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1、模拟电路基础复习资料一、填空题1．在P型半导体中，多数载流子是（空隙），而少数载流子是（自由电子）。2．在N型半导体中，多数载流子是（电子），而少数载流子是（空隙）。3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（N）区，电源的负极应接（P）区。4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（P）区，电源的负极应接（N）区。5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（正向）偏置，集电结（反向）偏置。IS(e?6．根据理论分析，PN结的伏安特性为I电流，在室温下UT约等于（26mV）。7．BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之对应
2、。8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（电压取样）负反馈，为稳定输出电流，应采用（电流取样）负反馈。9．在负反馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联－电压求和）负反馈，为降低输出电阻，应采用（电压取样）负反馈。10.放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器（的电性能）。11．在BJT放大电路的三种组态中，（共集电极）组态输入电阻最大，输出电阻最小。（共射）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。12.在BJT放大电路的三种组态中，（共集电极）组态的电压放大倍数小于1，（共基）组态的电流放大倍数小于1。1),其中IS被称为（反向饱和）Au?13．差分放大电
3、路的共模抑制比KCMR＝（20lgUUTAC），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（大）越好。14．从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（高掺杂），二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数Ad将（不变），而共模放大倍数Ac将（减小），共模抑制比将（增大）。16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容），（变压器）和（直接）耦合三种。17．直接耦合放大器的最突出的缺点是（零点漂移）。18，集成运放主要由（输入级），（中间放大级），（输出级）和（偏置电路）4部分组成。19．BJT三极管的直流
4、偏置电路通常有（固定基流）电路和（分压式）电路两种。AF?A1?1时，这种反馈称,当??F?A?20．负反馈放大电路增益的一般表达式Af??A。?1时，这种反馈称为（正反馈）为（负反馈）；当??F?0，将这种现象称为（虚短路）。??u??21．集成运放两个输入端之间的电压通常接近0，即u0，将这种现象称为（虚开路）。??i??22．集成运放两个输入端的电流通常接近0，即i二．选择题1．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（截止区）。1）饱和区2）放大区3）截止区2．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（1）饱和区2）放大区3）截止区3．测得三极管各极的
5、电位如图，此三极管工作在（1）饱和区2）放大区3）截止区4．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（1）饱和区2）放大区3）截止区放大区）。放大区）。饱和区）。第2/6页（4.5mA）?7V,具有理想特性，则IZ?15。V,DZ的稳定电压VZ?5．图示电路中设Vi1）4.0mA1)4.5mA2)6.2mA4)7.0mA)R1RL?VZVZ?V1?(IZ）。?（200?5mA,则限流电阻R应选择为R?40mA,IZmin?6V,IZmax?,,DZ的稳定电压VZ?300?,RLmin?600?12V,RLmax?15V,Vimin?6．图示电路中设Vimax?
6、1）160?2)200?3)250?4)300ILmax?ILminIZmin?1min)IZmax?R?UZ?UZU?(U1max7．图示电路中，当交流电源vs为正半周时，四个二极管的工作状态为（4）。1）D1D2导通，D3D4截止2）D1D3导通，D2D4截止3）D1D2截止，D3D4导通4）D1D3截止，D2D4导通(8.88V)。?0.7V,VCE?69,VBE??8．图示直流电路中，设晶体管的1）5.28V3)8.88V4)6.54V4）7.62VVBEQ?VCC?(IBIBQ??)RE,ICQ??(1?RbRE)?ICQ(RC?VCC?VCEQ第3
7、/6页）。?（865?0.7V则晶体管的微变等效电阻rbe?12V,VBE?,VCC?300?49,rbb,??9．放大电路如图，设晶体管的?1)865?2)1000?3)1100?4)1200RB2?RB2VCC,RB1?(VBVT)??(1?rbb'?VBEQRErbe?VB?IEQIEQ8,输出的恒流??0.7V,?UBE2?,UBE1?820k?12V,R?10．图示镜像电流源的VCC。IC2为（12．25?A）1）11.10?A2）12．25?A3）16.51?mA4）20.12?A?(IREF?2/?IREF11?VBE),RIC2?VCCA）。?
8、0.7V,输出的恒流IC2为（16.6
