碲及其化合物一维纳米结构材料可控合成与性能表征.pdf

《碲及其化合物一维纳米结构材料可控合成与性能表征.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、碲及其化合物一维纳米结构材料可控合成与性能表征ControlledSynthesisandCharacterizationofOne--DimensionalNanostructureMaterialsofTelluriumanditsCompounds2011年4月。。、一、矿．弘‘避。。．，毒一0．砂。?，，．．，合肥工业大学本论文经答辩委员会全体委员审查，确认符合合肥工业大学硕士学位论文质量要求。答辩委员会签名：(工作单位、职称)主席：委导师：、芝汤p、易I劫攫A讹哆黼锄梭压孵以咨翻教授匆夥工峭嘲极掐独创性声明

2、本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得金胆王些太堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名：：摇孑1及J签字日期：≯刀年彰月，7日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解金世工些态堂有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅

3、和借阅。本人授权金g巴王业太酆以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)学位论文作者签名：藕翻氏导师签名：学位论文作者签名：彳刍俐风导师签名：签字日期：矽“年垤叼日学位论文作者毕业后去向：工作单位：通讯地址：签字日期：)祝／年汨z铀电话：邮编：碲及其化合物一维纳米结构材料可控合成与性能表征摘要1，碲(Te)是周期表VIA族(氧族)元素，与硫、硒都被称为硫属元素。碲作为一种窄带隙的元素半导体在近年得到了广泛的研究，尤其

4、一维六方相碲纳米结构的直接禁带宽仅为0．33eV,有很强的各向异性，表现出独特的性质：例如单向导电性，光电特性以及非线性光学效应等。特别是在碲纳米线场效应晶体管方面的研究使得人们深入了解低维(一维)纳米材料的载流子传输特性并将其发展为高性能纳米电子学器件提供可能，因此在电子和光电子器件方面具有潜在的应用价值。目前一维碲纳米晶的制备方法主要将高价态的碲化物还原成单质碲，有的需要苛刻条件下的复杂体系和添加表面活性剂，并且高价的碲化物(如二氧化碲、碲酸、原碲酸等)原料价格较高；本文以碲粉为主要原料在简易的溶剂热反应体系下制

5、备一维碲纳米晶，可控合成出了形貌规整、尺寸均匀、高结晶度的一维碲纳米棒和(低维)碲树枝晶。对影响实验的温度、溶剂等因素作了探讨并提出了合理的生长机理，使用x射线粉末衍射(Ⅺm)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外吸收(uV)等对产物的元素组成、形貌结构和紫外光学性能做了表征。2，碲是我国稀散元素中产量丰富的元素之一，其金属化合物是一类非常重要的化合物半导体材料；包涵了II．VI族(如CdTe)和Ⅳ．VI族半导体(如PbTe)，它们包括红外波段到紫外波段的禁带宽度。其中碲化铅是一类重要的热电材料，室温一下表现

6、为P型半导体，经升温处理后又可转变为N型半导体，具有很高热电优值ZT和热电转换率，是优异的热电材料；在温差制冷、热电转换器件、红外探测等领域有广泛的应用；一维纳米结构的碲化铅纳米管由于量子效应可以提高材料的ZT值，且有较大的比表面积、更好的传导和催化活性，可能会表现出特殊的理化光电性质等优越的性能，因此具有重要的潜在应用前景。本文中我们在温和条件下，通过液相辅助牺牲模板法，利用金属铅纳米线为前驱体与适宜的碲源反应可控合成了碲化铅纳米管，所得纳米管形貌规整，尺寸均匀，并具有良好的红外和拉曼光学性质；讨论了改变反应溶剂、

7、温度等因素对产物形貌影响，对产物分别作了X粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等表征。关键词：碲纳米棒、碲树枝晶、可控合成、碲化铅纳米管、牺牲模板Controlledsynthesisandcharacterizationofone．dimensionalnanostructurematerialsoftellurium一-一anditscompoundsAbstract1．Telluriumfie)istheVIAgroup(oxygengrouplelementintheperiodicta

8、ble．Tellurium、SulfurandSeleniumhavebeenknownaSchalcogen．IthasbeenextensivelystudiedaSanarrowbandgapsemiconductorelementinrecentyears；especiallytheone—dimensionalhexagonaltel