材料科学基础试题(doc 6页).doc

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1、有关晶体结构：填空：布拉菲点阵共有种，归纳为个晶系。面心立方结构单个晶胞中的原子数为，密排六方结构单个晶胞中的原子数为。选择：NaCl和金刚石的晶体结构相差很大，但它们都属于（）点阵。（A）简单立方（B）体心立方（C）面心立方选择：体心立方结构最密排的晶向族为（）。（A）<110>（B）<100>（C）<111>名称解释：空间点阵晶胞配位数滑移系密勒指数问答：在面心立方晶胞中画出(101)和[110]，并分析它们能否构成滑移系？填空：面心立方（fcc）晶体的滑移面是，滑移方向是，共有个滑移系。填空：每个体心立方晶胞中的原子数为，配位数为；每个面心

2、立方晶胞中的原子数为，配位数为。选择：BCC的角上的原子彼此（）。（A）接触（B）不接触（C）无法判断判断：面心立方、体心立方和密排六方是金属的三种常见晶体结构，它们都属于空间点阵。问答：分别计算fcc晶体中[100]、[110]和[111]晶向上的线密度（用点阵常数a表示），并说明哪个晶向是密排方向。填空：氯化钠（NaCl）的晶体结构属于空间点阵。填空：面心立方（fcc）晶体的滑移面是，滑移方向是，共有个滑移系。选择：金属晶体的配位数主要由（）决定。（A）离子半径比值（B）晶体结构（C）价电子数选择：金属的三种常见晶体结构中，不能作为一种空间点

3、阵的是（）结构。（A）密排六方（B）面心立方（C）体心立方问答：画出立方晶系的晶面和晶向：(21)、(421)、[121]问答：分别计算fcc晶体中[100]、[110]和[111]晶向上的线密度（用点阵常数a表示），并说明哪个晶向是密排方向。问答：面心立方结构中的八面体间隙比体心立方结构中的大，因此面心立方结构的致密度比体心立方的低。有关键能曲线：问答：利用健能曲线可以得到材料的哪些性能指标？问答：原子间的结合键有哪几种？各有什么特点？判断：聚乙烯中的C－H化学键属于氢键。问答：应用二次键强度的概念，判断C14H30和C5H12这两种材料中哪种

4、材料的熔点更高，并说明原因。问答：Ge是共价键结合而Cu是金属键结合，在二者可比的温度下，哪种材料的自扩散系数大？为什么？有关固溶体及固溶度：判断：铁素体与奥氏体的根本区别在于固溶度不同，前者小而后者大。判断：两元素形成间隙固溶体时，只要晶格类型相同，原子直径相近，就可以形成无限固溶体。判断：两组元形成无限(或连续)固溶体的必要条件是它们的晶体结构相同。判断：因为a-Fe的致密度比g-Fe的小，即a-Fe晶格内的总间隙比g-Fe的大，所以当铁与碳形成固溶体时，a-Fe的溶碳能力肯定比g-Fe的大。填空：形成间隙固溶体时，溶剂的点阵常数通常会（）。

5、（A）增大（B）减小（C）不变填空：合金相可以分为和两大类。问答：Hume-Rothery关于固溶体溶解度所提出了以下经验规则主要内容是什么。填空：根据溶质在溶剂晶格中的位置，固溶体可以分为和两大类。有关缺陷：选择：点缺陷包括空位、间隙原子和（）。（A）沉淀相（B）置换原子（C）晶界判断：螺位错只有一个滑移面。判断：一个不含空位的完整晶体在热力学上是稳定的。问答：柏氏矢量不但可以判断位错的类型，而且可以反映由位错引起的晶格畸变量。问答：一根位错线具有唯一的柏氏矢量，但是当位错线的形状发生改变时，柏氏矢量也会改变。判断：大角度晶界的界面能随着相邻晶

6、粒位向差的增加而增大。判断：位错线是晶体中已滑移区域和未滑移区域的边界线，因此不可能中断于晶体内部。问答：什么是交滑移?为什么只有螺位错可以发生交滑移而刃位错却不能？问答：柏氏矢量的大小反应了位错的“强度”，体现了位错缺陷所造成的晶格畸变的程度；同时反应滑移面两侧相对滑移量。判断：为降低表面能，自由晶体的外表面通常是其密排面。问答：刃型位错和螺型位错有何异同？有关扩散：填空：在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为（）。（A）空位机制（B）间隙机制（C）原子互换机制选择：在柯肯达尔效应中，标记面发生漂移的主要原因是扩散偶中（）。（A）两组元的原子尺

7、寸不同（B）两组元的扩散速率不同（C）仅有一种组元在扩散判断：影响扩散系数D的因素主要是温度和扩散激活能。判断：A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，说明B组元的扩散速率大于A组元。问答：扩散的主要机制有哪些？问答：在相同的条件下，空位形成能越大，则空位浓度越低；加热温度越高，则空位浓度越大。选择：自扩散的激活能等于（）。（A）空位的形成能（B）空位的迁移能（C）空位的形成能与迁移能的总和选择：原子扩散的驱动力是（）。（A）组元的浓度梯度（B）组元的化学位梯度（C）温度梯度问答：Fick第一定律只适用于浓度梯度¶C/¶x

8、不随时间变化的稳态扩散。选择：下列三种扩散中，（）的扩散激活能最小。（A）C在HCPTi（B）N在BCCTi（C）Ti在HCPTi。问答