清华模电课件第五课时.ppt

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1、1.集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO2.集电极和发射极之间的反向饱和电流ICEO(a)ICBO测量电路(b)ICEO测量电路ICBOcebAICEOAceb值愈大,则该管的ICEO也愈大。输出回路输入回路+UCE-1.3.3三极管的特性曲线特性曲线是选用三极管的主要依据,可从半导体器件手册查得。IBUCE图1.3.6三极管共射特性曲线测试电路ICVCCRbVBBcebRcV+V+A++mA输入特性:输出特性:+UCE-+UCE-IBIBIBUBE(2)UCE>0时的输入特性曲线当UCE>0时,这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。

2、OIB/AIBUCEICVCCRbVBBcebRCV+V+A++mAUBE二.输出特性曲线是指iB为某一常数时,三极管的输出电流iC与输出电压uCE之间的关系曲线。OIB减小IB增加UCEICIB=20µAIB=60µAIB=40µAIC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC≈0,UBE<死区电压,称为截止区。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏,IB>IC,UCE0.3V称为饱和区。I

3、C(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区(放大区)。当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=IB。1、截止区发射结和集电结均为反偏,各电极电流很小,相当于一个断开的开关。iC/mAuCE/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321截止区ICEO饱和区输出特性曲线中,UCE≤UBE的区域,即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。饱和区的特点是:发射结和集电结均为正偏。工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关,没有电流放大作用。饱和区iC/mAuCE/V5

4、0µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321放大区截止区ICEOiC/mAuCE/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321放大区:放大区截止区条件:发射结正偏集电结反偏特点:水平、等间隔ICEO此时IC受控于IB;同时IC与UCE基本无关,可近似看成恒流。此区内三极管具有电流放大作用。(2)标出e、b、c极,并判断出该管是NPN型还是PNP型管。(3)估算其β值。例测得工作在放大状态的三极管两个电极的电流如图2.4所示。(1)求另一个电极的电流,并在图中标出实际方向。(1)求另一个电极的电流,并在图中标出实际方向。4

5、.1mA由于③管脚的发射极电流为流出,故该管为NPN型管。(2)标出e、b、c极,并判断出该管是NPN型还是PNP型管。4.1mAecb(3)由于IB=0.1mA,IC=4mA,故:例若测得放大电路中工作在放大状态的三个三极管的三个电极对地电位U1、U2、U3分别为下述数值,试判断它们是硅管还是锗管?是NPN型还是PNP型?并确定c、b、e极。(1)U1=2.5VU2=6VU3=1.8V(2)U1=-6VU2=-3VU3=-2.7V(3)U1=-1.7VU2=-2VU3=0V硅管becNPN锗管cebPNP锗管bceNPN(a)(b)(c)(d)(a)发射结、集电

6、结均反偏,管子截止。(b)发射结反偏、集电结正偏,管子截止。(c)发射结正偏、集电结反偏,管子放大。(d)发射结、集电结均正偏,管子饱和。二、输出特性图1.3.9NPN三极管的输出特性曲线IC/mAUCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321划分三个区:截止区、放大区和饱和区。截止区放大区饱和区放大区1.截止区IB≤0的区域。两个结都处于反向偏置。IB=0时,IC=ICEO。硅管约等于1A,锗管约为几十~几百微安。截止区截止区2.放大区:条件:发射结正偏集电结反偏特点:各条输出特性曲线比较平坦,近似为水平线,且等间隔。二、输出

7、特性IC/mAUCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321放大区集电极电流和基极电流体现放大作用,即放大区放大区对NPN管UBE>0,UBC<0图1.3.9NPN三极管的输出特性曲线3.饱和区:条件:两个结均正偏IC/mAUCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321对NPN型管,UBE>0UBC>0。特点:IC基本上不随IB而变化,在饱和区三极管失去放大作用。ICIB。当UCE=UBE,即UCB=0时,称临界饱和,UCE

8、0.2V(

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