直流特性扫描分析与PROBE.ppt

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1、PSpice分析过程:绘制原理图设置仿真参数运行仿真观测并分析仿真结果直流工作点分析(BiasPointDetail):主要包括：各个节点电压；流过电压源的电流；总功耗；半导体器件的线性化参数；直流灵敏度分析(DCSensitivity)节点直流电压:电阻、独立源、控制开关、二极管、双极晶体管参数直流传输特性分析(TransferFunction)直流工作点处作线性化处理，输出端和输入端直流电压之比输入电阻输出电阻功能:直流特性扫描分析的作用是分析电路对直流信号的响应。参数设置：指定自变量和参变量并设置其变化情况.选择DC分析，出现直流特性扫描分析参数设置框，如下图：直流特性扫描分析

2、（DC分析）Sweepvariable：直流扫描自变量类型Increment、Points/Decade、Points/Octave：参数线性变化时的增量，以对数变化时倍频的采样点。注意：1.自变量必须为直流变量；2.仿真时对自变量在电路中具体取值不起作用3.选择Octave或者Decade方式变化，Start必须大于0；4.options选项可以实现参变量的设置，但一定要选中；5.正确加载输出结果为波形。1.绘制原理图增强型场效应管在PWRMOS库中的M2N665，或者选取BREAKOUT库中的Mbreak元件。2.基本参数(自变量)设置3.参变量参数设置4.输出结果电源Vi默认的

3、DC元件属性为0，不去改变它。因为它只在偏压点分析（BiasPoint)作用OrCAD/PSpice9直流扫描分析的应用—二极管V-I特性曲线步骤一：设置DCSweep直流扫描分析参数设置主扫描变量为电压源Vi,由-110V开始扫描直到10V，每隔0.01V记录一点。步骤二：存档并启动PSpice执行仿真1、在打开的Probe窗口空图，先调整X轴变量Vi为-110-10V。可以直接在X轴位置双击鼠标左键或是用PlotAxis2、选择TraceAdd左边选项SimulationOutputVariables栏内的“I（D1）”3、调整横轴与纵轴坐标以便观察门坎电压值。选PLotA

4、xisSettings...功能选项或直接X轴坐标刻度上双击左键来打开AxisSettings对话框。XAxis页内DataRangs栏下的UserDefined值设为0-2V，YAxis页内DataRangs栏下的UserDefined值设为0-5A。结果：门坎电压约为0.7V。4、再将X轴坐标刻度值设为-101V到-99V，将纵轴坐标调整为-5A到1A，结果：其雪崩电压约为100V。步骤一绘出电路图元件元件库元件编号元件种类元件设定Q1eval.olbQ2N2222三极管Vcesource.olbVdc直流电压源DC=0VIbSource.olbIdc直流电流源DC=0A0Cap

5、sym.olbGND接地元件直流扫描分析的应用—晶体三极管的输出特性曲线电压源Vce和电流源Idc的元件属性默认都为0步骤二设置直流扫描分析和直流嵌套扫描的参数主扫描变量为Vce，副扫描变量为Ib。Options栏内勾选PrimarySweep选项设置副扫描参数在Options栏内勾选SecondarySweep选项，除了X轴变量Vce已经在DCSweep的设置设为0-4V之外，Y轴变量则等待着输入选择。步骤三存档并执行PSpice仿真选择TraceAdd在AddTraces在对话框左SimulationOutputVariables栏内的“Ic（Q1）”处单击鼠标左键，PSpic

6、e窗口的输出波形区出项如图所示五条曲线。Ib将在0mA、0.1mA、0.2mA、0.3mA、0.4mA和0.5mA各扫出一线。当Ib为0.1mA时，Ic为17.8mA，所以β为17.8/0.1=178。例：以自变量为Modelparameter为例，对于下示电路，对模型Q2N2222的参数BF进行DCSweep，参数设置如上图所示，对BF的值从200分析到300，自变量以线性增长，增量为10。Modelparameter：以模型参数为自变量对于使用Globalparameter参数，必须在原理图中调用一个器件：CaptureLibraryPSpiceSpecial库中的PARA

7、M器件。然后对PARAM器件添加新属性，新属性即为一个Globalparameter参数。如新建一个RES属性。调用Globalparameter参数采用在PART的VALUE属性值中输入{RES}进行调用。点击或PSpice>Run运行PSpice，自动调用Probe模块，分析完成后，你将可以看到如下波形：结论：输出电压V(OUT1)随管子的正向放大倍数的增大而有所减小PROBE的功能基本功能——“示波器”作用以交互方式直接在屏幕上显示不同节点电压和支路