南理工模电课件4-2.ppt

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1、主要内容链接4.4场效应管放大电路1.FET的直流偏置电路及静态分析2.FET放大电路的动态分析1.FET的直流偏置电路及静态分析(1)自偏压电路4.4场效应管放大电路FET和BJT一样，工作时要有合适的静态工作点。根据FET的输出特性，电路应给FET提供合适的VGS和VDS才会有合适的静态工作点。对FET进行静态分析时，将栅极g和沟道之间视为断路处理直流偏压VGS不是靠电压源提供，而是由源极电阻R上的直流压降提供，称为自偏压电路。该电路只适用于耗尽型FET，而且静态工作点调节不方便。静态分析(2)分压器式自偏压电路耗尽型、增强型FET均适用；而且静态工作点可通过调节Rg1、Rg2和R确定

2、，比较方便2.FET放大电路的动态分析(1)FET的交流小信号模型rgs：栅极和源极间的电阻，极大，常作开路处理gm：低频互导(跨导)rd：交流输出电阻，比较大，常作开路处理小信号模型的简化(2)用小信号模型分析FET放大电路(a)共源放大电路共源电路属于反相(倒相)电压放大器，其增益较大，输入电阻较高，输出电阻由Rd决定(b)共漏放大电路(源极输出器)共漏电路又称源极输出器，其输出电压和输入电压同相，电压增益接近1，输入电阻高，输出电阻小。共栅极和共源极连接示意图例题1判断下列电路能否正常工作。不能，因为VGS>0能N沟道JFETVDS>0VGS≤0P沟道耗尽型MOSFETVDS<0不能

3、，因为VGS=0，没有导电沟道不能，因为VDS<0N沟道增强型MOSJFETVDS>0VGS>0N沟道耗尽型MOSJFETVDS>0在如图所示的放大电路中已知VDD＝20V，VGSQ＝－2V，管子参数IDSS＝4mA，VP＝－4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。(1)求电阻R1和静态电流IDQ(191页，4.4.3)例题2在如图所示的放大电路中已知VDD＝20V，VGSQ＝－2V，管子参数IDSS＝4mA，VP＝－4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。(2)求正常放大条件下R2可能的最大值(3)设rd可忽略，在上述条件下计算AV和Ro作业192页：4.4.5，4.4.6