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1、DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.1980.06.017一种较简易的磨角显示1413所林文长这里介绍的磨角法具有操作容易实用方便和不易碎片等优点。尤其是用来在薄的芯。片上作特定部位的磨角显示更为方便我们在对集成电路的芯片作纵向参数的解剖与分,“、折时曾用此法方便地在不到4。。厚度为20~3。妙的芯片上选了78个特定部位作,。。磨角显示效果良好下面对这一方法和原理作简单介绍.1方法与步骤:Zom,。①将厚的制版玻璃边角料划成30xl。。。二的方块和30x7。。的窄条,a。②用蜡将玻璃窄条枯在长方形玻璃板
2、上如图所示样品的结较深时可粘在位置“”,“”。1结深较浅时可粘在位置2或者把样品与玻璃窄条分别粘在玻璃块的两个。。端头上一般L在20~10。切。均可,一般磨迹宽③用氧化镁一类抛光粉或只用水当磨料在平玻璃板上往返磨10秒左右度在0.5、1。二即可。、.2一.“件7一j二_于阳杏解。尹带灸群盖、声丫口助窿矗丧断兄欢斌.厂,/尹夕,/刃尹尹砂砂必砂犷愁).。a图石图磨块布局玻瑞磨块磨角测及原理示意图:。④用合适的显示剂显示测量(510膜可直接测量).2原理:,,:·式中I和L是可测的关键是求h的从图b上可以看出X,一卜f列一
3、I粤L。,,,值由图5可知lz=万一d二H一(D一j)其中H是玻璃窄条的厚度D为待测样。,。:.品的厚度由于J《刀故40。,,,5,:。,阴。:,h、H一D(例当五=D=0d=1时.。05:J“02om故视D“d影响不大)于是得到_,、了.声了、.H一D了1,4J亩卜二`L,::另外从下述推导也可验证上—述结论在△AOB中翔=卜tg口二H一DH一D澎lSL一占。。式中己是样品上的磨迹宽度因为占《L故S=L一己、L于是二,二H一D。式中L,,。的L为玻璃窄条到磨块端头的距离L愈大测量精度愈高,。下面举例说明即使是用了上述
4、近似测量误差也是微小的.:40。。,d,,5m切:,,例如当L=二1。二万=2。阴D二0测得一4。拌由公式(1)(下接53页),,。解过程中易析出C沾污材料使材料成为重补偿这一问题提出一种热壁反应系统如,,,图3所示在石英反应器内装一石墨感应加热套并在反应器中引入氯化物(HCI)这、Ga,由CI,样可使IA烷基物在到达表面吸附前将其中的烷基取代出减少了进入外延,。,,:3,层的C降低了补偿此外还发现用此方法后lA能与氧作用生成川0沉积在挡,,。,板和反应器的壁上使氧的沾污量也下降结果提高了发光效率最近他们又进一步(3,
5、。,作了改进4)即在衬底上方4m处插入一系列石墨挡板使气体中氧和水与三甲基铝23,反应生成月10后沉积在石墨挡板上降低了。二,测量了A儿Ga,姓:了,`丁`一怕之氧与水的含量样品的光致l,,发光强度(尸L强度)不加挡板时尸L强度,,十分微弱在检测极限之下加以包’slC的石,,。墨挡板后尸L强度明显提高I二/(相对于L尸万)~.4一0.6。0..““`。(37)刀DDP等用本工艺制成了单量子:a,_二:一as,阱AlG月G月异质结二极管在300K。,可连续工作测量其界面宽度一般仅为~20刀。,而当用制量子阱结时层厚可薄其
6、备多构。30~40Ax至用多种分析方法包括双晶射线、衍射电子显及俄歇电子能谱等对异质结微镜(3引,图。3的界面进分析明界面组份变化十分行表。陡峭,。一、,从以上述评可见MC犷刀由于其组份单独可控生长成核容易等独特优点故,,特别适宜于生长各种多元异质结构等光电器件所需材料尽管此工艺从萌芽到现在仅,。,。只十年时间而在国外已得到普遍重视国内由于种种条件所限目前研究的还不多,,可以预期如果我们大力加强原材料的研制重视实验室的基本建设采取切实有效的技,。安措施完全有可能在这一领域内赶上和超过国际水平参考资料(略)。Cp,(上接
7、70页)离子注入的另一应用是制造MOS晶体管尸沟的预淀积尸沟用为,.。一一。175。口/口的材料二,55微米为也可用来调节N沟和尸沟阀值电压“,,离子注入也用来制造IL器件的注入极和基区在表面薄氧化层下面注硼然后扩。’,。,散制造高薄层电阻的扩散区为改善IL晶体管的口值先用60K犷注硼深度小于1拼,IZL器件的刀值(待然后扩散这样生产的晶体管剖面表面浓度低于内部可以改善一些·.71页二,`5。。:。二,(上接)则一,圳一4。、一1当采用比较精确的公式()计算时一琴任U二_。tg夕(H一D)-15。。4U下不一1沙吞;两
8、个结果相差在小数点后第二位上当L增=彩件(L一占)j怂。、,加后两个结果更为接近在实测中LHD都是已知的只要在ml距显微镜上读出l,`的值再代入公式(1)或(2)即可得出结果为
