电子技术复习题及参考答案.doc

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1、中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1.在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。2.晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。3.硅稳压管的工作为_区。4.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。5.已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈。8.为了稳定放大倍数，应引入负反馈。9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈；深度负反馈的条件是。10.为了减小放大电路的输入电阻，

2、应引入负反馈。11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态。14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成。图115.在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路。16.直流电源由、、和四部分组成。17.串联型稳压电路由、、和四部分组成。18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。19.NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真；乙类功放电路的主要缺点是输出有

3、失真。20.比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。22.存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。25.某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。26.将Intel2114(1K*4位)RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是，需要增加的地址线是条。27.RAM的扩展可分为、扩展两种。28.按照逻辑功能，触发器可以分为、、、T和T’触发器。29.若将JK触发器转换成T触发器，则令。30.J

4、K触发器的特性方程为；D触发器的特性方程为。31.触发器按动作特点可分为型、型、型和型。32.TTL门电路输出高电平为V，阈值电压为V。33.CMOS门电路输出高电平为V，阈值电压为V。34.某n位D/A转换器的分辨率为。35.ADC和DAC最重要的两个性能指标是：和。36.4位DAC的最大输出电压为5V，当输入数据为0101时，它的输出电压为V。37.对8位D/A转换器，若，当输入数字量为10000000时，输出电压为V。38.四选一数据选择器的数据线有根，地址线有根。39.若有n个逻辑变量，则可以得出种不同取值的组合。40.若3位二进制减法计数器正常工作时，由000状态开始计，则经

5、过15个输入计数脉冲后，其状态变为。41.GAL是可编程，EPROM是可编程。42.单稳态触发器的主要用途是。43.已知，其反函数为。44.3-8译码器的输入线有根，输出线有根。45.如图2所示，A=0时，Y=；A=1，B=0时，Y=；46.如图3所示为TTL的TSL门电路，EN=0时，Y为，EN=1时，Y=。图347.，Y的最简与或式为；48.单稳态触发器有个稳定状态.，多谐振荡器有个稳定状态。二、单项选择题：1.N型半导体是在本征半导体中加入以下哪种物质形成的。[]A.电子B.空穴C.三价硼元素D.五价磷元素2.晶体管工作于放大状态时，下列哪种说话正确。[]A.发射结正偏、集电结反

6、偏B.发射结正偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏3.测得工作在放大状态的三极管三个电极电位U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V，则可以断定该管为[]A.PNP型Ge管B.PNP型Si管C.NPN型Ge管D.NPN型Si管4.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为[]A.83B.91C.1005.UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有[]A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管6.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是[]A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受

7、温度影响D.电源电压不稳定7.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以[]A.减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻8.的最简与或式为[]A.B.C.D.9.与相等的表达式为[]A.B.C.D.10.一个TTL同或门（输入端为A、B）当作反相器使用，则A、B端应[]①A或B中有一个接1②A或B中有一个接0③A和B并联使用11.直流稳压电源中整流电路的目的是[]A.将交流变为直流B.将高频变为低频C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉12.集成