不同形貌ZnO纳米结构的电子显微分析-论文.pdf

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1、第18卷第2期分析测试技术与仪器Volume18Number22012年06月ANALYSISANDTESTINGTECHNOLOGYANDINSTRUMENTSJune2012研究报告(92—96)不同形貌ZnO纳米结构的电子显微分析张晓凯,郑建华,梁静霞,霍宏斐(1.山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014;2.山东师范大学理化分析测试中心,山东济南250014;3.山东聊城道口铺中学,山东聊城252033)摘要:控制实验合成条件,利用溶胶一凝胶法和化学溶液生长法制备出不同形貌的ZnO纳米结构.采用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(S

2、EM)以及透射电子显微镜(TEM)等多种测试手段对ZnO纳米结构的微观形态及晶相进行了分析.结果表明:3种ZnO纳米结构形貌虽不同,但均具有ZnO六方纤锌矿晶相结构.ZnO纳米棒和花状ZnO纳米结构为单晶,生长方向均沿(0001)方向.ZnO纳米球则为多晶.关键词:氧化锌;纳米结构;溶胶一凝胶;纳米棒中图分类号:0657.32文献标识码:A文章编号:1006—3757(2012)02-0092-05纳米材料由于具有特殊的电学、光学、磁学、力二水合乙酸锌、无水乙醇、六水合硝酸锌、六次学等性能,在微电子学、生物传感器及医药领域等具甲基四胺均为分析纯,国药集团化

3、学试剂有限公司;有潜在应用.由于纳米材料的不同形貌对材料的氨水(25~28%),烟台三和化学试剂有限公司.实光、电、磁等性能有一定的影响,使得人们多致力于验用水为去离子水.研究不同形貌的纳米材料.ZnO是一种新型的直接1.2样品制备带隙宽禁带Ⅱ一Ⅵ化合物半导体材料,其室温下的1.2.1衬底准备禁带宽度为3.37eV,激子结合能高达60mev,在太载玻片玻璃用丙酮、乙醇、去离子水超声清洁后阳能电池J、LED_2J、生物传感器_3等方面有着巨大割成小块干燥,取一部分衬底用真空蒸镀仪喷银膜的应用.现在,已制备的ZnO纳米结构的形貌主要备用.有纳米棒J、纳米线J、

4、纳米带J、纳米环、纳米螺1.2.2ZnO纳米棒阵列和花状ZnO纳米结构的旋、花状、哑铃状结构和星状结构等制备湿化学法制备ZnO纳米材料具有工艺简单、原ZnO种子薄膜的制备:将二水合乙酸锌与聚乙料成本低廉、化学组分容易控制、合成温度低等优烯醇(PVA)以质量比3:1溶于乙醇,配制成Zn浓点.本文采用溶胶一凝胶法和化学溶液生长度为0.75mol/L的溶液,70cC恒温磁力搅拌2h,法¨得到了不同形貌的ZnO纳米结构,利用x射加入适量去离子水控制乙酸锌的水解速度,继续搅线衍射、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等手段拌10min左右,得无色透明稳定胶体,稳定

5、达5d对样品进行分析和表征.以上.采用自制匀胶机旋涂镀膜,先以低速(500r/min)甩胶15S,再以高速(2500r/min)甩胶30S,1实验部分之后立即放入100干燥箱中干燥20min,以上过1.1仪器与试剂程重复3次,最后放入箱式炉中在200oC于空气中CMF1100箱式炉(安徽合肥科晶材料有限公退火1h.司);HJ一5多功能搅拌器(金坛市精达仪器制造ZnO纳米棒阵列和花状ZnO纳米结构的制备:厂);HUS一5GB真空蒸镀仪(日本Eiko);H66025T将六水合硝酸锌(Zn(NO)·6HO)和六次甲基四超声清洗机(无锡超声电子设备厂).胺(HMT

6、)各0.02mol放人10mL的去离子水中,磁收稿日期:2012—03—24;修订日期:2012—05—17.作者简介:张晓凯(1961一),高级实验师,硕士生导师,研究方向:半导体材料的制备与表征,纳米材料的制备与表征.E—mail:minliyil@163.com分析测试技术与仪器第18卷piezotronicsandpiezo—phototronics[J].MaterSci2012.18:88—91.Eng,2010,R70:320—329.[12]WangLi—dan,ZhaoDong—xu,SuZi~sheng,et[7]HuangJia—ru

7、i,WuYou—jie,GuCui—ping,eta1.a1.Highspectrumselectivityorganic/inorganichybridLarge—scalesynthesisofflowerlikeZnOnanostructurevisible—blindultravioletpbotodetectorbasedonZnObyasimplechemicalsolutionrouteanditsgas—nanorods[J].OrgElectron,2010,11:1318—1322.sensingproperty[J].SensActu

8、ators,2010,B146:206[13]SinghJ,Pat

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