选修三《物质结构与性质》备考策略.ppt

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1、新课标全国Ⅰ卷《选修三》一轮复习备考策略淄博七中丁继会一、新课标全国Ⅰ卷考查形式2013年：37题（12个空）硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。回答下列问题：(1)基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为______，该能层具有的原子轨道数为______，电子数为________。(2)硅主要以硅酸盐、________等化合物的形式存在于地壳中。(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以________相结合，其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置贡献________个原子。(4)单质硅可通过甲硅烷(SiH

2、4)分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介质中反应制得SiH4，该反应的化学方程式为_______________________________。(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实：①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因是__。②SiH4的稳定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是_________________________。(6)在硅酸盐中，SiO四面体(如图a)通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图b为一种无限长单链结

3、构的多硅酸根，其中Si原子的杂化形式为________，Si与O的原子数之比为________，化学式为________。化学键C—CC—HC—OSi—SiSi—HSi—O键能/(kJ·mol－1)356413336226318452考点：以“硅”为载体，考查了：1、原子核外电子排布知识（能层符号、轨道数、能层上的电子数），注意硅原子3p轨道有一个空轨道，但计算轨道数时要算上空轨道，为易错点。2、元素存在形态3、微粒间作用力类型的判断（类比法）4、分摊法应用（类比金刚石晶胞，相对陌生，有难度）5、给定信息型反应方程式的书写6、键能及其应

4、用（与物质稳定性的关系——解释同系物的种类和数量、分子的稳定性及转化趋势，有深度和难度）7、原子轨道杂化方式判断8、晶胞（硅酸根和多硅酸根）的计算（还是分摊法，求原子个数比以及化学式，非常规晶体，知识的迁移）评析：37（1）很多考生能层、能级概念不清，题目要求答能层符号，很多考生却作答为3p；37（3）很多考生能够作答出“共价键”，而后一空写4、1/2、3、6等的考生不乏其数，说明对于金刚石晶胞感觉陌生；37（5）在作答时，很多考生不能从键能对比的角度进行分析，而是从原子半径、非金属性、电离能等角度作答，对题目信息“视而不见”；另外，答

5、题时不能从对比的角度把化学键对物质稳定性的描述清楚。37（6）没有考常规的立体晶胞，而是将“分摊法”延伸至了硅酸根，难度不大，但因学生的陌生感而易出错从而把比值和化学式求错。化学与技术第48页2014年：37题（10个空）早期发现的一种天然准晶颗粒由Al、Cu、Fe三种金属元素组成。回答下列问题：（1）准晶是一取的措施种无平移周期序，但有严格准周期位置序的独特晶体，可通过方法区分晶体、准晶体和非晶体。（2）基态Fe原子有个未成对电子，Fe3+的电子排布式为。可用硫氰化钾检验Fe3+，形成的配合物的颜色为。（3）新制备的Cu(OH)2可将

6、乙醛(CH3CHO)氧化成乙酸，而自身还原成Cu2O。乙醛中碳原子的杂化轨道类型为，1mol乙醛分子中含有的σ键的数目为。乙酸的沸点明显高于乙醛，其主要原因是。Cu2O为半导体材料，在其立方晶胞内部有4个氧原子，其余氧原子位于面心和顶点，则该晶胞中有个铜原子。（4）Al单质为面心立方晶体，其晶胞参数a＝0.405nm，晶胞中铝原子的配位数为。列式表示Al单质的密度g·cm－3(不必计算出结果)以Al、Fe、Cu三种金属为载体，考查了：1、晶体、非晶体、准晶体的区别方法（名称）2、原子结构、元素核外电子排布知识（未成对电子个数判断；排布式

7、书写）3、配合物相关知识（Fe3+与SCN—形成的配合物颜色判断）4、杂化轨道知识（乙醛分子中碳原子杂化轨道类型判断；σ键数目判断）5、氢键与物质（物质）性质关系。（乙酸沸点明显高于乙醛）6、运用“分摊法”求算晶胞（Cu2O—无视图，只有文字信息）中原子个数7、晶胞配位数求算（Al晶胞，—无视图，只有文字信息）8、晶胞（Al）密度计算的知识考察。考点：评析：37（1）“X-射线衍射”，术专业术语，学生多是忘了名称或是写成别的文字，正确率不高。37（3）学生可能答不准确或是不规范，例如把“氢键”写成“H键”，把“分子间氢键”写成“分子内氢

8、键”等37（3）（4）题目中把Cu2O以及Al的晶胞没有直接呈现出来，而是以文字信息的形式呈现，一定程度上增加了难度，侧重考查学生空间想象能力、知识运用能力。但毕竟是学生熟悉的知识，所以难度不大。最后一空晶