电子技术基础,单选.doc

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1、--------------------------------------------------------------------------------------试题代码题型：--分值：--难度系数：--能力层次：--题目内容答案：----------------------------------------------------------------------------------------0101001题型：01分值：2.0难度系数：0.3能力层次：识记本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度的关系为()。A.自由电子浓度大于空穴浓度B.自由电子浓

2、度小于空穴浓度C.二者相等答：[C]0101002题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度()。A.大于B.小于C.等于D.不确定答：[C]0101003题型：01分值：2.0难度系数：0.4能力层次：识记在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于()。A.温度B.材料C.掺杂工艺D.掺杂浓度答：[C]0101004题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.材料答：[A]0101005题型：01分值：2.0难度系数：0.3能力层次：识记当环

3、境温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。A.增大B.减小C.不变D.不确定答：[A]0102001题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记硅二极管的完全导通后的管压降约为()。A.0.3VB.0.5VC.0.7VD.1.0V答：[C]0103012题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记第53页共53页晶体管能够放大的外部条件是()。A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结反偏D.不确定答：[C]0103013题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记当晶体管工作于饱和状态时，其()。A.发射结正偏，

4、集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结反偏D.不确定答：[A]0103014题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记对于硅晶体管来说其死区电压约为()。A.0.1VB.0.5VC.0.7VD.不确定答：[B]0103015题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记晶体管的导通压降

5、UBE

6、约为。A0.1VB0.7VC0.5VD不确定答：[B]0103016题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA,则该管的β为()。A.40B.50C.60D.不确

7、定答：[A]0103017题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能()。A.越好B.越差C.无变化D.不确定答：[A]0103018题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能()。A.高B.低C.一样D.不确定答：[A]0103019题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记第53页共53页温度升高，晶体管的电流放大系数()。A.增大B.减小C.不变D.不确定答：[A]0103020题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记通常情况下，三极管工作在()区时，

8、可被看作是一个线性器件。A.饱和区B.截止区C.放大区D.击穿区答：[C]0103021题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：识记三极管工作在截止区的外部条件是()。A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结反偏C.发射结反偏、集电结正偏D.发射结正偏、集电结正偏答：[B]0103023题型：01分值：2.0难度系数：0.5能力层次：简单工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为()。A.83B.91C.100D.110答：[C]0201001题型：01分值：2.0难度系数：0.4能力层次：识记在

9、放大电路中，所谓"放大"是指对微弱的电信号进行()放大。A.线性B.非线性C.线性或非线性答：[A]0201002题型：01分值：2.0难度系数：0.4能力层次：识记在放大电路中，放大的实质是一种()过程。A电压控制B.电流控制C.能量控制答：[C]0201003题型：01分值：2.0难度系数：0.4能力层次：识记放大电路中所使用的放大器件()。A.只能是晶体三极管B.只能是场效应管C.可以是晶体三极管或场效应管答：[C]0201004题型：01分值：2.0难度系数：0.4能力层次：识记放大电路提供给外接负载RL的电能是由()提供的。第5