LCD生产工艺流程.ppt

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1、LCD制造部2007年02月08日LCD工艺流程曝光前清洗及涂光刻胶显影/酸刻TOP/PI摩擦装配CSTN/STN液晶显示屏生产线图形段来料玻璃清洗涂感光胶前烘曝光显影显影检查后烘酸刻图形检查清洗:机械清洗如刷洗、冲洗,超声波清洗,臭氧洗、UV清洗,溶剂洗等评价手段:接触角、强光检查表面、显微镜检查涂感光胶:正性胶、负性胶,我们使用正性胶。评价手段:膜厚度、显影效果、去除效果曝光:由光路产生的平行紫外线曝光,接触式、恒温、自动对位评价手段:光强均匀性、对位精度、图形精度酸刻:盐酸、硝酸混合物,温度对酸刻效果影响大,温度过低生产效率降低快,过高同光刻胶有反应,生产物质难以

2、脱膜除去。也可以使用4价铁离子作为酸刻剂。评价手段:线条宽度、微短路、侧蚀主要不良:断路(ITO线断开)/短路(不该相连的两条ITO线连在一起)浮胶微断微断短路短路短路原材料玻璃极板ITO层Substrate工艺环境:工艺环境:净房洁净度1000级,温度:23±2℃,湿度:55±15%RH。工艺条件:KOH:纯水=3:100(3~4%KOH溶液);温度:40±2℃,IR炉板实际温度100±10℃。每月测一次。UV照度:≥19.6mu/cm2.每月测一次.工艺重点管控:清洗液及DIW的温度、流量,玻璃传送的节拍,毛轮的压入量,气刀的压力、角度,DIW的电阻率(离子的含量)

3、不小于15兆欧,过滤芯的规格及定期更换等。工艺环境:净房洁净度100级,温度:23±2℃,湿度:55±5%RH,黄灯区。预烘温度:玻璃表面实际温度100±5℃,100~120秒。光积量为100~150mj/cm2。工艺重点管控:光刻胶粘度,涂胶轮转数、压入量,光刻胶前烘温度及时间,洁净度等。光强强度及其分布,曝光机内温度,环境的温湿度及洁净度,CF玻璃的流向及曝光精度(±2u)等工艺环境:净房洁净度1000级,温度:23±2℃,湿度:55±10%RH。工艺条件:显影剂溶液的浓度:0.70~0.73%的KOH,温度:23±2℃,坚膜炉温度:玻璃表面实际温度130±5℃,1

4、00~120秒。工艺重点管控:显影液浓度及温度、喷淋的流量,玻璃节拍,过滤芯规格及定期更换,光刻胶后烘温度及时间,气刀压力等。工艺环境:净房洁净度1000级,温度:23±2℃,湿度:55±10%RH。工艺条件:酸刻液配比:纯水:HCl:HNO3=10:20:1(体积比);HCl浓度36~38%,HNO3浓度65~68%,酸刻液当量浓度:7.0~7.5N,脱膜液:5±1%KOH溶液;温度:40±1℃工艺重点管控:酸刻液/脱膜浓度及温度、喷淋的流量,玻璃节拍,过滤芯规格及定期更换,气刀压力等。定向段TOP前清洗TOP印刷TOP主固化PI前清洗PI印刷PI主固化PI预固化摩擦

5、清洗清洗:机械清洗如刷洗、冲洗,超声波清洗,臭氧洗、UV清洗,溶剂洗(KOH溶液等)等,评价手段:接触角(小于7度)或蒸汽检查。PI印刷:电压主要影响因素,定向效果(显示均匀性等)的关键评价手段:膜厚、尺寸位置、均匀性固化:主要有炉子固化和热板固化两种评价手段:温度均匀性、温度曲线摩擦:用绒毛布在玻璃表面打磨出均匀定向沟槽评价手段:蒸汽检查摩擦效果主要不良:PI斜纹/PI白条/PI黑条/显示不均等工艺环境:工艺环境:净房洁净度100级;温度23±2℃;湿度55±5%RH; 机器内洁净度100级;温度23±2℃;湿度48±5%RH;工艺条件:单面印TOP固化工艺(即CF玻

6、璃不印刷TOP固化工艺):UV光积量:6000MJ/MM² TOP主固化温度:300℃工艺重点管控:清洗液浓度及温度、喷淋的流量,玻璃节拍,过滤芯规格及定期更换,气刀压力,UV光积量,温度曲线等。TOP/PI印刷标记工艺环境:工艺环境:净房洁净度100级;温度23±2℃;湿度55±5%RH; 机器内洁净度100级;温度23±2℃;湿度48±5%RH;工艺条件:双面都需要印刷PI,PI预固化温度70~80℃ PI主固化温度:230℃工艺重点管控:清洗液浓度及温度、喷淋的流量,玻璃节拍,过滤芯规格及定期更换,气刀压力,UV光积量(UV清洗),温度曲线等。工艺环境:净房洁净度

7、1000级,温度:23±2℃,湿度:65±5%RH;机器内温度23±2℃,湿度58±5%RH;工艺条件::转速为1000rpm,台板前进速度为30mm/s;设置压入量:0.3mm;摩擦角度一般STN/FSTN/CSTN扭曲角240~260度。工艺重点管控:摩擦效果/压入量/摩擦力矩/摩擦角度。印框预烘点胶贴合热压印点预烘喷粉丝印:用聚酯、尼龙、钢网在单个CELL四周印刷一个起密闭作用的环氧树脂胶框,同时导通点起上下片导通作用评价手段:丝印下胶量、热压后延展效果热压:贴合后的玻璃在加压加热的环境下,环氧树脂交连固化,一般分热压夹具、气囊、热

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