IGBT并联使用介绍-26页.pdf

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1、IGBT并联应用-ShanghaiDisti&SalesTraining,2008-12英飞凌科技（中国）应用工程师赵振波内容!影响并联均流主要因素!静态均流!动态均流!均衡措施30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page2IGBT并联及原因IGBT并联!芯片之间!桥臂之间!模块之间优点!高功率密度!较好性价比“FZ”->”FZ”!较好热分布!灵活连接方式“FS”->”FF”“FF”+”FF”->“FF”30-Dec-08Copyright©Infi

2、neonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page3主要因素>IGBT参数因素静态动态均流均流饱和电压V"CEsat(I,V,T)cGEvjop"电流Ic(V,T)GEvjop开启电压V"GEth开关时间t,t,t,t"dondoffrf(依靠驱动器)工作结温T""vjop30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page4主要因素>系统设计因素静态动态均流均流功率换流回路杂散电感"等值电阻"驱动回路驱动器输出阻抗"对称

3、驱动"回路寄生参数"30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page5静态均流>饱和电压V差异CEsat12等值斜率电阻RIc1c2注释:!第二代NPT/第三代Trench-FieldstopIGBT饱和压降V呈正态分布,较集中;cesat!具有相同芯片技术/类型以及生产日期的模块建议被并;!如果可能,同一包装的IGBT模块被并;30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrights

4、reserved.Page6静态均流>饱和电压V温度特性CEsatVCEsatvs.Ic(非贯穿型芯片）VCEsatvs.Ic（沟槽栅场终止型芯片）注释：!正温度系数特性的V将有益于并联IGBT静态均流;CEsat30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page7静态均流>换流回路等值电阻IcIc2Ic1Rs2

5、母排或故意开有规律孔的母排;30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page8静态均流>换流回路等值电阻>测试波形不同并联点同一并联点注释:静态均流可能在很大程度上会被换流回路等值电阻的差异性所影响。30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page9动态均流>传输特性V=20Vce注释:!不同传输特性的IGBT模块并联会影响动态均流;!不同门极开启电压V;GEth30-D

6、ec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page10动态均流>传输特性差异所引起问题!不同传输特性会产生的影响:->不平衡的动态均流;->不同开关损耗,尤其关断;!米勒平台阶段,保持相同门极电压会产生的影响:->传输特性快的IGBT将引起较高电流;->较高开关损耗;30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page11动态均流>门极电阻建议无Re有Re建议:R=1/3REGONR=

7、2/3RGGON开通关断30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page12动态均流>驱动设计和回路影响:!方案-驱动器核+有源/无源适配板-驱动器核+连接电缆-定制驱动器!驱动器回路杂散电感!驱动器输出阻抗!驱动器传输延时注释：有时可能寄生电容和较大驱动回路杂散电感会产生较严重的震荡。30-Dec-08Copyright©InfineonTechnologies2006.Allrightsreserved.Page13动态均流>建议驱动方案一个驱动核+

8、n✕有源适配板特点:!快速驱动信号,易实现并联模块驱动对称性;!独立控制;!驱动功率源于适配板;!可以用小电流驱动器;!消除驱动连接电缆之间差异性;封装结构:EconoDUAL3PrimePACKIHM/I