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1、半導體製程簡介部門ASI/EOL報告人SaintHuang半導體製造流程晶圓製造封裝晶圓針測測試Front-EndBack-End晶粒(Die)成品半導體製程分類I.晶圓製造II.晶圓處理III.晶圓針測IV.半導體構裝V.半導體測試I.晶圓製造晶圓製造流程單晶生長多晶矽原料製造晶圓成形晶圓材料晶圓材料分類:元素半導體:矽,鍺化合物半導體:碳化矽(SiC),砷化鎵(GaAs)矽的優缺點:優點:存量豐富,無毒,穩定之氧化鈍態層,製造成本低缺點:電子流動率低,間接能階之結構多晶矽原料製造(西門子法)
2、矽砂+碳(SiO2)低純度矽(冶金級矽,98%)氯矽化合物(SiHCl3….)SiHCl3多晶矽棒高溫電弧爐還原無水氯化氫蒸餾純化氫氣還原及CVD法敲碎單晶生長技術柴氏長晶法:82.4%磊晶法:14.0%浮融帶長晶法:3.3%其它:0.2%(1993年市場佔有率)長晶程序(柴式長晶法)矽金屬及摻雜質的融化(Meltdown)頸部成長(NeckGrowth)晶冠成長(CrownGrowth)晶體成長(BodyGrowth)尾部成長(TailGrowth)晶體晶冠頸部尾部柴氏長晶法示意圖充入鈍氣上拉
3、旋轉加熱線圈坩堝晶種頸部晶冠晶體熔融矽單晶成長流程圖抽真空測漏氣率(1hr)坩堝加熱融化多晶矽塊(7hrs)等待穩定平衡(2hrs)頸部成長(1hr)晶冠成長(2hrs)晶體成長(30hrs)尾部成長(5hrs)冷卻(4hrs)晶柱後處理流程晶邊研磨長晶外徑研磨與平邊切片晶圓研磨化學蝕刻拋光清洗檢驗晶圓切片(Slicing)SinglecrystalrodWafer晶圓切片流程晶棒黏著切片晶圓清洗規格檢驗內徑切割機晶邊圓磨（Edgecontouring）目的防止晶圓邊緣碎裂防止熱應力之集中增加光
4、阻層在邊緣之平坦度方式輪磨化學蝕刻晶面抹磨輪磨示意圖晶圓真空吸盤鑽石砂輪晶面研磨(Lapping)去除鋸痕與破壞層平坦化(降低粗糙度)化學蝕刻(Etching)目的:去除加工應力所造成之損傷層,以提供更潔淨平滑表面蝕刻液種類酸系:氫氟酸,硝酸,醋酸混合鹼系:氫氧化鈉,氫氧化鉀以研磨劑中之NaOH,KOH,NH4OH腐蝕最表層,由機械磨擦進行拋光邊緣拋光降低微粒附著增加機械強度表面拋光去除微缺陷平坦化晶圓晶圓拋光(Polishing)晶圓清潔(Cleaning)(一)SC-1(RCAstandar
5、dclean1)化學品:NH4OH,H2O2,H2O目的:清除微粒子SC-2(RCAstandardclean2)化學品:HCl,H2O2,H2O目的:清除金屬粒子晶圓清潔(Cleaning)(二)SPM(PiranhaClean)化學品:H2SO4,H2O2目的:清除有機物質DHF(DiluteHFClean)化學品:HF,H2O目的:清除表層氧化物II.晶圓處理晶圓處理流程微影製程薄膜沉積蝕刻氧化反應摻雜金屬化製程氧化反應(Oxidation)目的:獲得SiO2層(如場氧化層)做為元件絕緣體
6、材料方法:乾式氧化法Si+O2SiO2濕式氧化法Si+2H2OSiO2+2H2薄膜沉積(Deposition)物理氣相沉積(PVD)主要應用範圍:金屬材料化學氣相沉積(CVD)主要應用範圍:介電材料,導體材料,半導體材料物理氣相沉積--蒸鍍(Evaporation)接真空系統蒸鍍室晶片與晶座蒸鍍源坩堝加熱物理氣相沉積--濺鍍(Sputtering)晶片濺鍍源正電極負電極電漿濺鍍機化學氣相沉積(a)氣體擴散(b)反應物被吸附(c)化學反應與沉積(d)未參與物脫離(e)未參與物抽離主氣流介面邊界層微
7、影製程(Photolithography)去水烘烤去除光阻光阻塗佈軟烤曝光曝光後烘烤顯影硬烤光阻光阻材料及作用樹脂:黏合劑感光材料:光活性強之化合物溶劑:使光阻以液體方式存在分類:正光阻:遇光溶於顯影劑負光阻:產生鏈結,使結構增強,不溶於顯影劑光阻塗佈曝光接觸式曝光:解析度好,但光罩易被污染近接式曝光:光罩不被污染,但解析度降低投影式曝光:解析度佳,且光罩不被污染,目前工業所用光罩曝光概念圖晶座晶片光罩接觸式鏡子光源過濾器聚集鏡片光罩縮影鏡片晶片投影式蝕刻(Etching)目的:除去微影製程中沒
8、被光阻覆蓋部份的薄膜蝕刻技術:乾式蝕刻濕式蝕刻底材薄膜光阻摻雜(Doping)目的:增加導電性如N型半導體加入砷離子,P型半導體加入硼離子常用方法擴散法離子植入法加速器離子植入機離子束晶片離子植入法示意圖IC製程簡圖(一)晶圓二氧化矽(SiO2)光阻(Photoresist)氧化反應,薄膜沉積及光阻塗佈薄膜(Si3N4)晶圓光罩曝光(A)(B)IC製程簡圖(二)晶圓晶圓二氧化矽已顯影光阻蝕刻去除光阻顯影離子植入晶圓參雜物薄膜晶圓(C)(D)(E)(F)IC製程簡圖(三)金屬沉積微影製程金屬蝕刻去
