第6章 半导体存储器.ppt

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1、多级存储器体系结构80x86的存储器系统连接实例存储器扩展各种存储器概述第6章　半导体存储器存储器结构框图：左图列出了当前有代表性的半导体存储器件的结构以及由它们所组成的32行x32列的矩阵和外部的连接。6.1概述6.1.1存储器系统当前常见的半导体存储器的规格内存大小存储器件规格每列中芯片数每行中芯片数芯片总数4K╳84K╳16（双字节）16K╳864K╳81K╳14K╳1256╳41K╳41K╳14K╳1256╳41K╳41K╳14K╳1256╳41K╳416K╳164K╳141164411641642141882216164428888832832864166416323

2、2168328计算机的存储器可分为:1.内部存储器，简称为内存或主存。2外部存储器，简称为外存。6.1.2半导体存储器的分类存储器就是用来存储信息的部件，正是因为有了存储器，计算机才有了对信息的记忆功能。6.1.3半导体存储器的性能指标微型计算机系统中,内存是用半导体存储器件来构成的,人们习惯把存储器件简称为存储器。半导体存储器的性能指标：1.易失性2.只读性3.位容量4.速度5.功耗6.可靠性7.价格6.2各种存储器6.2.1只读ROM只读存储器ROM(ReadOnlyMemory)是指其一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在掉电时丢失，它们在计算机系统中是只供读出的存储器。

3、ROM器件的优点：1.结构简单，所以位密度比可读/写存储器高。2.具有非易失性，所以可靠性高。计算机系统中，一般既有RAM模块，也有ROM模块。ROM模块中常常用来存放：系统启动程序和参数表存放常驻内存的监控程序或者操作系统的常驻内存部分存放字库或者某些语言的编译程序及解释程序。1.掩膜型ROM或者简称为ROM2.可编程的只读存储器PROM3.可擦除可编程的只读存储器EPROM4.可用电擦除的可编程的只读存储器E2PROM5.闪速存储器ROM可以分为五种：1.静态随机存储器(SRAM)：6.2.2半导体存储器(RAM)2114外引线图SRAM采用触发器电路构成1个二进制位信息的

4、存储单元。2114SRAM的容量是1024╳4=4KB片选引脚CS，当其为低电平时，该片被选中。数据的输入和输出采用双向数据总线，I/O1~IO4是4根数据引线。读写控制引脚R/W，当其为高电平时，对选中的单元进行读出；当其为低电平时，对选中的单元进行写入。单向地址总线A0~A9，共10根地址引脚。可以在210=1024个单元中任选一单元。12.动态随机存储器(DRAM)：动态随机存储器的存储单元采用电容存储信息，由于电容存在漏电，所以需要对电容进行定期刷新。1脚为－5V电源9脚为+5V电源8脚为+12V电源16脚为地5~7脚和10~13脚为地址线2脚为数据输入14脚为数据输出

5、3脚为读写使能控制4脚为行地址选通信号，低电平有效。15脚为列地址选通信号，低电平有效。2116外引线图2116电路结构框图:2116的存储矩阵由128x128的单管动态存储单元组成，需要14位地址码（214=16384），它分为低7位的行地址码和高7位的列地址码。在实际制造时,为减少芯片的引脚数，2116只设置了7条地址线A0---A6,它将14位地址码分作两次从7条地址线送入到行地址锁存器和列地址锁存器中。当A0---A6地址线上为低7位行地址码时，行地址码选通信号RAS为有效低电平，将行地址锁存到行地址锁存器中；当地址线上A0---A6为高7位列地址码时，列地址选通信号C

6、AS为有效低电平，将列地址锁存到地址锁存器中。再经行、列地址译码器进行译码，选中128╳128存储矩阵中某个存储单元工作。动态RAM除了要求配置刷新逻辑电路，主要缺点是在刷新周期中,内存模块不能启动读周期或写周期。常用RAM的主要原因：1.动态RAM的高密度。2.动态RAM的低功耗特点。3.动态RAM价格低廉。3.新型DRAM存储器:(1)EDODRAM：EDODRAM是对传统DRAM存取技术的改进，主要表现在两方面。(2)SDRAM:传统的DRAM采用异步的方式进行读取。SDRAM采用同步的方式进行读取。(3)DDRSDRAM:由SDRAM发展出来的新技术.它使用了更多更先进

7、的同步电路;使用了延时锁存回路来提供一个数据滤波信号。(4)RDRAM:它能在很高频率下通过1个简单的总线传输数据。(5)内存条:主要由集成电路、电阻和电容组成。①内存芯片②桥路电阻③电容IBMPC/XT的内存地址分配存储器地址范围存储器地址分配存储器地址大小0000H—3FFFFH256KBRAM系统板640KBROM40000—9FFFFH384KBRAM扩展板A0000--BFFFFH128KB保留（包括显存）128KB保留C0000--EFFFFH192KBROM扩展板256KBRO