模电助教版第1章 常用半导体器件T.ppt

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1、SemiconductorTransistor1.4双极型晶体管(晶体三极管或晶体管)1.4.1双极型晶体管的结构P19①分:Si管————①NPN(4种管子)②PNPGe管————①NPN②PNPcbecbecbecbec：collector集电极b：base基极e：emitter发射极JeJcecN+PPNb发射区基区集电区发射极集电极ec基极b1.4双极型晶体管(晶体三极管或晶体管)1.4.1双极型晶体管的结构cbeN+PN·····…。。发射结Je集电结Jc

2、②NPN结构P20三区、三极、两结JeJcecN+PPNb发射区基区集电区发射极集电极ec基极b1.4双极型晶体管(晶体三极管或晶体管)1.4.1双极型晶体管的结构cbeN+PN·····…。。发射结Je集电结Jc结构条件——①基区很薄②发射区浓度远大于集电区的掺杂浓度③集电结的面积远大于发射结三区、三极、两结②NPN结构P20JeJcecN+PPNb发射区基区集电区发射极集电极ec基极b1.4双极型晶体管(晶体三极管或晶体管)1.4.1双极型晶体管的结构cbeN+

3、PN·····…。。发射结Je集电结Jc结构条件——①基区很薄②发射区浓度远大于集电区的掺杂浓度③集电结的面积远大于发射结1.4.2晶体管中的电流分配与控制1.工作机理(定性分析)2.外部使用条件:(对NPN,PNP均适用)①发射结Je正偏.②集电结Jc反偏.1.工作机理(定性分析)2.外部使用条件:(对NPN,PNP均适用)①发射结Je正偏.②集电结Jc反偏.cbeN+PN发射区基区集电区发射极集电极ecE内基极E内b·····…。。发射结Je集电结Jc

4、VEE＋UBE－－UCB＋VCCRcRe1.4.2晶体管中的电流分配与控制1.4双极型晶体管(晶体三极管或晶体管)1.4.1双极型晶体管的结构…发射区基区集电区发射极集电极ecE内基极E内b1.工作机理(定性分析)2.外部使用条件:(对NPN,PNP均适用)①发射结Je正偏.②集电结Jc反偏.cbeN+PN·····。。发射结Je集电结JcVEE＋UBE－－UCB＋VCCRcRe

5、1.4.2晶体管中的电流分配与控制1.4双极型晶体管(晶体三极管或晶体管)1.4.1双极型晶体管的结构1.工作机理(定性分析)2.外部使用条件:(对NPN,PNP均适用)①发射结Je正偏.②集电结Jc反偏.cbe发射区基区集电区IEICecE内IBE内b。。N+PN…·····发射结Je集电结JcVEE＋UBE－－UCB＋VCCRcRe·········

6、1.4.2晶体管中的电流分配与控制1.4双极型晶体管(晶体三极管或晶体管)1.4.1双极型晶体管的结构1.工作机理(定性分析)2.外部使用条件:(对NPN,PNP均适用)①发射结Je正偏.②集电结Jc反偏.cbe发射区基区集电区IEICecE内IBE内b。。N+PN…·····发射结Je集电结JcVEE＋UBE－－UCB＋VCCRcRe·········IENICNICBOIEPIBN1.4.2

7、晶体管中的电流分配与控制1.4双极型晶体管(晶体三极管或晶体管)1.4.1双极型晶体管的结构cbe发射区基区集电区IEICecE内IBE内b。。N+PN…·····发射结Je集电结JcVEE＋UBE－－UCB＋VCCRcRe·········IENICNICBOIEPIBN3.电流关系：IE=IC＋IBIE=IEN＋IEP（IEN>>IEP)IBN<

8、NIEN)IC=ICN＋ICBOIB=IBN＋IEP－ICBO3.电流关系：IE=IC＋IBIE=IEN＋IEP（IEN>>IEP)IBN<