数电习题解答.doc

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1、习题10题10.1储容量是1024M×16位的RAM模块，最低位地址码是零，分析采用地址码分时输入和不采用分时输入两种形式时，最高位地址码是多少？解：1024M×16位的RAM模块，若采用地址码<存储单元1024M，即230个）分时输入，地址线为15根，将行地址码和列地址码分开，地址码一共有15位，则最高位地址码7FFF

2、10.2试用的四片256M×16位的SRAM芯片，并选用合适的译码器组成最大存储容量为1024M×16位的RAM存储器。DXDiTa9E3d解：将四片256M×16位的SRAM芯片<地址线28根，数据线16根）进行存储容量的扩展，选用2-4线集成译码器74LS139作为地址线的扩展就可以组成最大存储容量为1024M×16位的RAM存储器，电路图如图10.2所示。RTCrpUDGiT图10.2A27～A02828D15～D02828161616161628A29A2874LS139Y0Y3Y2Y1

3、A0ENA1256Mx16位IA27～A0CSD15～D0256Mx16位IA27～A0CSD15～D0256Mx16位IA27～A0CSD15～D0256Mx16位IA27～A0CSD15～D05PCzVD7HxA题10.3有一块RAM，其存储容量是1024M×16位，分析采用地址码分时输入和不采用分时输入两种形式时各需要使用几根地址线和数据线连接。jLBHrnAILg解：1024M×16位的RAM模块，若采用地址码<存储字单元1024M，即230个）分时输入，地址线为15根，将行地址码和列地

4、址码分开，地址码一共有15位。数字线16根。xHAQX74J0X若不采用地址码分时输入，地址线为30根，将行地址和列地址合为一个地址码，地址码为30位。数字线16根。LDAYtRyKfE题10.4有一个16×1的RAM，其存储单元存储的数据从d15~d0依次为1001，0110，1110，0110，若地址输入为四变量逻辑函数的输入变量

5、ZB2Ltk图10.400011110000101010111111010100101CDABdvzfvkwMI1解：将ABCD当成函数的输入变量，当ABCD的取值组合从0000，到1111依次变化，输入到16×1的RAM的地址码输入端，每一组取值代表逻辑函数的一个最小项<乘积项），依次读出RAM存储单元d0~d15所对应的存储数据。根据16×1的RAM存储数据的内容(d15~d0>1001,0110,1110,0110与地址码输入变量取值组合的对应关系，则L与ABCD函数关系的“卡诺图”表示形

6、式如图10.4所示。可得。题10.5试用一片16×4的RAM设计一组合逻辑电路，实现下述逻辑函数：，，。解：16×4的RAM具有四位数据输出，可以选择L1=d0，L2=d1，L3=d2，L4=d3。根据逻辑函数的表达式，表示逻辑函数L1、L2、L3、L4的函数“卡诺图”如图10.500011110000011010000111100100010CDAB图10.5(c>00011110

7、001111010011110111101110CDAB图10.500011110000110011110111100101111CDAB图10.6A27～A02828D31～D028281616163216281A2874LS139Y0Y3Y2Y1A0ENA1256Mx16位Ⅱ-ⅡA27～A0CSD31～D16256Mx16位I－ⅠA27～A0CSD15～D0256Mx16位Ⅰ－Ⅱ

8、A27～A0CSD31～D16256Mx16位Ⅱ－IA27～A0CSD15～D0SixE2yXPq5若将16×4的RAM地址码输入A3、A2、A1、A0输入函数变量ABCD，则RAM的存储单元<0～15）存入的数据为：6ewMyirQFL0100、1101、0111、1111、1001、1001、0101、1101、1101、1101、1000、1111、1011、1111、0100、0100。这样，只要进行读出操作，数据的输出