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1、存储器未来发展状况如果有一种半导体领域被视为商品,那就是存储器。当然,它是容纳最多列吋的区域。DRAM芯片的当前需求量最高,其平均售价的涨落通常作为整个半导体行业的主导。市场和制造商在商业方面,半导体市场目前每年收入大约可达3000亿美元,存储器芯片对此做出了重大贡献,但是它每年的占有率极不稳定。制造商立足市场的成本很高,利润越来越微薄,只能在旺季才能赚取利润,或许,除非您恰好是市场领导者。在过去十年间,该行业的主要供应商数量(占据了5%以上的市场占有率明显减少,或者说我们已看到存储器供应商已在大势整合。这种情况首先出现在DRAM行业,在过去几年间,非易
2、失存储器(NVM的领先制造商群体(多半为闪存供应商中已改组。过程、体系结构和互连在技术方面,存储器芯片开发的主要挑战在于与微处理器提高的性能保持同步并提供快速且和较低功耗的存储器。存储器制造商的压力越来越大,以改进体系架构并移至更小的工艺节点,虽然存储器一直在硅工艺开发的驱动者。领先DRAM制造商现在以30nm的规格节点开始生产,一些供应商更供应25nm的规格工程样本。在NAND闪存中,闪存存储器最常见的类型用于固态驱动器、USB闪存驱动器和多媒体存储卡中的数据存储,领先的制造商现在开始生产64位存储器,采用20到30nm的过程技术。随着3D存储器技术日
3、益重要,还需要创新型存储器架构和结构:在技术过程阶段,DRAM存储器单元采用3D结构设计,在硅压模阶段,使用TSV(硅片直通孔互连进行DRAM压模堆叠,以满足高密度需求。3DNAND闪存存储器(带垂直门结构具有长寿命和高可靠性,前景很好,明年左右即可实现。另一个问题是下一代高吞吐互连标准的可能性。2011年初,JEDEC宣布了通用闪存(UFS标准,设计成为最高级的规格,用于嵌入式和可拆卸基于闪存的存储器存储。该标准特别为要求高性能和低功耗的移动应用和计算系统而定制。闪存-发展和替代?当前,闪存市场正在经受强劲的增长,由智能手机消费型设备(例如平板电脑和智
4、能手机中对快速、低功耗存储器要求的日益增加而驱动。来自IHSiSuppli分析师2010年的数据显示未来几年用于移动应用的领先存储器技术将是NAND闪存。预计到2011年,存储器总收入将占到移动产品的一半,接下来是DRAM,占到了市场份额的三分之一,NOR闪存存储器位居第三。补充说明一下,这不会降低传统硬盘驱动器的地位,提供日益增长的高密度存储功能,但预计不会很快出现在便携式计算、服务器或移动消费型市场上。虽然它不可能发生在不久的将来,但由于它不断发展规模,闪存寿命仍长久,也许发生在现在存储器技术中的一些最有趣的开发是可长期替代闪存,用于独立和嵌入式应用
5、。与闪存相比,领先的竞争者具有多个优势,例如100倍更快的读取/写入时间和明显更长的周期寿命:不同级别的电流应用到PCM中的玻璃类材料时,将生成相变存储器(PCM数据,从而更改晶体和非晶质状态之间的材料物理结构。因为电流可以可变级别提供,PCM允许每单元大于1位的数据存储。铁电体随机存取存储器(FeRAM或FRAM与DRAM类似,允许在读写操作中随机存取每个独立的位。它具有一个使用铁电材料的电池电容器,可以应用电场来极化材料。磁阻式随机访问内存(MRAM和第二代MRAM,称为SST-MRAM(旋转传输扭矩MRAM使用磁性存储元件。该技术不仅可允许替代闪存
6、,还可替代DRAM和SRAM存储器。电阻性RAM(RRAM技术基于两种稳定电阻性状态(低/高之间的电阻元件材料的电子切换(电流或感应电压。研究机构IMEC预计带叠栅式结构的RRAM设备可以11nm的规格进入市场。它坚信闪存规模可发展为20nm,带SONOS(硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅闪存,用作中间步长,采用17nm和14nm节点。
