单片机原理及应用 教学课件 作者 徐泳龙 主编 第08章____MCS-51单片机存储器的扩展.ppt

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1、第八章MCS-51单片机存储器的的扩展第一节MCS-51单片机存储器扩展的概述第二节程序存储器的扩展第三节数据存储器的扩展第四节扩展外部存储器的综合设计举例第一节MCS-51单片机存储器的的扩展概述一、单片机最小系统使单片机能运行的最少器件构成的系统，就是最小系统。无ROM芯片：8032必须扩展ROM，复位、晶振电路有ROM芯片：89c51等，不必扩展ROM，只要有复位、晶振电路二、扩展使用的三总线地址总线：P0－低8位P2－高8位数据总线：P0控制总线：RD、WR、ALE、PSEN(读、写、地址锁存允许、外程序存储器读选通)地址锁存器的作用与原理地址锁存器芯片7

2、4LS373与74LS573只是引脚布置的不同。74LS273的11脚G逻辑与以上相反。单片机复用总线结构,数据与地址分时共用一组总线。ALE地址锁存地址锁存地址输出数据有效地址输出数据有效AD0～n数据采样数据采样R/W单片机AD0～7ALER/WD0～7A0～7R/W存储器DiQiG地址锁存器AD8～nA8～n常用的片选方法1.线选法微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。2.全地址译码法微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。三、系统扩展能力1.线选法P2.7P2.6P2.5P2.4P2.3

3、P2.2P2.1P2.0A7A6A5A4A3A2A1A0Ⅰ：1100000000000000=C000H～1101111111111111～DFFFHⅡ：1010000000000000=A000H～1011111111111111～BFFFHⅢ：0110000000000000～0111111111111111=6000H～7FFFH2．全地址译码法3-8地址译码器：74LS138Y0、Y1、Y2分别连接三片存储器的片选端CE1、CE2、CE3各片存储器芯片分配地址：AB13AB14AB15+5VAY0BY1CY2G1…G2A.BY774LS138CE1CE2C

4、E3Ⅰ：0000H～1FFFHⅡ：2000H～3FFFHⅢ：4000H～5FFFH第二节程序存储器的扩展工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持信息不丢失。1.掩膜ROM：不可改写ROM由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。2.PROM：可编程ROM用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。3.EPROM：可光擦除PROM用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散

5、浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写。4.EEPROM：可电擦除PROM既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息，具备RAM、ROM的优点。但写入时间较长。1.常见EPROM简介27xx的引脚一、扩展EPROM2.27128与MCS-52的连接与RAM的不同点：只有一片ROM时，CE可以接地OE接PSEN第三节数据存储器的扩展数据存储器一般采用RAM芯片，这种存储器在电源关断后，存储的数据将全部丢失。RAM器件有两大类：动态RAM（DRAM），一般容量较大，易受干扰，使用略复杂。静态RAM（SRAM），在工业现场常使用ＳＲＡＭ。1.SRAM的引

6、脚6264逻辑图6264引脚图型号：6264前两位数62,表示SRAM后两位64÷8=8k字节容量62128有128÷8=16k字节容量62256有256÷8=32k字节容量2.RAM存储器的连接DB0～nAB0～ND0～nA0～NABN+xCSR/WR/W微型机存储器存储器与微型机三总线的连接：1)数据线D0～n连接数据总线DB0～n2)地址线A0～N连接地址总线低位AB0～N。3)片选线CS连接地址总线高位ABN+x。4)读写线OE、WE(R/W)连接读写控制线RD、WR。4.62128与MCS-52的连接当单片机外接芯片较多，超出总线负载能力，必须加总线驱动

7、器。单向驱动器74LS244用于地址总线驱动双向驱动器74LS245用于数据总线驱动第四节扩展外部存储器的综合设计举例MCS-52同时扩展ROM和RAM本章学习结束！