模电课件 13第二章习题课(6).ppt

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1、第一二章习题P441.1电路如图题P1.1所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和UO;(2)在室温(300K)的情况下,利用二极管的小信号模型求uO的变化范围。UORs1kΩED10±VV1V2设UON=0.7V,二极管的交流电阻Uo=0.7+0.7=1.4VIDEDUOID=Rs+us-rr先判断二极管是导通或截止二极管是导通2021/7/28模电课件1.3二极管电路如图题P1.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压UAO。设二极管是理想的。6VA12VO先判断二极管是导通或截止

2、二极管的正向电压UD是否大于导通电压UON-6V-12V=6V>UON二极管是导通UDUAO=-6V2021/7/28模电课件6VA12VOV1V2先判断二极管是导通或截止二极管的正向电压UD是否大于导通电压UONUD2UD1-12V0V=-12V

3、管截止2021/7/28模电课件1810V215V140102551.4试判断图题P1.4中二极管导通还是截止,为什么?ABC二极管的正向电压UD是否大于导通电压UON设UON=0.3(V)二极管截止2021/7/28模电课件2.2电路如图P2.2所示。设晶体管的UBEQ=0.7V,β=80,Rc=5.1kΩ,Rb=220kΩ。(1)试求ui=0时的IBQ、ICQ、UCEQ及晶体管的集电极功耗PC=UCEQICQ的值;(2)若将图中的晶体管换成另一只β=150的管子,电路还能否正常放大信号?为什么?Rb220k5

4、V+ui-15VRC5.1k+uo-UBE若将图中的晶体管换成另一只β=150的管子iB=iB2iB=iB3vCE饱和区击穿区截止区临界饱和线iCV(BR)CEOiB=-ICBOiB=0iB=iB1iB=iB4iB=iB5晶体管换成另一只β=150的管子后工作在饱和区不能正常放大信号2021/7/28模电课件ECRb1Re2C1+us-C2RsRb2Re1CeRcRC3C2RL2.4电路如图P2.4所示。已知:晶体管T的β=100,UBEQ=0.7V,EC=12V,Rb1=210kΩ,Rb2=50kΩ,Rc=2k

5、Ω,R=100kΩ,Re1=300Ω,Re2=700Ω,RL=2kΩ,C1=C2=10μF,C3=Ce=100μF。试估算:(1)静态工作点Q(画出直流通道);(2)Au、Ri、Ro(画出微变等效电路)。ECRb1Re2C1+us-C2RsRb2CeRcRC3C2RLRe1UB2021/7/28模电课件Re1(2)Au、Ri、Ro(画出微变等效电路)。ECRb1Re2C1+us-C2RsRb2Re1CeRcRC3C2RLebc+us-RsRbRb=Rb1//Rb2RLRcβibrbeeebcRb+ui-RsusR

6、FiiicRiR’iRoieR’oib+uo-RCRLioRo≈Rc2021/7/28模电课件2.6电路如题图2.6所示。已知:T为3AX31型锗管(UBEQ=-0.2V,),β=80,Rb=12kΩ,RL=2kΩ,Re=150Ω,C1=C2=10μF,-EC=-6V,信号源的内阻Rs=1kΩ,Rc=10Ω。(1)估算静态工作点值;(2)画出微变等效电路;(3)求出,Au,As,Ri和Ro的值。EC=-6VRbReC1+us-RcC2RL+uo-IBIE+UCE-2021/7/28模电课件EC=-6VRbReC1

7、+ui-RcC2RL+uo-+ui-beRbRccReRL+ui-RbRcReRLie+uo--ie(Re//RL)-ibrbe+(-ie(Re//RL))=becrbeibβib2021/7/28模电课件+ui-iiio+uo-RiRoRibecrbeβibRbRcReRLie+uo-+ui-ibRi'-ibrbe+(-ie(Re//RL))=-ib2021/7/28模电课件RsusbecrbeβibRbRcReRLie+uo-+ui-ib+ui-iiio+uo-RiRoRoR’o2021/7/28模电课件2.

8、11两级小信号放大器如图所示。T1和T2的小信号参数分别为β1,rbel和β2,rbe2。不计两管的基区宽调效应。图中所有电容都是旁路或耦合电容。(1)画出放大器中频段交流通路。(2)求放大器中频段Ri,Ro和Aus。ECR2ReC1+us-C2+uo-RLRsRc1C3ReRc2R1bce+us-RsR2bRc1ceReR1Rc2RL+uo-RiRi1'RoR’oRi2

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