模拟电子技术基础期末试题(西安交大).doc

《模拟电子技术基础期末试题(西安交大).doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、模电试题三、计算题(每题10分，共60分)1.某放大电路输入电阻Ri=10kQ,如果用1UA电流源驱动，放大电路短路输出电流为10mA,开路输岀电压为10Vo求放大电路接4kQ负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap。]0一=1()30IV10xio-3A”=矿=rEK.h(R,//RJ=:R.王弘W_7•R103—怛二汁禺L叫，凡1xnr'X10X103'。—Aj=-jf=10-6=2x10"P=(匚)2&=4x10-6X4X103=1.6X10~2WaP°1.6X10—2§P；=I'fR,=IO-12X104=108W◎=

2、頁=―—-KbX1U2・二极管电路如图题所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求岀AO两端电压Vao。设二极管是理想的。［解］D是否导通，可先将D断开，求出若V+>V_,则D导通。若V..，故D】导通。对于D2,V+2=-15V,V_z=V_】=—12V,故0截止，S

3、o=0V。(d)对于Di,V+I=12V,V—=0,V+］>故D导通。对于D2,V+2=12V,V_2=-6V,V+2>V_t,故D2亦导通。但D-D?不可能同时导通，所以比较D,D2可知V+2—V_2-18V,V+1-V^=12V,于是咲比D先导通，故D2导通，=—6V,而。截止。03.(c)电路如图题所示，设BJT的3=80,Vbe=0.D6v,【CEO、VcES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流ICo故工作于饱和区Ic—Ics=BI肉［解］A.当S、A

4、相连吋，Ib二X心=1绡一上；叮〜o.3mA%4oxio3n当讥c=VcES=0时，饱和电流Vrr19厶=萍=805<4%10_3A=°・038mA<厶二3mAB.当S、B相连时,Vcc—VBeIm_P告沪X"A=0.024mA<氐匸作在线性放大区，因此/c=/3TB=80X0.024mA=1.92mAC.S、C相连时,Vb

5、G交流短路，故小信号等效电路如图4・22所示。300Cl1~IH"・02#F只832MQ5&10kQ-j&TT丸7“f+100kQ^ritLcOkQO图4.22图4.21（2）由欧姆定律：亿=一gm"gs・Rd，"i=Vgs+gmVgR于是，1x101+1X2〜一3>33（3）输入电阻R=怎十（弘〃心）"X2+（:常牆岁打-2.075MO5・电路如图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压Vo的值。%［解］A级,人2级分级计算，A］级Mid=0,V-=v+=0所以5）1—SP_—如jRrp—=~p-s=一莎轴氏flN］0A2级：由虚短断

6、知，S=%=Vs2所以如一P_=S—UoR2Rf2R(2将6=4代入上式整理得Vo=/R（2Rl所以输出电压：1I尺佗丄Rf2Rfi1+石皿+石石如1十誥)X0.8+鑰X帶X0.678V6.由运放组成的BJT电流放大系数B的测试电路如图所示，设BJT的VBE=0.7Vo⑴求岀BJT的c、b、e各极的电位值；（2）若电压表读数为200mV,试求BJT的B值。［解］根据图可知：c、b、e各极电位分为Vc=V-!=6VVb=v+2—0Ve=一0.7V在Ai级中由于u_i=卩+i=Vz因此0.210X10~3二0.02mAle=1IB—0.02

7、=50所以，二匕匕二12-6X1O..3A=lmAl]0由虚断知Ic=h=1mA,在A?级中—s=0,故兀=IbR?，即一、选择题（每题2分，共20分）（1）PN结加正向电压时，PN结将。亠变窄B.基本不变C.变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（4）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体。生五价B.四价C.三价（5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减

8、小（6）工作在放大区的某三极管，如果当Ib从12UA增大到22uA时，Ic从1mA变为2mA,那么它的B约为。A.83B.91C_100（7）已知变压器副边电压有效值U2为10V,采用桥式整流