，189.84MHz分别为11.0592MHz晶振的8倍频，在共模辐射场中，近场波阻抗呈现为高阻抗，即13.56MHz晶振的8倍频，13.56MHz晶振的13倍ZW>377Ω，且与测试距离成反比，即频以及13.56MHz晶振的14倍频。3　辐射骚扰噪声抑制措施Z=∝　　　　　　　　（1）由于两款IC智能读卡器产生的辐射干扰均以差模干扰为主，因此可以采用如下三种噪声抑制同样

4、的，差模辐射场的电场强度与测试距离策略。平方的倒数成正比；磁场强度与测试距离三次方321）在信号大环路走线的信号输入端，即的倒数成正比，即H∝1/r，E∝1/r。据此，在RFID芯片输出端并联电容以实现高频滤波；差模辐射场中，近场波阻抗呈现为低阻抗，即2）在RFID芯片输入端并联电容以实现高频ZW<377Ω，且与测试距离成正比，即滤波；Z=∝r（2）3）在信号大环路走线中串联电感以实现高频滤波；由（1）、（2）两式不难发现，在共模辐射场中，4）减小信号大环路走线面积。近场波阻抗为高阻抗，且其随着测试距离的减小值得注意的是，滤波电容需采

5、用专用瓷片电而减小；相反地，在差模辐射中，近场波阻抗为容以提高电容高频特性，增加滤波效果。然而，低阻抗，且其随着测试距离的减小而减小。因此，为了尽量减小公司的设计开发成本，尽量减小被可以通过分析近场中波阻抗与测试距离间的关系测器件的PCB改动，决定采用策略1、2进行噪即可诊断电路辐射主要机理，据此确定对应噪声声抑制，具体如下：抑制方案。①对于乙：在RFID芯片前端（信号大环路通过采用上述方法进行检测，结果发现：走线输入端）并联51pF以及10pF两个电容；在1)为了产生主频为13.56MHz的电磁场并与RFID芯片后端并联68pF以及

6、10pF两个电容；IC卡进行通讯（主频为13.56MHz），因此在两款②对于甲：在RFID芯片前端（信号大环路IC智能读卡器上均采用信号大环路走线设计。然走线输入端）并联68pF；在RFID芯片后端并联而，正是由于信号大环路走线导致了两款IC智能51pF、2.2pF、2.2pF、2.2pF、2.2pF。读卡器的辐射干扰，即两款IC智能读卡器产生的4　抑制措施采用后辐射骚扰噪声辐射干扰以差模辐射为主；1）甲2)两款IC智能读卡器的信号大环路均与近场辐射噪声如图3（a）所示，对比图1（a）可RFID芯片连接，且RFID芯片为其信号的输入端

7、，见，其超标频点的辐射噪声降幅为6dB。通过标准RFID工作频率为13.56MHz；半电波暗室测试，可以通过GB9254的B类标准；3)两款IC智能读卡器有三个晶体振荡器，包2）乙括连接单片机的11.0592MHz晶振，连接RFID芯近场辐射噪声如图3（b）所示，对比图1（b）片的11.0592MHz晶振和13.56MHz晶振；可见，其超标频点的辐射噪声降幅11dB。通过标4)超标频点88.5MHz、108.48MHz、176.28MHz、准半电波暗室测试，可以通过GB9254的B类标准。（a）甲近场辐射噪声（b）乙近场辐射噪声图3　

8、抑制措施后，近场辐射噪声国内统一刊号CN31-1424／TB2010/2总第216期