光刻工艺介绍.ppt

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1、光刻工艺介绍1GeneralPhotolithographyProcess涂胶(Coating)显影(Developing)曝光(Exposure)套刻(Overlay)前工序显检(Inspect)条宽(CriticalDimension)后工序HMDSResistcoatingTARCcoatingSoftbakeSoftbakeDevelopPostexposurebakeDIWaterHardbake涂胶/显影概况材料设备光刻胶显影液其他DNSTELDUVSPR6812XHRIC-11IX925G-14CPSPR513Durimide7510MIR70

2、1-29CPSPR660-1.0AZ6130AZAQUATARAR3-600MIR701-49CPUV135HMDSEBR7030CD26:5MF503:10HRD-2:7涂胶菜单注：⑴.关键层指：TO、GT、PC、BN+、ROM、W1、VIA、METAL、TU、BC、SGE、SN（MG）、GW（MG）。⑵.非关键层指：除关键层次和PAD之外的其他层次。前处理（PRIMING）涂胶（APPLY）软烘（SB）涂胶基本流程HP：HOTPLATEIND：INDEXERAH：ADHESIONCHAMBERWITHHPAC：ADHESIONCHAMBERWITHCP

3、SC：SPINCOATERTR：TRANSFERUNITDNS涂胶系统图：AH/ACAH/ACHP/HPHP/HPIND4IND3IND2IND1TRSCSCINDAHACINDSCHP涂胶前处理（Priming）HMDS处理去水烘烤HMDS目的：增加圆片衬底与光刻胶的粘附性原理：将圆片表面状态由亲水性转变为疏水性(亲油性)化学试剂：HMDS(六甲基二硅胺)气相涂布方法：高温低真空下的HMDS单片处理模块确认HMDS的效果用接触角计测量，一般要求大于65度前处理注意事项：来片衬底必须是干净和干燥的HMDS处理后应及时涂胶HMDS处理不能过度安全使用HMDS涂

4、胶（Coating）涂胶就是采用旋转涂敷的方法，在圆片衬底上均匀的涂上一层一定厚度的光刻胶。旋转涂敷主要受到以下几个因素的影响，它们彼此作用，或相互增强或相互减弱结果光刻胶的流动性光刻胶中树脂成份中分子间的束缚力旋转离心力光刻胶溶剂的挥发力涂胶去边规范：AL、CP层次2-3mm其他层次1-2mm☆涂胶的关键在于控制膜厚及其均匀性影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数：[括号内的值为实际工艺参数设置]环境温度（23°C)环境湿度(40%)排风净压力(5mmaq)光刻胶温度(23°C+/-0.5）光刻胶量（1.2-1.5cc)旋转马达的精度和重复性回吸量预旋转速度预旋

5、转时间最终旋转速度最终旋转时间最终旋转加速度涂胶（Coating）涂胶——均匀性的影响因素(1)涂胶——均匀性的影响因素(2)软烘（SoftBake）软烘目的：去除光刻胶中的溶剂增加粘附性提高E0的稳定性减少表面张力软烘方法：热对流烘箱红外线辐射接触式（接近式）热板软烘的关键控制点是温度和时间(90℃/60s)PostExposureBakeDeveloperHardBake显影基本流程HP：HOTPLATECP：COOLINGPLATEIND：INDEXERSDP：SPINDEVELPERTR：TRANSFERUNITDNS显影系统图：HP/HPHP/CP

6、HP/CPHP/HPIND4IND3IND2IND1TRSDPSDPINDHPCPINDSDPHP显影菜单（DNS5#）介绍FLOWDATA：F-STEPNO.BASICFLOWPARALLELFLOWSTNO.U-NO.U-NAMEJ-NO.U-NAMEJ-NO.U-NAMEJ-NO.U-NAME1S11INDEX-A215HP6HP317CP9CP413POSI-DEV4POSI-DEV518HP10HP6E11INDEX-A12345/6HP7/9CP3/4DEV8/10HP显影前烘焙（PostExposureBake）目的：降低或消除驻波效应PEB温

7、度一般要求比软烘高15-20°CPEB一般采接近式热板烘焙PEB的关键控制点是温度与时间的工艺条件为：112℃/60s驻波效应（StandingWave）驻波效应原理：由于入射光与反射光产生干涉使沿胶厚的方向的光强形成波峰和波谷产生的降低或消除驻波效应的方法：PEB加抗反射层：用有机(TARC/BARC)&无机材料(TIN)染色剂NOPEBPEBFootingandUndercut显影（Develop）目的：简单的说就是去除已曝光部分的光刻胶显影方法：浸润显影（TANK）喷雾显影（SPRAY）静态显影（PUDDLE）影响显影的因素：显影液成份、显影液温度环境

8、温度、环境湿度显影液量、显影方式、程序坚膜（Hard