基于Fluent的功率屏蔽结构体热仿真研究.pdf

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1、·杌械研究与应用·2014年第6期(第27卷,总第134期)研究与分析基于Fluent的功率屏蔽结构体热仿真研究韩宝庆,李婧铱,秦文科,马新生,郭刚涛(航天天绘科技有限公司西安分公司,陕西西安710100)摘要:工业应用中,大量电子设备工作过程中都伴随着热量的产生,控制好设备温度对于保障工作质量至关重要。笔者将研究某功率屏蔽体在工作过程中,功率放大器等发热元件产生的热量在结构体内部的分布情况,并得出体内的温度分布云图。关键词:数值模拟:功率屏蔽;FLUENT;流场分布中图分类号:QOS1.1文献标志码:A文章编号

2、:1007—4414(2014)06—0043—03SimulationResearchonTemperatureFieldofPowerShieldingStructureBasedonFluentHANBao—qing,LIJing—yi,QINWen—ke,MAXin—sheng,GUOGang—tao(Xi"anBranchofAerorslnc,Xi"anShaanxi7101O0,China)Abstract:Intheindustrialapplications,alargenumberofelec

3、tronicequipmentsareeasilytoproduceheatinworkingprocess,SOitisveryimportanttocontroltemperatureofequipmentsSOastoguaranteetheworkingquality.Inthisarticle,wewillstudyheatdistributionofheatingcomponentssuchasthepoweramplifierofapowershieldingstructureduringworki

4、ngprocess.Consequentlywecangetthecloudpictureoftemperaturedistributioninsideofthestructure.Keywords:numericalsimulation;powershielding;FLUENT;flowfielddistributionO引言耗散率的方程,形成了k-8双方程模型,称之为标某功率屏蔽结构体内装有PCB板,板上有4块准一模型。标准k-6模型是由Launder、Spa1.芯片,且不规则的分布在PCB板上,结构体上方

5、有盒ding在1972年提出的。模型中的8定义为:盖进行密封。在正常工作过程中,芯片为主要发热元盟=f1f1(1)件,将产生一定热量,这些热量超过安全要求时对于POxk1Oxk/设备来说是一种危害,因此应及时的进行散热,通过湍动粘度可表示成k与g的函数,Up:传递给PCB板,再依次传递给结构体,然后由壳体外表面散失到空气介质中。由此可以看出,PCB板上芯譬(2)片功率的大小、材料的选择以及安装位置都决定着设标准k-e模型的输运方程为:备的安全使用要求,下面将针对功率屏蔽结构体内的O(pu~k)旦+Ot=温度场分布

6、进行模型建立,并对其进行仿真分析。OxL\。rr.,鞠OxJ+1理论基础Gk+Gb—p一yM+Sk(3)根据流体的物理属性或者结构属性,一般可分O(pUiE)旦+Ot=为:理想流体和粘性流体、牛顿流体和非牛顿流体、可以Ox【\。rr)/OxJ+压缩流体与不可压缩流体、定常流动与非定常流动、外部流动与内部流动、层流和湍流j。而该例中燃c}(G+c,G)一譬(4)烧器的模型主要使用湍流模型进行建立。其中:Gf垫Oxj+鬻)OUi(5)1.1湍流模型的介绍湍流模型有很多种,常见的有k-e模型、Spalart—G=tx,

7、OT(6)Allmaras单方程模型、RSM雷诺应力模型、LES大涡模拟模型等】。k一模型是双方程模型,在S—A模卢一古券㈩型的基础上,引入一个湍动耗散率的方程。一8模,,M=2ps(8)型可分为目前标准、可实现、重整化三种模型,标准kM.:(91一占模型最为常用。下面对标准k-6模型作以介绍。在湍动能k方程的基础上,引入一个关系到湍动收稿日期:2014—11—14作者简介:韩宝庆(1988一),男,工学硕士,助理工程师,研究方向:天线结构设计与仿真。·43·研究与分析2014年第6期(第27卷,总第134期)·

8、机械研究与应用·0=Jrnr(10)为:式中:G是平均速度梯度引起的湍动能产生;yM是s=()+鲁)+击()+可压缩湍流脉动膨胀对总的耗散率的影响;G是浮力影响引起的湍动能产生;CC、C,均为经验常(AV.)(15)数;or、分别为湍动能和湍动耗散率对应的普朗特数;Pr为湍动普朗特数,默认取Pr=0.85;萤为重力Sy=击(等)+Our)+击()+加速度在i方向上的分量;

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