模拟电路1-8复习.ppt

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1、第一章晶体二极管及其应用§1-1半导体基础知识§1-2PN结与晶体二极管§1-3二极管与运用§1-4二极管应用第二章双极型晶体三极管(BJT)晶体三极管的工作原理三极管的伏安特性曲线三极管的特性参数三极管的小信号模型BipolarJunctionTransistor放大电路的微变(交流)等效电路（小信号模型）将交流通道中的三极管用微变(交流)等效电路代替:交流通路RbRCRLuiuouirbeibibiiicuoRbRCRL交流等效电路:对于小功率三极管(重点)P612.42更正：rbe=rbb’+(1+)VT/IEQ=r

2、bb’+VT/IBQ(静态工作点)rbb,=200/300欧VT=26mV(常温下）rbe的量级从几百欧到几千欧。uirbeibibiiicuoRBRCRL（通常）第三章晶体管放大电路基础(全书重点）3.1放大电路的工作原理及分析方法3.2BJT偏置电路（直流通路：提供合适的静态工作点Q点，保证BJT发射结正偏，集电结反偏，放大信号始终处在放大工作区，避免出现截止及饱和失真。介绍固定基流电路，基极分压射极偏置电路）第三章晶体管放大电路基础(全书重点）3.3放大电路的技术指标及基本放大电路本节讨论小信号放大器的基本指标:电压放

3、大倍数（电压增益），源电压放大倍数（源电压增益），交流输入电阻，交流输出电阻，功率增益等；第五章将讨论大信号放大器的非线性失真，输出功率和效率等指标；第六章将讨论放大器的上，下限频率，通频带，频率失真等频率指标；基本放大电路：共射，共基，共集。3.4多极放大电路（自学）三种组态电路性能比较（见书，记忆）RCvs+-RL+-voRBRS+-vivs+-RL+-voRERSRCvi+-REvs+-RL+-voRBRS+-vi小大小大大1大中中共发共基共集RiRoAv三种组态电路的应用共发放大器广泛应用于多级放大器提供增益的增益级

4、中。共基放大器由于频率特性好，故常与共发电路配合，组成宽带放大器。共集放大器利用Ri高的特点，常作多级放大器输入级；利用Ro低的特点，常作多级放大器输出级，提高带负载能力。利用Ri高、Ro低的特点，常作缓冲级（隔离级)。第一级第二级第n-1级第n级输入输出耦合3-4多级放大电路（自学）多级放大器场效应管概述场效应管是继三极管之后发展起来的另一类具有放大作用的半导体器件,其特点是输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单，在集成电路中占有重要地位。本章讲述场效应管的类型、工作原理、特性及其三组态电路等基本知识。第

5、四章场效应管及基本放大电路场效应管的交流参数和小信号模型N沟道增强型MOSFET放大电路的交流小信号模型等效1．跨导gm设MOSFET工作于放大区,定义:一.MOSFET放大电路线性化模型的交流参数(重点)注：跨导gm与静态工作点有关。2.漏极内阻(交流输出电阻)rds定义:λ－沟道长度调制参数(已知参数)(重点)学习方法：学习本章内容时，应特别注意使用比较和归纳的方法：.与三极管及其放大电路进行比较（两种管子的结构、工作原理、外特性、主要参数、小信号模型等的比较；两种器件组成的放大电路的直流偏置电路及静态、动态分析方法的比较

6、；共射与共源、共集与共漏等放大电路性能的比较）。重点掌握:N沟道增强型MOSFET(集成电路中广泛运用).MOSFET分析方法(通用)步骤：①分析直流电路，求出“Q”，计算gm,rds。②画电路的交流通路。③在交流通路上把MOSFET画成gm参数模型,得到交流等效电路。④分析计算放大电路的主要技术参数。双极型和场效应型三极管的比较双极型和场效应型三极管的比较(续)第六章模拟集成单元电路集成运放基本组成集成运放的内部组成框图如图所示，它主要由输入级、中间级、输出级和偏置电路组成的。输入级：是提高运算放大器质量的关键部分。要求：输

7、入电阻高，能减少零漂和抑制干扰信号。电路形式：采用具有恒流的差动放大电路，降低零漂，提高KCMR。并且通常在低电流状态，以获得较高的输入阻抗。2.集成运放基本组成中间级：进行电压放大，获得运放的总增益。要求：Au高，同时向输出级提供较大的推动电流。电路形式：带有恒流源负载的共射电路，Au高达几千倍以上。集成运放基本组成输出级：与负载相接。要求：其输出电阻低，带负载能力强，能输出足够大的电压和电流，并有过载保护措施。电路形式：一般由互补对称电路或射极输出器构成。集成运放基本组成偏置电路：为上述各级电路提供稳定和合适的偏置电流，决

8、定各级的静态工作点，也可以作为有源负载提高电压增益，输入级设置一个电流值低而又十分稳定的偏置电流。电路形式：各种恒流源组成。集成运放基本组成.差动放大器的输入输出方式差动放大器共有四种输入输出方式:1.双端输入、双端输出（双入双出）(已讲)2.双端输入、单端输出（双入单出）3