新型光电显示技术.ppt

《新型光电显示技术.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、新型光电显示技术概要电致变色显示技术场致发射显示技术电致发光显示技术电泳显示技术和铁电陶瓷显示技术电致变色显示技术电致变色（ElectroChromism,EC）：施加电压后物质发生氧化还原反应是颜色发生可逆性的变色现象主要有3种形式：离子通过电解液进入材料引起变色金属薄膜电沉积在观察电极上彩色不溶性有机物析出在观察电极上电致变色显示技术优点：显示鲜明，清晰，由于液晶显示板视角大，无论从什么角度看都有较好的对比度具有存储性能在存储状态下不消耗功率工作电压低，仅为0.5-20V可与集成电路匹配器件可做成固体化缺点：响应慢，功耗大，寿命短（106-107次）电致变色显示器件全固态塑料电致点射器

2、件采用低压反应离子镀工艺，在ＩＴＯ塑料存底上制备ＷＯ３和ＮｉＯ电致变色薄膜，采用ＭＰＥＯ－ＬｉＣＬＯ４高分子聚合物电解质，制备透射型全固态塑料电子变色器件，变色调制范围达到３０％左右电致变色显示器件混合氧化物电致变色器件混合氧化物可以改善单一氧化物电子变色的性能，引起人们的关注ＴｉＯ２具有适宜的粒子输运的微观结构，高的力学性能和化学稳定性，他与ＷＯ３混合制作电子变色器件，加快响应时间及延长了器件的寿命透明导电层电致变色层离子导电层离子存储层透明导电层玻璃直流电源玻璃ECD光线自然态玻璃ECD光线着色态场致发射显示技术场致发射显示器件的构成及工作原理场致发射显示（FieldEmissionD

3、isplay,FED）FED与真空荧光显示（VFD）和CRT有都铎显示之处，他们都已高能电子轰击荧光粉与VFD不同的是：它用冷阴极微检阵列场发射代替了热阴极的电子源，用光栅的栅极代替了金属栅网，是CRT的平板化，兼有CRT与固体平板显示器件的优点场致发射显示器件的构成场致发射阵列平板显示器，真空微尖平板显示器，薄型的CRT发射尖锥电子束前玻璃基板氧化锡和氧化铟阳极荧光粉真空状态栅极绝缘层阴极后玻璃基板FED的制造过程薄膜沉积光刻技术制作微尖锥：两步光刻工艺微孔阵列光刻（1.5mm）,采用紫外光步进曝光实现蒸发和刻蚀制造微尖阴极必须满足的3点要求：1）在整个表面上具有均匀的电子发射2）提供充

4、分的电流，以便在第电压下获得高亮度3）在微尖和栅极之间没有短路为了满足以上要求，采用下面两项技术：1）在导通的阴极和选通的微尖之间利用一个电阻层来控制电流，使每一选通的像素含有大量的微尖，可保证发射的均匀性2）高发射密度和小尺寸，使得在100V激励电压下获得1mA/mm2的电流密度，从而实现高亮度FED工作原理前玻璃基板后玻璃基板电子束阳极荧光粉缝隙栅极ＦＥＤ的特点２０世纪８０年代末真空微电子学的产物工作方式与ＣＲＴ类似厚度仅几毫米，亮度、灰度、色彩、分辨率和响应速度可与ＣＲＴ相媲美优点冷阴极发射低工作电压自发光和高亮度宽视角和高速响应很宽的环境温度变化范围电致发光显示技术电致发光（EL）

5、：是在半导体、荧光粉为主体的材料上施加电而发光的一种现象本征型ＥＬ：是把ＺｎＳ等类型的荧光粉混入纤维素之类的电介质中，直接地或间接地夹在两点几之间，施加电压后使之发光注入型ＥＬ：发光二极管，在外加电场作用下使Ｐ－Ｎ结产生电荷注入而发光电致发光显示技术１９３６年，法国的Ｄｅｓｔｒｉａｕ发现，将ＺｎＳ荧光体粉末浸入油性溶液中，使其封于两块电极之间，施加交流电压会产生发光现象１９５０，发明以ＳｎＯ２为主要成分的透明电膜，成功开发了分散型ＥＬ元件１９６８年，Ｖｅｃｔｈ等人报道了ＥＬ元件荧光体表面通过Ｃｕ的处理可以实现直流驱动，Ｋａｈｎｇ等人在薄膜型ＥＬ中导入作为发光中心的稀土氟化物，可实现高辉度１

6、９７４年　Ｉｎｏｇｕｃｈｉ等人与１９７４年发表了关于高辉度，长寿命的二层绝缘结构的薄膜型ＥＬ元件的文章１９８３年，日本开始了薄膜ＥＬＤ的批量生产ＥＬＤ的分类材料：无机电致发光有机电致发光结构：薄膜型－致密的荧光体薄膜结构（高辉度，高可靠性）分散型－粉末荧光体（价格低，容易实现多彩色，常用作平面光源）驱动：交流直流ＥＬＤ的特征图像显示质量高受温度变化的影响小是目前所知唯一的全固显示元件小功耗快速显示响应速度时间小于１ｍｓ低电磁泄漏ＥＬＤ的基本结构与原理分散型交流电致发光结构Ｖ背电极（Ａｌ）介电体层发光层透明电极玻璃或柔性塑料板ＥＬ发光（ＺｎＳ）分散型ＥＬ的特点缺点：稳定性差，寿命短耐湿性弱，

7、需要钝化保护电压一定时，工作时间加长，发光亮度下降驱动频率较高时，高辉度下工作会更快地劣化分散型直流ＥＬ的结构与原理背电极（Ａｌ）发光层透明电极玻璃或柔性塑料板ＥＬ发光（ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｍ）ＣｕＳＯ４薄膜型交流电致发光结构：发光层薄膜驾驭两层绝缘膜之间组成三明治结构形式。在玻璃基板上一次沉积透明电极，第一绝缘层，发光层，第二绝缘层，背电极（Ａｌ）发光机制：可用ＺｎＳ：Ｍｎ系荧光体的碰撞激发来解释，即当施加的电压大于阈值电压