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《【电子信息工程毕业设计+文献综述+开题报告】电容层析成像技术测量电路的设计》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、（20__届）本科毕业设计电容层析成像技术测量电路的设计43摘要按照探测器的种类分类,过程成像技术可以分为电磁辐射式的、声学式的和电学式的。在电学式成像中,以电容、电阻、电感作为探测器的过程成像技术,分别称之为电容过程的成像技术(ECT)、电阻过程的成像技术(ERT)、电磁过程的成像技术(EMT)。目前的电容成像微电容测量的方法包括其充放电法、有源差分法、交流法等等。其中充放电法和有源差分法电路结构较简单，但电路稳定性不好，信噪比也较低；交流激励方法由于信噪比和稳定性都较高，目前在电容成像中应用较多。ECT系统用
2、电容测量电路：直流充放电电容测量电路和交流法电容测量电路。前一种的优点是抗杂散电容、电路十分简洁、价格低。而缺点主要是有漂移，而且会影响充电放电C-V电路的性能,使得电路性能降低。后一种电容测量电路则较好。它克服了直流冲/放电型所原有的不足【1】。因为电容层析成像系统的传感器不同极板对间的电容值一般都在1.0pF之下，属于微电容测量的范畴，从而要求测量电路要有下面几个特点：首先要求抗分布电容能力。然后也要求做到大量程及高灵敏度。同时要有低漂移和高信噪比。关键词：过程成像技术，ECT系统，抗杂散电容，灵敏度43De
3、signofcapacitancetomographytechniquetomeasurecircuitAbstractAccordingtodetector'stypeclassification,theprocessimageformationtechnologymaydivideintotheelectromagnetismradiationformula,acoustics-likeandtheelectricitytype.Intheelectricitytypeimageformation,bythe
4、electriccapacity,theresistance,theinductancetakesdetector'sprocessimageformationtechnology,callsitelectriccapacityprocessimageformationtechnology(ECT),resistanceprocessimageformationtechnology(ERT),electromagnetismprocessimageformationtechnology(EMT)separatel
5、y.Presentelectriccapacityimageformationmicroelectriccapacitiessurveymethodincludingitscharginganddischarginglaw,activemethodofdifference,exchangelawandsoon.Andthecharginganddischarginglawandtheactivemethodofdifferencecircuitstructureissimple,buttheelectriccir
6、cuitstabilityisnotgood,thesignal-to-noiseratioisalsolow.ECTsystemusestheelectriccapacitymeteringcircuit:Direct-currentcharginganddischargingelectriccapacitymeteringcircuitandexchangelawelectriccapacitymeteringcircuit.Theprecedingkindofmeritistheanti-straycapa
7、city,theelectriccircuitisverysuccinct,thepricetobelow.Buttheshortcomingmainlyhasthedrifting,willaffectthechargetodischargetheC-Velectriccircuit'sperformance,willcausetheelectriccircuitperformancetoreduce.Thelatterkindofelectriccapacitymeteringcircuitisgood.[1
8、].Becausetheelectriccapacitychromatographicanalysisimagingsystem'ssensordifferentpoleplatetothecapacitancevalueunder1.0pF,belongstothecategorywhichgenerallythemicroelectriccapacitysurveys
