动态可重构技术浅述.doc

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1、“半导体技术”2008年第9期摘要趋势与展望P737-相变随机存储器材料与结构设计最新进展P743-193nm浸没式光刻材料的研究进展P748-高效率高亮度半导体激光器技术进展技术专栏P752-半导体制程废气处理技术实践P756-高纯氢气系统的处理技术器件制造与应用P759-CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器P762-GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器P766-GaAs垂直结构PIN二极管限幅器P769-InP基异质结界面暗电流C-V测试分析P772-500V耗尽型NLDMOS器件研究P776-用于LED的微透镜阵列的光学性能研究P780-一款微波双极晶体管的设计和实现P784-双栅氧

2、LDMOS器件工艺技术的研究与改进P786-Cu/Ta/SiO2/Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究P791-SI损伤缺陷分析与解决方案P793-<511>晶向GaAs单晶主次参考面的确定P796-功率场效应晶体管晶圆超薄磨片工艺开发P79&Si中场致光整流效应的研究封装测试与设备P801■微电子器件静电损伤实验P803-原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究P807■微波功率晶体管的热失效分析P810-高温氧化扩散炉温度控制系统自整定技术P814-相位噪声测试系统比对方法研究集成电路设计与开发P817-符合ISO/IEC18000-6C标准的UHFRFID读写器设计P821-片上锁相环调

3、谐的低功耗中频复数滤波器设计P825-低功耗RFID电源产生电路的优化设计P829-基于WiMax的OFDM模式的低开销FFT设计P833-基于PIC单片机的温度控制器P836-频率测量单片集成电路的研究趋势与展望P737-相变随机存储器材料与结构设计最新进展刘波，宋志棠，封松林（中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室，上海200050）摘要：介绍了相变随机存储器（PCRAM）的研究现状，包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点，介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相

4、变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展，最后提出了我国发展PCRAM的几点思考。关键词：相变随机存储器；相变材料；热阻层材料P743-193nm浸没式光刻材料的研究进展何鉴，高子奇，李冰，郑金红，穆启道（北京科华微电子材料有限公司，北京101312）摘要：介绍了193nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面，对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍，对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂.主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述，并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶，最后对193nm浸没式光刻材料发展趋势作了展

5、望。关键词：193nm浸没式光刻；浸没液体；顶部涂料；光刻胶P748-高效率高亮度半导体激光器技术进展李晨1,刘英斌2,宋雪云3（1中国电子科技集团公司，北京100846；2中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051；3南京大学扬州光电研究院，南京225009）摘要：半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用，近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展。综述了提高功率转换效率的技术方法和途径,指出经过工艺优化后焦耳热和阈值热将是未来激光器的主要研究内容，介绍了波长稳定的激光器的两种制作方法，即外光栅法和内光栅法，激光器的波长稳定性达到0.1nm/K以下。在外延材料结构中采用各种形式的

6、大光腔结构设计，可以扩展近场光斑，从而使半导体激光器的光束发散角达到25。甚至更低。对较热门的近衍射极限激光器的制作方法进行了介绍，分析了不同方法的优缺点及应用情况。关键词：激光二极管；功率转换效率；阈值电流密度；光束发散角；近衍射极限技术专栏P752-半导体制程废气处理技术实践陈玉峰，杨骥（上海交通大学环境科学和工程学院，上海200030）摘要：讨论了半导体制造废气处理技术与排放，包括热排气、酸性排气、碱性排气和有机排气这四种工艺废气处理设备的应用和处理原理，以及在实际的操作运行中不同系统控制参数对处理效率的影响，并通过实验确定合理的参数设定范围。特别阐述了有机废气处理技术和相关处理设备的

7、应用和操作运行，以及实现系统高效节能运行的技术实践，对半导体厂实现环境保护以及降低气态分子级污染物对生产的影响提供了现实可行的操作依据。关键词：半导体制造；气态分子级污染物；酸性排气；碱性排气；有机排气;挥发性有机成分P756-高纯氢气系统的处理技术石洁（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050051）摘要：在高纯氢气系统，如容器.设备、管道等进行停气、焊接施工中，过去一般采用传统吹除法处理氢气系统。为