瓷片 电容学习资料共享.doc

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1、电容学习资料共享瓷片电容（CeramicCapacitor）1　瓷片电容（多层片式瓷介电容器MLCC）图1.1瓷片电容内部结构1.1　瓷片电容命名规则Globalpartnumber(preferred)CCXXXXXXX5RXBBXXX123456（1）、尺寸-inch(metric)0201(0603)0402(1005)-10-电容学习资料共享0603(1608)0805(2012)1206(3216)1210(3225)1812(4532)2220(5750)（2）、精度F=±1%G=±2%J=±5%K=±10%M=±20%Z=-20%~80%不常用：A=±0.05pFB=±0.

2、1pFC=±0.25pFD=±0.5pF（3）、包装形式R=Paper/PEtapingreel;Reel7inch（纸编带包装）K=Blistertapingreel;Reel7inch（塑料带包装）P=Paper/PEtapingreel;Reel13inchF=Blistertapingreel;Reel13inch-10-电容学习资料共享C=Bulkcase(散包装)（4）、额点电压4=4V5=6.3V6=10V7=16V8=25V9=50V不常用：0=100VA=200VB=500VC=1KVD=2KVE=3KVH=43KV（5）、容值两位有效数+零的个数补充：CC-Multi

3、-layerchipcap.多层电容器；CA-Cap.Array阵列电容器；CL-Low.Inductance低电感电容器BB-第一个：阻挡层成分代码A:Pd/Ag（钯/银）B:Ni-Barrier（镍）C:Ni/Au（镍/铜）第二个：内部代码A:NoBMEB：BME（贱金属电极）1.1　电介质材料-10-电容学习资料共享在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频

4、高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。陶瓷介质的代号是按陶瓷材料的温度特性来命名的。目前通用的是美国EIA标准（ElectronicIndustriesAssociation电子工业协会）命名规则，电介质材料命名规则：低温高温容量变化X:-55℃4:+65℃A:±1.0%Y:-25℃5:+85℃B:±1.5%Z:+10℃6:+105℃C:±2.2%7:+125℃D:±3.3%8:+155℃E:±4.7%9:+200℃F:±7.5%P:±10%R:±15%S:±22%T:+22%--33%U:+22%--56%V:+22--82%Y5V：温度特性Y代表 －25℃；  5代表＋85℃；温度

5、系数V代表 －80％ ～ ＋30％ Z5U：温度特性Z代表 ＋10℃；  5代表＋85℃； 温度系数U代表 －56％ ～ ＋22％ X7R：温度特性X代表 －55℃；  7代表＋125℃ ；温度系数R代表 ± 15％ NP0：温度系数是30ppm/℃（-55℃～＋125℃）.1.1.1　NPO材质（C0G）-10-电容学习资料共享NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。精度能做到5%（J级），但是不能做到太高的容值。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电

6、容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%薄膜电容的来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。1.1.1　X7R材质X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。　X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。X7R电容器主要应用于要求不高的工业

7、应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。1.1.2　X5R材质X5R材质所能做出来的电容容值会更高一些，与X7R同样容值电压的电容相比，X5R的价格也要便宜一些。1.1.3　Y5V材质Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。其它技术指标如下:工