模拟电子技术教案3.ppt

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1、第3章多级放大电路模拟电子技术基础第三章多級放大电路3.1多级放大电路的耦合方式3.2多级放大电路的动态分析3.3直接耦合放大电路作业：4（a）、（d），5，7，8，9，11思考题：13.1.1直接耦合+VCCuIRb2Rc1T1Rc2T2Rb1uO(a)第一级与第二级直接相连(b)第二级加射级电阻或二极管应满足①各级有合适的Q；②较小损失，不失真放大+-+-一、几种电路形式+VCCuIRb2Rc1T1Rc2T2Rb1uO+-+-Re2UCEQ1≈UBEQ2≈0.7V,T1饱和,T2电流IB2大,饱和,需抬高Ue2。加Re2

2、,工作点合适,Au下降3.1多极放大电路的耦合方式—3.1.1直接耦合+VCCuIRb2Rc1T1Rc2T2Rb1uO+-+-+VCCuIRb2Rc1T1Re2T2Rb1uO+-+-RDZRc2(c)第二级发射级加稳压管(d)NPN型管和PNP型管混合使用换成DZ，直流有压降(恒压),交流rz小。NPN和PNP管混用，使Uc2

3、直接耦合3.1.2阻容耦合将放大电路的前级输出端通过电容接到后级输入端。uIC1RLuOR1+VCCT1C2R3C3C4R2R4R5R6优点:各级静态工作点相互独立，电路的分析设计调试简单;交流损失小;抑制零漂。缺点：低频特性差，不能放大直流或缓慢变化的信号；不便于集成化。+-+-T2图3.1.2两级阻容耦合放大电路3.1多极放大电路的耦合方式—3.1.2阻容耦合3.1.3变压器耦合优点：Q独立;改变n可改变R’L，阻抗匹配；隔直通交，抑制温漂。缺点：高、低频特性差；不易集成化；成本高，使用于特殊场合。uIC1TRLRb2+

4、VCCCeRb1ReN1N2RLN1N2I1.I2.R’LIc.例：如上图电路中，假设RL=8Ω,n=5.6。求等效电阻。图3.1.3变压器耦合共射放大电路3.1多极放大电路的耦合方式—3.1.3变压器耦合3.1.4光电耦合以光信号为媒介实现电信号的耦合和传递，因抗干扰能力强而广泛应用。DT1T2iciDceuD+-一、光电耦合器uCEID3ID2ID1增大IDic图3.1.5光电耦合器及其传输特性(a)内部组成(b)传输特性发光元件为输入回路：将电能转换为光能；光敏元件为输出回路：将光能转换为电能。电气隔离，抗干扰性强传输

5、比《ß3.1多极放大电路的耦合方式—3.1.4光电耦合二、光电耦合放大电路DT1T2usVRs+-+-uo+VCC信号源光电耦合器输出回路图3.1.6光电耦合放大电路两地分离，远距离传输，抗干扰3.1多极放大电路的耦合方式—3.1.4光电耦合RSUs+-.A1A2An-+-.+-.Uin+-.Ui2Ui+Uo1.RLUo.图3.2.1多级放大电路方框图...........(注意：后级的Ri为前级的RL)输入电阻:输出电阻:当射随器为第一级时，Ri与后级Ri有关。当射随器为末级时，Ro与前级Ro有关。3.2多极放大电路的动态

6、分析例3.2.1在如图所示电路中，R1=15kΩ,R2=R3=5kΩ,R4=2.3kΩ,R5=100kΩ,R6=RL=5kΩ;VCC=12V;晶体管的β均为50,rbe1=1.2kΩrbe2=1kΩ,UBEQ1=UBEQ2=0.7V。试估算电路的Q点、Au、Ri和Ro。uiC1RLuoR1VCCT1C2R3C3C4R2R4R5R6(1)阻容耦合，Q独立。第一级为典型的Q点稳定电路，可得图3.1.2两级阻容耦合放大电路T23.2多极放大电路的动态分析3.3.1直接耦合放大电路的零点漂移现象零点漂移：输入电压为零而输出电压不为零

7、，且随时间、温度发生缓慢变化的现象。原因：电源波动、元件老化、半导体元件参数随温度变化而产生变化。二、抑制温度漂移的方法1电路中引入直流负反馈；2采用温度补偿；（用热敏元件）3采用差分放大电路。一、零点漂移现象及其产生的原因直耦的严重性3.3直接耦合放大电路—3.3.1零点漂移现象3.3.2差分放大电路一、电路的组成及工作原理+VCCT1T2+-Rb1Rc1Re1Re2Rb2Rc2uI1VBB+-uI2VBB+-uO温度的变化将引起晶体管参数的变化，使Q变化，因此T1接成工作点稳定电路的演变电路。并加入性能和T1完全一样的T

8、2，电路结构形式及参数也完全一样。这样当温度变化时，UC1、UC2的变化一致，输出电压Uo则保持不变。图3.3.2差分放大电路的组成(c)1、电路的组成3.3直接耦合放大电路—3.3.2差分放大电路1.差模输入与差模特性差模输入ui1=–ui2差模输入电压uid=ui1–ui2=2ui1=