硫镓银晶体的化学腐蚀研究-论文.pdf

《硫镓银晶体的化学腐蚀研究-论文.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、第41卷第2期人工晶体学报Vo1．41No．22012年4月JOURNAL0FSYNTHETICCRYSTALSApril，2012硫镓银晶体的化学腐蚀研究于鹏飞，朱世富，赵北君，陈宝军，何知宇，樊龙(四川大学材料科学系，成都610064)摘要：采用改进的垂直布里奇曼(Bridgman)法自发成核生长AgGaS晶体，在生长初期对生长安瓿籽晶袋进行卜提回熔，生长出外观完整、无裂纹的大尺寸AgGaS：单晶体。采用XRD对晶体进行分析，获得了(112)、(001)和(101)面的高强度尖锐衍射峰。采用不同配比的腐蚀剂对晶体(101)、(112)

2、及(001)晶面进行化学腐蚀，然后采用金相显微镜和扫描电镜观察，结果显示，(101)晶面蚀坑为清晰的近似三角形的四边形蚀坑，(112)晶面蚀坑为清晰的近似三角锥形，(001)晶面则呈现互相垂直的腐蚀线。初步分析了不同蚀坑的形成原因，计算出(101)和(112)而蚀坑密度约为10／cm数量级。结果表明，改进方法生长出的大尺寸AgGaSz单晶体结构完整、位错密度低，质量较好。关键词：AgGaS晶体；垂直布里奇曼法；化学腐蚀；蚀坑形貌中图分类号：077文献标识码：A文章编号：1000-985X(2012)02-0338-04ChemicalEt

3、chingResearchonAgGaS2CrystalsYUPeng-fei，ZHUShi-fu，ZHAOBei-jun，CHENBao-jun，HEZhi—yu，FANL0ng(DepartmentofMaterialsScience，SichuanUniversity，Chengdu610064，China)(Received18October2011，accepted15December2011)Abstract：Anintegral，crack—freeandlarge—sizedAgGaS2singlecrystalwasob

4、tainedbythemodifiedself-seedingBridgmanmethod．Thetechniqueofascendingthegrowthampouleandholdingthetipinspecificheightforaperiodoftimeatthebeginningofgrowthwasadoptedandwasprovedtobeeffectiveforpromotinggeometricelimination．ThegrowncrystalwascharacterizedusingthepowderX—ra

5、ydiffraction(XRD)．SharpandintenseXRDspectraof(101)，(112)and(001)faceswereobtained．EtchantsofdifferentmoleratioswereusedtoetchvariousfacesofAgGaS2crysta1．Quadrilateraletchpitsappearon(101)faces，triangularetchpitsappearon(112)faces，andmorphologyon(001)faceofAgGaS2crystalexh

6、ibitsverticaletchlines．Etchpitson(101)and(112)facesobservedbySEMexhibitdifferentiatedquadrilateralandtriangularshapes．Thedensitiesofetchpitswerecalculatedtobeattheorderof10／cmmagnitude．Theresultsshowthatthelarge—sizedAgGaS2singlecrystalobtainedbymodifiedmethodhasalowdefec

7、tdensityandisofgoodquality．Keywords：AgGaS2crystal；verticalBridgmanmethod；chemicaletching；etchpitsmorphology1引言硫镓银(AgGaS：)晶体是一种重要的红外非线性光学材料，是典型的黄铜矿结构的I．III—VI族化合物半收稿日期：2011．10．18；修订日期：2011—12—15作者简介：于鹏飞(1986一)，男，山东省人，硕士研究生。通讯作者：朱世富，教授。E—mail：s~hu@SCU．edu．cn：l二lllI2Z1；]；纠”U

8、第2期黄传喜等：温度对TiO：一B纳米纤维的结晶度和稳定性的影响347ArmstrongAR，ArmstrongG，CanalesJ，eta1．TiO2·BNanowires[J]．Angew