LED芯片制造工艺基础培训讲解.ppt

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时间:2020-03-22

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1、身边的LEDLED种类LED构造认识制造二部综合测试化学站综合站黄光站合格品去胶、清洗、湿法腐蚀在外延片表面形成指定图形的光刻胶保护膜薄膜、干刻、熔合产品光电参数、外观、打线、推力、热膜等测试研磨(制造三部)LED芯片制程简表前处理Mesa工艺ITO工艺P/NPad工艺SiO2工艺检测综合站6ITO蒸镀14SiO2沉积18电性19打线20推力21拉膜22外观黄光站3Mesa光刻7ITO光刻10P/NPad光刻15光刻SiO2化学站1去铟球8ITO蚀刻、去胶11Plasma清洗16SiO2蚀刻、去胶综合站4

2、Mesa刻蚀9ITO熔合12P/NPad蒸镀17金属熔合化学站2外延清洗5去胶、清洗13金属剥离去胶实物图EPIEPIEPIEPI注:以上制程适合部分版型,实际已制程单为准pNMQW衬底效果图为了确保ITO薄膜与外延片的充分接触,在镀膜前需要进行铟球剔除与一系列的清洗作业(1)ITO蚀刻液去除铟球(2)511具有极强的氧化性,能够有效去除外延表面的有机杂质与金属离子(3)稀HCl外延表面去除金属离子去膜剂511稀HCl冲水甩干ITO蚀刻液外延清洗干净与否直接影响到ITO与外延的粘附力!及其关键!点有铟球的

3、外延片外延清洗不干净导致缺陷前处理Mesa工艺ITO工艺P/NPad工艺SiO2工艺检测综合站黄光站化学站1去铟球综合站化学站2外延清洗软烘曝光显影坚膜匀正胶365nm紫外光匀胶台曝光台软烤、坚膜前处理Mesa工艺ITO工艺P/NPad工艺SiO2工艺检测综合站黄光站3Mesa光刻化学站1去铟球综合站化学站2外延清洗光刻胶的主要成分:Resin:Filmmaterial(Polymer):酚醛树脂,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解抑制剂存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中的PAC:PhotoAc

4、tiveCompound,光敏化合物,最常见的是重氮萘醌(DNQ),在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解抑制剂,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。Solvent::醋酸溶剂,提高流动性i-LinePRPhotoreactioninPR/airketenehvH2OOH-CarboxylicAcid黄光站湿度、温度的重要性光刻知识:前处理Mesa工艺ITO工艺P/N

5、Pad工艺SiO2工艺检测综合站黄光站3Mesa光刻化学站1去铟球综合站化学站2外延清洗离子化Cl2+BCl3RF源ICP刻蚀通过ICP(感应耦合等离子体)干刻,去除不需要的P-GaN和MQW,露出N-GaN。前处理Mesa工艺ITO工艺P/NPad工艺SiO2工艺检测综合站黄光站3Mesa光刻化学站1去铟球综合站4Mesa刻蚀化学站2外延清洗去胶、清洗刻蚀深度测试去胶后每批抽1片进行刻蚀深度测试,确保已经刻到N-GaN重掺层,刻蚀过深或过浅都会影响到芯片的多项光电参数(Vf1等)。去膜剂前处理Mesa工

6、艺ITO工艺P/NPad工艺SiO2工艺检测综合站黄光站3Mesa光刻化学站1去铟球综合站4Mesa刻蚀化学站2外延清洗5去胶、清洗为了电流更好地扩展到芯片的整个面域,增加发光区,并且不能挡住光的射出,需要蒸镀一层导电且透光的薄膜——ITO.E-beamITO靶材ITO蒸镀机透光率、面阻测试ITO为以掺Sn的In2O3材料,属于N型氧化物半导体材料,通常Sn2O3:In2O3=1:9。监控参数:面电阻、透光率、膜厚、蚀刻率,整体评价ITO膜质量。熔合后合格透光率>92%,面租值5~35Ω,膜厚:2400A

7、前处理Mesa工艺ITO工艺P/NPad工艺SiO2工艺检测综合站6ITO蒸镀黄光站3Mesa光刻化学站1去铟球综合站4Mesa刻蚀化学站2外延清洗5去胶、清洗匀正胶软烤曝光显影坚膜365nm紫外光匀胶台曝光台软烤、坚膜前处理Mesa工艺ITO工艺P/NPad工艺SiO2工艺检测综合站6ITO蒸镀黄光站3Mesa光刻7ITO光刻化学站1去铟球综合站4Mesa刻蚀化学站2外延清洗5去胶、清洗ITO蚀刻液去膜剂该步的目的是:通过化学腐蚀方法,清除因ICP刻蚀所溅出的ITO残粉,避免MQW处因ITO残粉粘附而导

8、致漏电或者ESD不良。Mesa侧壁残留前处理Mesa工艺ITO工艺P/NPad工艺SiO2工艺检测综合站6ITO蒸镀黄光站3Mesa光刻7ITO光刻化学站1去铟球8ITO蚀刻、去胶综合站4Mesa刻蚀化学站2外延清洗5去胶、清洗E-Gun蒸镀出来的ITO薄膜存在晶格缺陷,在N2气保护下进行高温退火处理,可有效修复ITO薄膜中的晶格缺陷,消除内应力,改善膜的透光率与面阻值N2N2高温ITO熔合炉Frenkel缺陷线l缺陷完整晶格

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