半导体双极器件名词解释

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1、1、Abruptjunctionapproximation(突变结近似)Theassumptionthatthereisanabruptdiscontinuityinspacechargedensitybetweenthespacechargeregionandneutralsemiconductorregion.认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。2、Depletionlayerapproximation(耗尽层近似)Thenumberofcarriersisalmostzeroduetothestrongb

2、uilt-inelectricfieldinthespacechargeregion,thatthechargeinthespacechargeregionisalmostcompletelyprovidedionizedimpurity,thisspacechargeregioniscalleddepletionlayer.由于空间电荷区较强的内建电场,载流子的数量几乎为零,因此可以认为空间电荷区中的电荷几乎完全是由电离杂质所提供的,这种空间电荷区就称为耗尽层。3、Built-inelectricfield(内建电场)Anelectri

3、cfieldduetotheseparationofpositiveandnegativespacechargedensitiesinthedepletionregion.由于耗尽区正负空间电荷相互分离而形成的电场。4、Built-inpotentialharrier(内建电势差)Theelectrostaticpotentialdifferencebetweenthepandnregionsofapnjunctioninthermalequilibrium.热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。5、Depletionregion/

4、spacechargeregion/barrierregion(耗尽区,空间电荷区,势垒区)Theregiononeithersideofthemetallurgicaljunctioninwhichthereisanetchargedensityduetoionizeddonorsinthen-regionandionizedacceptorsinthepregion.冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。详:pn结界面两侧半导体中的载流子由于存在浓度差梯度而互相向对方区域扩散,在pn结界面附近n区与

5、p区分别留下了不可动的电离施主和电离受主杂质离子,分别带有正负电荷,形成空间电荷区,在该区域中建立有电场,形成电位差,产生相应的势垒,因此pn结空间电荷区又称为pn结势垒区,在势垒区中载流子浓度趋于0,即载流子基本“耗尽”,因此又称为“耗尽层”。6、Depletionlayercapacitance/junctioncapacitance/barriercapacitance(耗尽层电容,结电容,势垒电容)Thecapacitanceofthepnjunctionunderreversebias.反向偏置下,pn结的电容。7、Diffus

6、ioncapacitance(扩散电容)Thecapacitanceofaforward-biasedpnjunctionduetominoritycarrierstorageeffects.正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。详:对于正偏pn结,当外加偏压增加时,注入n区的空穴增加,在n区的空穴扩散区内形成空穴积累,为保持电中性条件,扩散区内电子浓度也相应增加,电子注入p区情形类似。这种扩散区中的电荷随外加偏压变化而变化所产生的电荷存储效应等效为电容,称为扩散电容。8、Diffusionconductance(扩散电导)Ther

7、atioofalow-frequency,small-signalsinusoidalcurrenttovoltageinaforward-biasedpnjunction.正偏pn结的低频小信号正弦电流与电压的比值。9、Diffusionresistance(扩散电阻)Theinverseofdiffusionconductance.Theratioofalow-frequency,small-signalsinusoidalvoltagetocurrentinaforward-biasedpnjunction.扩散电导的倒数。正偏pn

8、结的低频小信号正弦电压与电流的比值。10、Spacechargewidth(空间电荷区宽度)Thewidthofthespacechargeregion,afunctionofdopingco

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