高效率光伏逆变器拓扑结构及功率器件介绍.pdf

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1、最新高效率光伏逆变器拓扑结构及功率器件介绍摘要摘要：摘要：：：效率正成为电力电子装置设计中越来越重要的参数。在某些应用中，效率甚至成为行业发展的驱动力，典型的如太阳能发电行业。因为对于光伏发电行业，效率的提升可以直接带来经济效益。本文详细介绍了最新的能够提供高效率的光伏逆变器拓扑结构和功率器件，包括单相和三相逆变器，功率因数补偿对策，高效电流双向流动逆变器等。高效光伏逆变器设计高效光伏逆变器设计高效光伏逆变器设计––––背景和现状背景和现状背景和现状背景和现状对于传统电力电子装置的设计，我们通常是通过每

2、千瓦多少钱来衡量其性价比的。但是对于光伏逆变器的设计而言，对最大功率的追求仅仅是处于第二位的，欧洲效率的最大化才是最重要的。因为对于光伏逆变器而言，不仅最大输出功率的增加可以转化为经济效益，欧洲效率的提高同样可以，而且更加明显。欧洲效率的定义不同于我们通常所说的平均效率或者最高效率。它充分考虑了太阳光强度的变化，更加准确地描述了光伏逆变器的性能。欧洲效率是由不同负载情况下的效率按照不同比重累加得到的，其中半载的效率占其最大组成部分（图1）。图1:欧洲效率计算比重因此为了提高光伏逆变器的欧洲效率，仅仅降低

3、额定负载时的损耗是不够的，必须同时提高不同负载情况下的效率。欧效的改善所带来的经济效益也很容易通过计算得到。例如以一个额定功率3kw的光伏逆变器为例，根据现在市场上的成本估算，光伏发电每千瓦安装成本大约需要4000欧元[2]，那也就意味着光伏逆变器每提高欧效1%就可以节省120欧元。提高光伏逆变器的欧洲效率带来的经济效益是显而易见的，“不惜成本”追求更高的欧效也成为现在光伏逆变器发展的趋势。功率器件的选型功率器件的选型功率器件的选型在通用逆变器的设计中，综合考虑性价比因素，IGBT是最多被使用的器件。因

4、为IGBT导通压降的非线性特性使得IGBT的导通压降并不会随着电流的增加而显著增加。从而保证了逆变器在最大负载情况下，仍然可以保持较低的损耗和较高的效率。但是对于光伏逆变器而言，IGBT的这个特性反而成为了缺点。因为欧洲效率主要和逆变器不同轻载情况下效率的有关。在轻载时，IGBT的导通压降并不会显著下降，这反而降低了逆变器的欧洲效率。相反，MOSFET的导通压降是线性的，在轻载情况下具有更低的导通压降，而且考虑到它非常卓越的动态特性和高频工作能力，MOSFET成为了光伏逆变器的首选。另外考虑到提高欧效后

5、的巨大经济回报，最新的比较昂贵的器件，如SiC二极管，也正在越来越多的被应用在光伏逆变器的设计中，SiC肖特基二极管可以显著降低开关管的导通损耗，降低电磁干扰。光伏逆变器的设计目标光伏逆变器的设计目标光伏逆变器的设计目标对于无变压器式光伏逆变器，它的主要设计目标为：
对太阳能电池输入电压进行最大功率点跟踪，从而得到最大的输入功率
追求光伏逆变器最大欧效
低的电磁干扰为了得到最大输入功率，电路必须具备根据不同太阳光条件自动调节输入电压的功能，最大功率点一般在开环电压的70%左右，当然这和具体使用的光伏电池

6、的特性也有关。典型的电路是通过一个boost电路来实现。然后再通过逆变器把直流电逆变为可并网的正弦交流电。单相无变压器式光伏逆变器拓扑介绍单相无变压器式光伏逆变器拓扑介绍单相无变压器式光伏逆变器拓扑介绍拓扑结构的选择和光伏逆变器额定输出功率有关。对于4kw以下的光伏逆变器，通常选用直流母线不超过500V，单相输出的拓扑结构。图2:单相无变压器式光伏逆变器功能图这个功能（图2）可以通过以下的原理图实现（图3）。图3:单相无变压器式光伏逆变器原理图Boost电路通过对输入电压的调整实现最大功率点跟踪。H桥逆

7、变器把直流电逆变为正弦交流电注入电网。上半桥的IGBT作为极性控制器，工作在50HZ，从而降低总损耗和逆变器的输出电磁干扰。下半桥的IGBT或者MOSFET进行PWM高频切换，为了尽量减小Boost电感和输出滤波器的大小，切换频率要求尽量高一些，如16KHz。我们推荐使用功率模块来设计光伏逆变器，因为把图3拓扑结构上的所有器件集成到一个模块里面可以提供以下优点：o安装简单，可靠o研发设计周期短，可以更快地把产品推向市场o更好的电气性能而对于模块的设计，我们必须保证：1.直流母线环路低电感设计为了实现这个

8、目标，我们必须同时降低模块内部和外部的寄生电感。为了降低模块内部的寄生电感，必须优化模块内部的绑定线，管脚布置以及内部走线。为了降低模块外部寄生电感，我们必须保证在满足安全间距的前提下，Boost电路和逆变桥电路的直流母线正负两端尽量靠近。2.给快速开关管配置专有的驱动管脚开关管在开关过程中，绑定线的寄生电感会造成驱动电压的降低。从而导致开关损耗的增加，甚至开关波形的震荡。在模块内部，通过给每个开关管配置专有的驱动管脚（直接从芯片上引出），