wafer process工艺制造流程

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1、服务指南3.技术说明3.1微机械加工3.1.1清洗简介：清洗工艺在于去除衬底材料表面的有机物、金属玷污以及非金属玷污，超临界二氧化碳干燥能够去除微小结构中的玷污，同时防止释放的微结构黏附在衬底上。清洗工艺包括标准清洗、去胶清洗、薄膜淀积前清洗、超临界干燥、兆声清洗。处理材料：直径为100mm的硅片、玻璃片以及SOI，厚度范围400－1500um。（1）标准清洗采用硫酸和双氧水溶液去除衬底材料上的有机物，氨水和双氧水溶液去除衬底材料上的非金属玷污，盐酸和双氧水溶液去除衬底材料上的金属玷污。溶液温度设备硫酸：双

2、氧水（80％：20％）120ºC清洗槽氨水：双氧水：水（1：1：5）75ºC清洗槽盐酸：双氧水：水（1：1：7）75ºC清洗槽处理面数：双面6服务指南清洗槽(2)去胶清洗采用硫酸和双氧水溶液去除衬底材料上的光刻胶材料。溶液温度设备硫酸：双氧水（80％：20％）120ºC清洗槽处理面数：双面（3）薄膜淀积前清洗在薄膜淀积前，在标准清洗后加入稀氢氟酸溶液短时间浸泡，去除裸硅片自然氧化层。溶液温度设备标准清洗HF：H2O（1：50）25ºC腐蚀槽处理面数：双面（4）超临界干燥7服务指南超临界清洗用于去除微结构里不

3、易去除沾污，或者防止释放后的微结构不黏附在衬底表面上。处理面数：单面、小面积尺寸的芯片超临界干燥(5)兆声清洗键合技术要求衬底材料的表面非常干净，硅片经过标准清洗后，还要用兆声清洗进行处理以增强键合效果。处理面数：双面兆声清洗设备8服务指南3.1.2氧化简介：氧化工艺在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜，用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。处理材料：符合进炉净化标准以及承受处理的温度，衬底材料直径100mm，厚度范围400-1500um。（1）高温干氧氧化高温热干氧氧化工艺针对硅片

4、，在高温下通干噪的高纯氧气，在硅片表面生长均匀的二氧化硅薄膜，氧化速率慢，薄膜致密，固定电荷密度少。条件温度厚度设备干燥氧气950－1150ºC0.1－0.5um氧化炉处理面数：双面片数/批:最多48片检验：氧化层厚度偏差＋/-5％氧化炉（2）高温湿氧氧化9服务指南高温湿氧氧化工艺利用氢氧合成水汽氧化硅片，氧化速率比干氧工艺大大提高，可以制备厚二氧化硅薄膜，但氧化层的致密性不如干氧氧化的薄膜。条件温度厚度设备氧气、氢气950－1150ºC0.1－2um氧化炉处理面数：双面片数/批:最多48片检验：氧化层厚度

5、偏差＋/-5％3.1.3扩散简介：扩散工艺在硅片表面掺入三价或者五价元素，改变硅片的导电类型和电阻率，在微机械应用中，浓硼自停止腐蚀技术可以制备几个微米厚的薄膜。扩散工艺包括高电阻率硼扩散工艺、低电阻率硼扩散工艺。处理材料：符合进炉净化标准以及承受处理的温度，衬底材料直径100mm，厚度400-1500um。（1）高电阻率硼扩散工艺条件温度结深方块电阻设备硼源GS－126950－1150ºC0.1－0.5um100Ω/扩散炉处理面数：双面片数/批:最多48片检验：方块电阻偏差+/-5%，结深偏差+/-5％1

6、0服务指南扩散炉（2）低电阻率硼扩散工艺条件温度结深方块电阻设备硼源GS－139950－1150ºC0.1－0.5um15Ω/扩散炉处理面数：双面片数/批:最多48片检验：方块电阻偏差+/-5%,结深+/-5％3.1.4光刻简介：光刻工艺是微机械技术里用得最频繁，最关键得技术之一，光刻工艺将掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶图形上，根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式，根据光刻面数的不同有单面对准光刻和双面对准光刻，根据光刻胶类型不同，有薄胶光刻和厚胶光刻。一般的光刻流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显

7、影、后烘，可以根据实际情况调整流程中的操作。目前提供单面接触式对准光刻、双面接触式对准光刻服务。处理材料：衬底材料直径100mm，厚度400－5000um。（1）单面接触式对准光刻11服务指南光刻胶类型光刻胶厚度最小线宽套准精度设备Shipley61120.5-2.0um1.5um1.5umKarlSussMA6Shipley18130.5-1.8um1.5um1.5umKarlSussMA6Shipley18181.0-3.0um2.0um1.5umKarlSussMA6Shipley4.0-10.0um

8、3.5um2.0umKarlSussMA6AZ4620片数/批:1检验：胶厚度偏差＋/-5％，根据测量图形测试最小线宽涂胶机自动涂胶机烘胶热板微波去胶机12服务指南KarlSussMA6光刻机（2）双面接触式对准光刻双面接触式对准光刻同样适用于上述的四种光刻胶，套准精度比单面套准的低。（3）喷胶工具喷胶设备介绍：可以对硅片表面的三维结构进行喷胶工艺，并全面覆盖三维结构表面，能很好地保护结构表面和侧壁，同时胶厚可达