CVD-1100设备工作原理.ppt

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1、CVD-1100设备工作原理一、设备构成二、工作原理三、日常维护目录CVD-1100型等离子化学气相沉淀设备主要有以下几个部分组成:1.真空系统(泵组部分),2.淀积部分,3.特气系统,4.射频系统。原理图如下所示:一、设备构成1、真空系统如上图所示,真空系统主要由一系列泵和波纹管及阀门等组成,主要作用是:维持淀积腔室真空状态,保持腔室压力稳定,及时抽走反应生成的颗粒(硅粉等)。2、淀积部分此部分主要包括沉积炉和工件架,主要作用是淀积所需膜质沉积温度:200-230℃沉积压力:0.5-1Torr(50-133Pa)3、特气

2、系统主要有管道和电磁阀组成,主要作用是提供成膜所需要的特气及吹扫腔室的气体。反应气体:Ar、CH4、B2H6、H2、SiH4、GeH4、PH3清洁气体:NF3吹扫气体:N2质量流量计量程:TMB(三甲基硼C3H9B)、PH3、GeH4:4000scmAr、CH4、SiH4:15000scmH2:30000scm4.射频系统主要由RF射频电源柜组成,18分立电源控制18个电极,可对单个电极进行调节。二、工作原理1.真空系统工作原理开始开维持泵开机械泵开预抽阀抽真空至500Pa开罗茨泵,关旁路阀抽真空至5Pa抽真空至本底真空开

3、高阀开前级阀关罗茨泵开旁路阀关预抽阀2.沉积工作原理在沉积腔室一定的低真空状态下,通入反应气体,待气流稳定后,打开射频电源对反应气体进行电离,进而生成所需要的膜质。反应流程如下所示:导入工件架接通电极、特气管道、接地试起辉(电源设定50W)开预抽阀(500Pa)开罗茨泵(5Pa)开前级阀,高阀(抽本地真空)通入反应气体(3分钟内流量稳定)起辉(3分钟内起辉稳定)沉积吹扫(Ar最大流量,3次)解除电极连接、特气连接、接地连接缓慢拉出工件架清洁腔室冷却三、日常维护每日操作人员需对沉积炉、泵、循环水、特气、RF电源,加热等系统点

4、检。THEENDTHANKS!

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