LED芯片的技术发展状况.doc

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1、对于标准管芯(200・350

2、jm2),U木口亚公司报道的最高研究水平，紫光(400nm)22mW,其外量了效率为35.5%,蓝光(460nm)18.8mW,其外量了效率为34.9%。美国C「ee公司可以提供功率大于15mW的蓝色发光芯片(455〜475nm)和最大功率为21mW的紫光发光芯片(395〜410nm)z8mW绿光(505〜525nm)发光芯片。台湾现在可以向市场提供6mW左右的蓝光和4mW左右的紫光芯片厂其实验室水平可以达到蓝光10mW和紫光7-8mW的水平。国内的公司可以向市场提供3〜4mW的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6mW左右，绿光1〜2mW

3、,紫光1〜2mW0随肴外延生长技术和多量了阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量了效率己有了非常大的改善，如波长625nmAIGalnP基超高亮度发光二极管的内量了效率可达到100%,已接近极限。AIGalnN基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得AIGalnN基超高亮度发光二极管的内量了效率比较低,但也在35〜50%Z间泮导体材料木少的光电转换效率己远高过其它发光光源」大I此提高芯片的外量了效率是提高发光效率的关键