场效应管的分类.doc

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1、场效应管的分类场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的，输入电阻（105～1015）之间；绝缘栅型是利用感应电荷的多

2、少来控制导电沟道的宽窄从而控制电流的大小，其输入阻抗很高(栅极与其它电极互相绝缘)。它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。场效应管的型号命名方法　　现行场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。　　第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的

3、不同规格。例如CS14A、CS45G等。场效应管所有厂家的中英文对照表在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏

4、列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。　1．"型号"栏　表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。　2．"厂家"栏　为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：ADV美国先进半导体公司AEG美国AEG公司AEI英国联合电子工业公司AEL英、德半导体器件股份公司ALE美国ALEGROMICRO公司ALP美国ALPHAINDNSTRLES公司AME挪威微电子技术公司AM

5、P美国安派克斯电子公司AMS美国微系统公司APT美国先进功率技术公司ATE意大利米兰ATES公司ATT美国电话电报公司AVA美、德先进技术公司BEN美国本迪克斯有限公司BHA印度BHARAT电子有限公司CAL美国CALOGIC公司CDI印度大陆器件公司CEN美国中央半导体公司CLV美国CLEVITE晶体管公司COL美国COLLMER公司CRI美国克里姆森半导体公司CTR美国通信晶体管公司CSA美国CSA工业公司DIC美国狄克逊电子公司DIO美国二极管公司DIR美国DIRECTEDENERGR公司LUC英、德LUCCAS电气股份公司

6、MAC美国M/A康姆半导体产品公司MAR英国马可尼电子器件公司MAL美国MALLORY国际公司MAT日本松下公司MCR美国MCRWVETECH公司MIC中国香港微电子股份公司MIS德、意MISTRAL公司MIT日本三菱公司MOT美国莫托罗拉半导体公司MUL英国马德拉有限公司NAS美、德北美半导体电子公司NEW英国新市场晶体管有限公司NIP日本日电公司NJR日本新日本无线电股份有公司NSC美国国家半导体公司NUC美国核电子产品公司OKI日本冲电气工业公司OMN美国OMNIREL公司OPT美国OPTEK公司ORG日本欧里井电气公司PH

7、I荷兰飞利浦公司POL美国PORYFET公司POW美国何雷克斯公司PIS美国普利西产品公司PTC美国功率晶体管公司RAY美、德雷声半导体公司REC美国无线电公司RET美国雷蒂肯公司RFG美国射频增益公司RTC法、德RTC无线电技术公司SAK日本三肯公司SAM韩国三星公司SAN日本三舍公司SEL英国塞米特朗公司DIT德国DITRATHERM公司ETC美国电子晶体管公司FCH美国范恰得公司FER英、德费兰蒂有限公司FJD日本富士电机公司FRE美国FEDERICK公司FUI日本富士通公司FUM美国富士通微电子公司GEC美国詹特朗公司GE

8、N美国通用电气公司GEU加拿大GENNUM公司GPD美国锗功率器件公司HAR美国哈里斯半导体公司HFO德国VHB联合企业HIT日本日立公司HSC美国HELLOS半导体公司IDI美国国际器件公司INJ日本国际器件公司INR美、德国际整流器件公司INT